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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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用于光掩模清洁的两种兆声波装置

时间: 2021-10-25
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用于光掩模清洁的两种兆声波装置

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引言

      湿式光掩模清洗依赖于兆频超声波搅拌来增强工艺,但要可靠地最大化粒子去除效率并最小化损坏,还有许多挑战。随着向无薄膜EUV掩模的转变,光掩模工艺更容易受到污染,增加了改进清洁工艺的紧迫性。这一困难主要是由于无法对声场进行适当的测量。典型地,关于声输出的所有已知信息是驱动频率和传送到换能器的电功率,这两个全局参数很少说明基底上的场分布、基底处声音的实际振幅或基底处存在的空化水平(稳定和瞬态)。对于给定的超声过程,空化的振幅在较高的频率下较低。虽然有几项关于1兆赫下粒子去除和模式损伤的研究,但对高于该值的频率下的空化性能知之甚少。

 

实验

超声波源

      考虑了两种不同的兆频超声波设备。一种是一种新颖的设计,包括一个耦合到倾斜的截顶石英锥的换能器,该石英锥具有悬浮在衬底上的平坦表面,留下大约4cm×6cm[4]的椭圆形足迹。它通过注入在锥体任一侧的清洗液与衬底耦合。二种设备是传统的点簇射器,通过以1.5 L/min的速度流动的直径为4 mm的清洁流体的平滑喷射将喷嘴换能器耦合到基板上方。

声学测量方法:

      两种换能器配置的声学性能通过各种方法来表征,这些方法的应用取决于设备的几何形状及其应用模式。在所有情况下,试验均在室温(22℃)下用去离子水进行,过滤至5 m,脱气至3.5毫克/升O2。校准的针形水听器用于测量声直接场(从声源传播)和两种形式的空化,稳定和瞬态,它们是由直接场的存在产生的。已经表明,两种形式的气穴现象都与清洗效率和损坏密切相关扫描水听器可以绘制压力分布图,并且只有当没有明显的驻波时,才能确定换能器的电声效率。只有在没有驻波的情况下,声强的定义才适用。由于高速喷射和气泡破裂产生的冲击波,瞬态气穴现象会产生破坏性影响。为了模拟这种情况,在6 mm的光掩模石英板中嵌入了一个传感器,一个机动扫描系统被用来自动绘制带有针水听器和面罩传感器的声场图(如图1)。

 

结果和讨论

锥形换能器:

      锥形换能器的评估是通过在距离平面1毫米处扫描水听器,同时辐射到实际上的消声罐中。图2所示的3兆赫辐射图呈现出一个漫射、不规则但相当均匀的场。这是从扩展源中预期的,在扩展源中相干干涉将产生λ/2周期性的图案,并且能量分布在大面积上。这类似于之前工作中发现的1兆赫锥形换能器的模式。

用于光掩模清洁的两种兆声波装置 

2  (左)3兆赫锥形换能器的2D扫描和(右)1兆赫锥形换能器的2D扫描

      一旦找到最大压力的位置,水听器就被放置在适当的位置,驱动功率从0.5瓦增加到5瓦。使用气蚀仪进行的信号分析显示,稳定气蚀和瞬态气蚀的数量可以忽略不计。

      穴测量方法基于用压电传感器检测声发射以产生压力谱。频谱中的不同分量代表来自直接场、稳定空化和瞬态空化的压力。直接磁场、稳定和瞬态气穴现象的频率和压力以国际单位制记录。最后,使用纹影成像来可视化换能器和掩模衬底之间的波传播行为。纹影成像是一种光学方法,通过检测折射率的微小变化引起的光衍射,将声波引起的压缩转化为光。

 

喷嘴传感器:

      点状喷头/喷嘴装置最初与消声罐表面接触,压力分布在包含喷嘴区域的10×10毫米见方的区域。这很好地近似了包含在喷流中的声辐射,尽管它并不完全相同,因为喷流-空气界面是完全反射的。不出所料,声压集中在小于射流的有限区域,均方根值为几百千帕.在1瓦和2瓦的设置下,绘制了两个辐射场图,以确定模式如何随功率变化。使用相同的两个功率设置来使用传感光掩模生成地图,这导致图案不太均匀。不幸的是,不可能将水听器或光掩模传感器放置在峰值压力位置,因为超过1兆帕的压力可能会损坏水听器。

      随后,水听器被放置在峰值压力位置,用于两种功率设置(1瓦和2瓦),并连接到MCT-2000气穴分析仪。尽管观察到的压力约为0.9兆帕和12兆帕,但仅观察到少量稳定的和可忽略不计的瞬时气穴现象。喷嘴应用促使通过将水听器放置在与射流紧密接触且靠近喷嘴出口的位置来监控波束的可能性。喷嘴和装有传感器的光掩模之间的距离是变化的,水听器和传感器的值都记录在每个位置。图4显示了P0随距离变化的周期性波动,其中峰值相隔约500微米。

      在整个研究过程中,人们注意到,当射流作用于平坦表面时,会产生高速、低厚度液体的圆形区域。以每分钟1升的速度,这个区域延伸到距离射流中心约14毫米的地方。为了确定空化如何随着距射流中心的距离而变化,水听器被放置在射流的边缘(距其中心3毫米),连接到空化分析仪,并沿着远离射流的直线线性扫描。

 

总结

      虽然频率和发电机功率设置是等效的,但喷嘴和锥形换能器的声学性能有很大不同。显然,频率和电能并不是声学性能和后续清洁活动的唯一决定因素。

对于相同的输入功率,来自喷嘴传感器的直接场压力输出大约是来自锥形传感器的10倍,当然是因为它的占地面积更小。还观察到,在两种设计中,空化产生的压力比直接压力低两个数量级(比在较低频率清洁环境中观察到的值低得多)。

      尽管压力很高,但气蚀程度很低,这可能是由于使用了脱气水,而对于锥形传感器,则是由于压力很低。根据射流直径和水流,估计平均一个水分子从进入腔室到接触衬底需要16毫秒。这应该是气泡生长和空化的足够时间,然而,由于缺乏驻波,辐射压力可能是推动气泡穿过边界层并到达大块上的原因——直接场去除气泡就像去除粒子一样。与喷嘴相反,锥形装置在大范围内提供相同的功率,这导致相对较低的气穴压力,低于2千帕。

      作为一个实际的结果,似乎如果锥形换能器设计可以有效地清洁,这可能是一个解决方案,可以延长工艺窗口的上限,以最小化图案损坏。


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