欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响

时间: 2021-11-01
点击次数: 9

硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言 

      本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在(111)择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1%1%硝酸(HNO)溶液,ZnO在不同时间被蚀刻,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)光谱进行表征,以允许对它们的结构和光学性质进行检查。XRD结果表明,当薄膜在不同的氢氮浓度下刻蚀不同的时间时,ZnO的强度降低。上述观察归因于氧化锌的溶解。扫描电镜图像显示,氧化锌薄膜的厚度随着刻蚀时间的延长而减小,这是氢氮溶液各向同性刻蚀的结果。光致发光发射强度最初随着蚀刻时间的增加而增加。然而,随着样品的进一步蚀刻,由于表面-体积比的降低,光致发光光谱显示出强度降低的趋势。结果表明,1.0%HNO有显著改变氧化锌表面形貌的能力。

 

实验

刻蚀前将沉积的氧化锌样品切成1厘米× 1厘米的片。在目前的研究中,使用了浓度为0.1%和1%的HNO。如表1所示,样品以不同的蚀刻时间浸入蚀刻剂中。蚀刻过程后,用蒸馏水冲洗样品,并在氮气流下干燥,以去除样品表面上的任何化学残留物。

XRD、SEM和PL光谱对制备的多孔氧化锌样品进行了表征,以分别考察其结构性能、表面形貌和截面结构以及光学性能。XRD测量在2θ-ω扫描模式下进行,也称为相位分析。在这种扫描模式下,XRD-PA测量是在30°到40°范围内扫描获得的,其中ω轴和2(2θ)以耦合的方式移动,使得只有来自平行于样品表面的晶面的衍射光束被检测到。为了进行扫描电镜表征,使用扫描电镜获得样品的图像。在图像中,样品的表面形态图像是在10000倍放大倍数和10千伏加速电压下拍摄的。然后将样品分成两份,在相同的加速电压下获得放大20000 ×至30000×的横截面图像。

 

结果和讨论

为了清楚生长和刻蚀的氧化锌薄膜的表征结果,结果分几个部分逐步讨论。

x射线衍射表征:1显示了沉积在磷硅(111)上的生长和蚀刻的氧化锌薄膜的XRD光谱。对于所有样品,在34.3℃处可以清楚地观察到对应于氧化锌(002)的强烈峰。该峰表明本研究中使用的ZnO薄膜源于纤锌矿晶体结构。XRD光谱中的主要ZnO(002)峰也表明本研究中使用的ZnO薄膜具有沿(002)面的优选取向。除了氧化锌(002)峰之外,还检测到对应于氧化锌(101)的次峰(大约36.08)。

1显示,当薄膜在不同的HNO蚀刻时,ZnO(002)的强度降低;不同时期的浓度。衍射峰强度的降低归因于氧化锌(002)的溶解,这随着蚀刻时间的增加而降低了薄膜厚度。蚀刻过程后薄膜的结晶度也可能影响衍射峰的强度。在0.1% HNO溶液中腐蚀120秒后,ZnO薄膜中ZnO(002)的强度突然下降。

 扫描电镜表征:2显示了表面形态图像生长的多孔氧化锌薄膜。图2(a)表明,生长的氧化锌样品包含叶状颗粒形状。当氧化锌样品在0.1%和1.0% HNO溶液中蚀刻时,蚀刻剂倾向于侵蚀片状氧化 锌颗粒上的薄区域或尖锐区域,形成颗粒和空隙,它们是多孔结构的一部分。然而,由于蚀刻剂浓度和蚀 刻时间的不同,样品的表面特征也不同。对于在0.1% HNO蚀刻的氧化锌样品,如图2b~2d,当氧化锌薄膜被蚀刻60s时,空隙开始形成。然而,随着蚀刻时间分别增加到120和 180秒,观察到样品表面有轻微变化。浓度较低,限制了氧化锌薄膜多孔表面的进一步发展。样品表面形成的大部分空隙是浅空隙。仅观察到代表深空隙形成的一小部分黑斑。各向同性蚀刻被认为发生在蚀刻过程中,在此过程中蚀刻的发生是非定向和非选择性的。蚀刻剂将氧化锌层向下蚀刻到衬底的能力受到低化学浓度的阻碍。同样,在各向同性蚀刻效应下,氧化锌层厚度将随着蚀刻时间而减小。

 HNO的腐蚀行为和机理:所有的氧化锌薄膜在经历湿化学蚀刻后都显示出一定程度的表面形态变化。由于多孔结构的产生,HNO的使用倾向于降低氧化锌薄膜层的平均厚度。因此,必须在这两个主题之间找到折衷方案,以便在提供足够的平均薄膜厚度的同时生产多孔氧化锌。

 光致发光表征:3显示了在不同浓度的HNO溶液中蚀刻的生长氧化锌和氧化锌样品的光致发光光谱。图3(a)至3(b)中所示的峰是位于约380纳米处的氧化锌的光致发光带边发光峰。如该图所示,在0.1%和1.0% HNO溶液中蚀刻的所有样品随着蚀刻时间的增加表现出相似的行为。光致发光光谱的强度最初随着蚀刻时间的增加而增加,这是因为氧化锌层的表面积与体积之比的增加。然而,随着样品被长时间蚀刻,光致发光光谱的强度开始降低。这种行为是因为表面与体积比的降低,这导致了PL带边强度的降低。

 

总结

0.1%和1.0% HNO溶液中通过湿法化学刻蚀制备了多孔氧化锌薄膜。XRD光谱显示,本研究中使用的ZnO样品具有纤锌矿结构,具有ZnO(002)择优取向。随着氧化锌层被蚀刻,发现氧化锌(002)和氧化锌(101)的强度水平降低。这种行为归因于(002)以及(101)在蚀刻过程中。表面形貌和截面扫描电镜图像显示,刻蚀过程中的各向同性刻蚀机制促进了氧化锌样品表面形貌的变化。光致发光表征表明,在0.1%和1.0% HNO溶液中蚀刻的样品表现出相似的行为;即光致发光峰的强度最初随着蚀刻时间的增加而增加,但随后当样品被蚀刻一段延长的时间后强度降低。这种行为是由于表面体积需要更长的蚀刻时间。结果表明,1.0% HNO可以显著改变氧化锌薄膜的表面形貌,提高其表面体积比。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开