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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

时间: 2021-10-22
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用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

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      硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4,w (97%-H2SO4)<0.3.对于较高浓度的硫酸,H2SO4可视为稀释剂。为了研究硫酸在恒定HF和硝酸量下的影响,使用发烟硝酸(100%),并且混合物中的水依次被H2SO4代替。发现硫酸浓度约为6mol·L-1时,蚀刻速率突然增加,这与蚀刻溶液的特征颜色有关。大于7mol·L-1 h2so 4时反应速率降低是由于高溶液粘度和氟磺酸的形成。通常,在HF-HNO3-H2SO4/H2O蚀刻混合物中,硝酸的解离减少,硝基离子的形成,中性氮中间体的溶解度(例如。NO2、N2O3)以及其他效应影响硅表面的侵蚀。用扫描电子显微镜和激光扫描显微镜(LSM)研究了腐蚀硅表面的结构,硫酸的相对量对形貌影响最大。

      HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物对晶体硅表面的整体反应性:略

      硫酸浓度对二氧化氮+和N(III)物种蚀刻速率和形成的影响:图5显示了硅蚀刻速率、硫酸浓度与氢氟酸和硝酸混合物每溶解硅量产生的亚硝酸盐离子量之间的相关性。N(III)物种通过增加硫酸浓度来稳定。在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中,大量的含氮化合物,如硝酸、NO3−、二氧化氮、NOx+和NO,使N(III)物种的反应性研究复杂化。最近研究的HF-NOHSO4-H2SO4蚀刻混合物是合适的模型蚀刻系统,因为N(V)和N(IV)物种是先验不存在的。对于这些混合物,我们发现亚硝基离子浓度的增加会导致硅蚀刻速率的增加。根据这些结果,大量的N(III)物质加速了HF-HNO3-H2o和HF-HNO3-H2so4混合物中的反应速率。用hf-hno3基混合物蚀刻硅后,得到了N(III)种类。

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物 

5 多晶硅与HFHNO3-H2SO4/H2O蚀刻混合物和亚硝酸盐离子的反应速率

      在HF(40%)-硝酸(100%)-硫酸(97%)/水蚀刻系统中,增加硫酸部分(诱导N(III)物种的稳定)不会导致硅蚀刻速率的线性上升。 5).而从0到5molL−1h2so4观察到恒定的蚀刻速率20-40nms−1,在6molL−1硫酸左右突然增加。这大致与蚀刻溶液从无色到绿色/蓝色的变化相关。在硫酸浓度高于7molL−1时,这些颜色消失,含有9molL−1硫酸的溶液也为无色。这意味着较高浓度的彩色物种,如二氧化氮(黄棕色)或三氧化二氮(蓝色)是导致蚀刻率突然增加的原因。随着硫酸浓度进一步增加到7molL−1以上的降低也是意料之外的,可以用假设N(III)物种的稳定和减少硝酸解离的影响通过增加蚀刻混合粘度来补偿。在HF-HNO3-CH3碳混合物中,蚀刻速率随着粘度的增加而降低。

      对于传统的HF-HNO3-H2O混合物,蚀刻硅表面的结构取决于混合物的组成。在富含HF的溶液中,反应控制过程导致形成典型的椭圆形蚀刻坑。表面缺陷,如晶界或位错线,作为蚀刻反应的起点。大量的硝酸加速硅氧化导致表面光滑。在这些混合物中,含氟物质(F−、HF、HF2−)在硅表面的扩散被认为是限速步骤。因此,不均匀性的区域优先蚀刻,导致抛光表面。

      利用扫描电镜和激光扫描显微镜研究了HF-HNO3-H2SO4混合物中蚀刻硅片的表面结构。图7显示了用几种不同浓度的硫酸获得的蚀刻多晶硅表面的扫描电镜图像。硫酸浓度c(h2so4)=0.0-11.6moll−1的增加对表面结构的影响较大。

 用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

7 蚀刻的多晶硅表面的扫描电镜图像。硫酸浓度和蚀刻速率如图所示。每种蚀刻混合物(c(HF)=2.6molL−1和c(N(V))=5.7molL−1)的氢氟酸和N(V)种类的浓度相等

      原始HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物(与硅接触前)的表征:略

      在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。

      在HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物中,硅的蚀刻速率取决于几个参数。当硫酸浓度为6molL−1时,硅的溶解突然增加,这主要是由于增加未解离的硝酸、硝基离子和/或NOx物质如二氧化氮的浓度而加速硅氧化引起的。对于非常高的硫酸浓度,增加了溶液的粘度,氟硫酸的产生降低了硅的蚀刻速率。用离子色谱法证实了亚硝酸、三氧化二氮或NO+等N(III)种的形成。此外,通过紫外/Vis光谱法证明了在稀释的HF-hno3-h2o混合物中存在亚氮酸作为一种额外的反应产物。

      亚氮酸和亚硝基离子可以分别通过同时从硅表面的2e−转移到硝酸和硝基离子而产生。或者,二氧化氮可以通过1e−还原二氧化氮+和/或三氧化二氮解离形成中间产物。

      在富含H2SO4的溶液中有孔状蚀刻坑的形成。这与众所周知的基于HF-HNO3溶液的硅蚀刻模式的原理不一致。显然,在硅/电解质界面上的单个反应步骤受到高硫酸浓度的显著影响。硅表面末端分析和氢末端硅表面的模型反应目前用于解决高频-hno3溶液中整体蚀刻过程的单个反应步骤。


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