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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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减少硅片金属污染的方法

时间: 2021-10-29
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减少硅片金属污染的方法

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      本方法一般涉及半导体的制造,更具体地说,涉及在生产最终半导体产品如集成电路的过程中清洗半导体或 硅晶片,由此中间清洗步骤去除在先前处理步骤中沉积在相关硅晶片表面上的污染物

      典型,在生产复杂的半导体产品,例如集成电路器件时,需要数千个加工步骡来获得最终产品。为了提高利润,重要的是在加工期间从单个硅晶片获得的有用集成电路器件的产量或数量最大化。因此,半导体制造商在半导体器件的制造过程中需要提供最长的寿命。这种器件通常在洁净室条件下制造,以便在加工过程中基本上消除任何空气污染物到达硅晶片表面,并降低产量。

      此外,在硅晶片的实际加工过程中,某些其它加工步骤本身可能导致污染物沉积在晶片表面上,使得在预定的加工步骤完成之后,有必要在进行后续加工或制造步骤之前清洁晶片表面,以确保所生产的器件具有最高的可能产量。

      半导体产品制造过程中的典型清洗周期包括湿晶片清洗,其通常包括多个清洗步骤。最初的步骤通常包括将化学制品和水的混合物喷洒到晶片表面上,或者将晶片浸入这种混合物中,随后是水冲洗步骤和干燥步骤,之后硅晶片进行进一步的器件处理。在半导体制造中经常使用本领域中通常称为“RCA-clean”的清洗顺序。“RCA, clean'中使用的步骤之一通常被称为“SCI”步骤,用于从被处理的硅片表面去除颗粒。然而,“SCI”步骤傾向于增加晶片表面的金属污染,需要后续的清洗

      本方法的一个目的是在半导体器件的制造过程中,在清洗序列之后,降低硅晶片表面上的金属液度。本方法的另一个目的是改进被称为“RCA-clean”的清洗顺序,用于显著减少以这种顺序清洗的晶片表面上的金属污染。

      下面参考附图描述本发明的各种实施例:

 减少硅片金属污染的方法

1 示出了通常被称为“RCA清洁”的半导体制造清洁序列的流程图

 减少硅片金属污染的方法

2 本方法一个实施例的半导体制造清洁序列的流程图

      在半导体制造中,通常对硅晶片进行处理,以化学和物理方式改变晶片。这种处理可以包括在由基础硅晶片提供的衬底上外延生长半导体材料层的步骤。在处理时蚀刻部分,将晶片的部分掺杂成具有n或p的导电率,等等。在生产集成电路设备所需的典型数千个步骤中,例如,在一系列此类步骤的结束时,有必要引入一个清理序列。一个这样的预先清洗序列通常被称为“rca清洁”,如图1所示,包括多个步骤B到G。通常在现有技术中,作为步骤“A”或“ PIRANHA”步骤的附加步骤被添加到“RCA-clean”步骤“B”到“G”中,以提供如图所示的“ PIRANHA-RCA”清洗序列。

      通常在现有技术中,作为步骤“A”或“PIRANHA”步骤的附加步骤被添加到“RCA-clean”步骤“B”到“G”中,以提供如图所示的“PIRANHA-RCA”清洗序列。在“A”到“G”的步骤中,“A”或“PIRANHA”中的有机污染物从被清洗的硅片中去除;在步骤“C”或“SC1”颗粒从硅片中去除;在步骤“E”或“SC2”金属污染物从硅片中去除。步骤“B”、“D”和“F”是水冲洗步骤,步骤“G”是晶片干燥步骤。

      最近有技术中发现,相对于“原始rca-clean”公式中使用的浓度,使用“rca清洁步骤的稀释化学”在清洗硅晶圆中可以获得基本相同的结果。如下表1所示,显示了原始和稀释的“PIRANHA-rca”清洗步骤“A”、“C”和“E”的化学物质和浓度。

 减少硅片金属污染的方法

表一

      表1所示的化学溶液可以通过喷雾工具应用于硅晶片,其中溶液或混合物直接喷洒在晶片上,或者硅晶片浸在罐工具中包含的化学混合物或溶液的槽中。一种常用的喷雾工具是“FSIMECURYOC”。此外,常用的坦克工具包括“Pokorny湿板凳”,“SMS湿板凳”,一款“DNS自动清洁器”,或“三济汽车清洁”中的任何一个。

      我们认识到,金属浓度留下了用图中的“Pira-40nha-RCa”序列清洗过的硅晶片的N表面。通常保持高于预期,导致在复杂集成电路如64MDRAM和256MDRAM的制造过程中产率降低。我们发现,通过修改图中“PIRANHARCA”清洗序列的步骤“C”或“SC1”步骤,可以大大减少金属污染问题。以这种方式,金属络合物保持结合在溶液中,从而防止相关的金属污染被清洗的硅晶片的表面。如下表2所示, 铁(Fe)的浓度。

      在本方法的优选实施例中,我们发现在图2的修改清洗序列的修改步骤“C”或“SC1”步骤中,EDTA的浓度在0.05mg/l到0.01mg/l之间提供了最佳的结果。然而,所需的EDTA浓度取决于溶液中使用的其他化学物质的浓度,包括是否使用原始或稀释的化学物质“PIRANHA-rca”。例如,在原始Pira的“SC1”步骤中添加0.10mg/lEDTA得到最佳结果。

      还要注意,本方法的清洁顺序改进不能用于喷射工具。原因是化学物质混合和硅晶片加工之间的时间太短,不能形成化学复合物。因此,本发明的改进工艺要求在图2的步骤“C:中使用槽工具清洗硅晶片。

      此外,自动注射器可以包括在清洁系统硬件中,用于向清洁溶液中添加预定量的复合助洗剂,用于图2的清洁序列的“SCI”步骤。尽管上面已经示出和描述了本方法的各种实施例,但是它们并不意味着是限制性的。


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