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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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玻璃基板的清洗方法

时间: 2021-10-29
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玻璃基板的清洗方法

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      本方法涉及清洗除去牢固附着在玻璃基板表面的聚有机硅氧烷固化物。一般粘合剂等中含有的、附着在玻璃等基板上的有机硅树脂等有机物或无机物,可以使用酸、碱、有机溶剂等药液除去。例如,已知使用苯、甲苯 、二甲苯、煙、工一硫等有机溶剂除去有机物等,但固化物的剥离性不充分,另外,有时在剥离后产生的废液中含有毒性强的化合物和会导致环境污染的化合物。因此,作为常规清洁液,主要使用氢氟酸盐溶液或碱金属氢氧化物溶液。

      然而,由于氢氟酸盐会腐蚀玻璃,因此在玻璃基板上使用时需要小心。 因此,在硅晶片制造商和器件制造商中,进行各种清洁以去除粘附在诸如硅晶片的衬底上的污染物。例如,一种名为RCA清洗的典型清洗方法是将氨水,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为A P M)加热至60-90℃,除去硅片上的颗粒和有机物,然后再将盐酸,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为H P M)加热至60-90℃用于去除硅晶片上的金属杂质的方法的组合。将硫酸和过氧化氢溶液(有时称为SPM)的混合溶液加热到80-150°C,用于分解和去除有机物质,如泡沫,或去除金属杂质。

      玻璃基板的表面通过用强碱洗涤来溶解和去除牢固地粘附到玻璃基板上的硬化材料,并且同时,玻璃基板的表面也略微溶解,从而损坏玻璃基板的表面。在用于制造半导体的无力玻璃衬底等中,衬底表面可能被碱性组分污染,因此,即使当衬底的浓度低时,也难以重复使用通过这些方法清洁和再生的衬底等,因为在使用强碱性金属氧化物如氢氧化钾溶液或氢氧化钾溶液的情况下,使用强碱性金属氧化物如氢氧化钾溶液或氢氧化钾溶液的情况下,在用于制造半导体的无力玻璃衬底等中,存在衬底表面被碱性组分污染的可能性。

      本方法将附着在玻璃基板表面的聚有机硅氧烷的固化物、一种基板的清洗方法,不产生基板的损伤、腐蚀、污染,简单地清洗除去,使该基板的再生成为可能。我们为了提高以往的玻璃基板清洗技术,经过研究发现,用含有硫酸、过氧化氢或盐酸和过氧化氢的混合清洗液进行了清洗。发现清洗后,通过用含有硝酸的水溶液清洗,可以不发生该基板的损伤 、腐蚀、污染地进行清洗,可以有效地除去附着在该基板表面的聚有机硅氧烷的固化物,从而实现了本方法。

      我们有以下方法:

      一种用于除去附着在玻璃基板表面的聚有机硅氧烷的硬化物的清洗方法,其特征在于,包括:使含有硫酸、过氧化氢或盐酸和过氧化氢的混合清洗液与基板表面接触的工序; 一种玻璃基板的清洗方法,包括使含有硝酸的水溶液与基板表面接触的工序。

相对于含有硝酸水溶液的总质量,硝酸的浓度为1 ~ 6 0质量% 。

      此外,清洁方法包括在用水清洁玻璃基板之后干燥玻璃基板的过程。在清洁方法中,使含有硝酸的水溶液在200-100℃下与衬底表面接触。

      根据本方法的清洗方法,不使用碱成分,不发生基板的损伤、腐蚀和污染,能够除去牢固附着在基板表面的聚有机硅氧烷的固化物。因此,不需要用难以使用的氢氟酸清洗或使用有可能被碱成分污染的金属氧氧化物等进行强碱清洗。另外,由于使用SPM的清洗和使用HPM的清洗工序中产生的氯离子等不会残留在基板表面 ,因此可以进行高清洁的基板的清洗、再生,也可以降低成本。因此,本发明的清洗方法在半导体设备的制造上极其有用。

      作为本方法中的含有硫酸和过氧化氢的混合洗涤液,例如可以举出用于除去抗蚀剂等有机物和金属杂质的SPM洗涤液。另外,作为含有盐酸和过氧化氢的混合洗涤液,例如可以举出用于除去金属杂质的HPM洗涤液。SPM清洗通过加热SPM清洗液进行。作为清洗条件,没有特别限定,但一般常用的组成是硫酸和过氧化氢水的容量比为4 : 1到8 : 1的范围,清洗温度为80~150°C的范围就足够了。另外一方面,HPM清洗通过加热盐酸、过氧化氢水和超纯水混合液来进行,清洗条件与SPM清洗一样,没有特别限定,一般使用所用组成为盐酸、双氧水和超纯水的容量比为1:1:5至1:4:10以下的范围,清洗温度在50~100°C的范围就足够了。

      尽管硝酸洗涤的作用尚不清楚,但通过普通的SPM洗涤和HPM洗涤不能完全除去的组分,如粘附在玻璃表面上的聚有机硅氧烷固化产物中所含的笼型硅酮氧烷,通过硝酸的氧化能力从玻璃表面剥离。同时,当在后处理中进行清洁时,可以去除在使用盐酸的情况下残留在玻璃基板表面上的痕量氯离子。

      含有硝酸的水溶液中的硝酸浓度优选采用1~60质量%的范围,更优选的采用10~40质量%的范围。低于该浓度范围时,聚有机硅氧烷的剥离性低 ,另外,如果超过该浓度范围,则不经济。

      以下叙述本方法中的清洗顺序的一个例子。玻璃基板为硫酸和过酸用含有氯化氢或盐酸和过氧化氢混合清洗液清洗后,在玻璃基板表面,为了冲洗附着在上的药液成分的大部分,进行超纯水冲洗。超纯水冲洗在一般的条件下,例如室温下超纯水从清洗槽溢出。在室温下进行1分钟以上。此后,将玻璃基板浸入由氟树脂制成的洗涤槽中,其中填充有含有硝酸的水溶液以进行洗涤。清洁温度没有特别限制,但优选为20-100℃,更优选4-90℃。洗涤液组合物的温度低于20℃时,从玻璃基板上剥离固化物的速度慢,不实用。另外,清洗液组合物的温度超过100°C时,水分蒸发剧烈,硝酸浓度有时会发生变化。另外,实施的顺序并不限于此,顺序和条件可以适当变更。

      为了评价清洗性,以表1记载的质量份配合浓盐酸、过氧化氢水和超纯水的混合液,制成清洗液。将各洗涤液约300ml放入氟树脂制的浸渍槽中,加温至表1记载的温度。浸渍在该模型基板中,用磁力搅拌器和磁力搅拌器搅拌洗涤液,保持该状态12分钟一9小时。接着用纯水进行1分钟漂洗处理,使之干燥。之后,用30%浓硝酸代替各洗涤液,用同样的方法洗涤。

      根据本方法的基板的清洗方法,能够清洗、再生需要高清洁性的半导体装置用玻璃基板等,能够在半导体制造工序中广泛利用。


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