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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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湿法清洗的速率检测器

时间: 2021-11-05
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湿法清洗的速率检测器

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引言

在半导体衬底(晶圆)清洗中,湿法清洗必不可少。湿法清洗可以包括化学和机械方法,用于湿法蚀刻薄膜层和/或去除晶片表面上的颗粒。在现有技术中,湿法清洁的一种方式包括使用声能清洁装置。一种声能清洁装置利用一种工艺,其中晶片被放置在液体浴中,并且高频辐射或空化被施加到浴中的液体。同时,液体中的化学物质为晶片上的层提供了表面蚀刻。表面蚀刻和空化共同提供清洁晶片表面的机械和化学作用。

 

介绍

用于湿晶片清洗的速率监视器。速率监视器连接到单晶片清洗设备,以测量和控制湿法清洗过程。在晶片清洗过程中,当晶片被液体覆盖时,速率监测器可以监测晶片一部分的变化速率,并及时预测湿法清洗过程的终点。终点的知识可用于优化和控制清洁过程的各个方面。

简而言之,在单晶片清洗过程中,速率监视器被用来监视晶片的一部分发生变化的速率,例如覆盖晶片的薄膜。基于变化发生的速率,速率监视器可以及时预测终点参考。终点可以对应于湿式清洁过程的一个阶段将结束而另一个阶段将开始的时间点。一旦预测了终点,就可以在实际终点发生之前控制湿法清洗过程,使得通常会在终点发生之后执行的事件现在可以在预测终点之前执行。换句话说,速率监视器可以确定湿法清洗过程的结束有多快,确定在到达终点之前需要做什么,以及做什么那些需要做的事情。因此,清洁过程的下一阶段可以在没有不必要的切换延迟的情况下进行,从而加速了清洁过程。单晶片清洗装置中的示例性清洗工艺包括薄h1m去除(例如氧化物、氮化物、光刻胶)、颗粒去除、选择性薄膜去除等。因此,速率监视器可以观察晶片的各种特征之一,例如薄的h1m厚度、溶液的化学变化等。

 

实验

根据本发明的一个实施例,可以在单晶片清洗设备中使用速率监视器来去除晶片上的薄膜。在半导体工艺中,必须在整个半导体工艺的不同时间利用清洗技术来从晶片上去除薄膜。例如,在晶片上形成晶体管的过程中,作为形成晶体管的工艺的一部分,可能需要将栅极氧化物层直接生长到晶片的顶部。然而,在可以生长栅极氧化物之前,可能需要在晶片内形成隔离区,这可能需要直接在晶片表面上沉积各种薄的fi1m层,例如衬垫氧化物层和氮化物掩模层。一旦形成隔离区,就需要去除衬垫氧化物层和氮化物掩模层,使得栅极氧化物可以直接沉积在晶片表面上。

去除这些薄的fi1m层(例如氧化物、氮化物等)。)可以通过湿法蚀刻来完成。湿法蚀刻,也称为覆盖蚀刻,将晶片上暴露于蚀刻剂的所有表面暴露出来,对于去除薄fi1m层而不损坏下面的晶片非常有用。湿法蚀刻在本文中也可以被描述为“湿法清洗”,因为湿法蚀刻是清洗过程的一部分,并且可以包括其他清洗步骤(例如,冲洗、成腔等)。)倾向于去除湿法蚀刻后可能留下的蚀刻剂的任何残留物或薄h1m层的颗粒。因此,湿法清洗工艺是半导体制造的重要部分。

因此,晶片可以被放置在单晶片清洁装置内。速率监视器可以位于原位,或者换句话说,位于晶片清洗装置内部。速率监视器可以包括光学测量设备,例如椭偏仪,以进行与晶片上的薄fi1m的厚度相关的光学测量。光学测量装置可以进行光学测量,或者换句话说,测量光束的光程长度,该光程长度与晶片上薄fi1m的厚度相关,因为薄fi1m正被湿法蚀刻、清洗或者以清洁装置处理的其他方式。因此,光学测量是实时进行的,或者是在湿法工艺发生时进行的,并且光学测量可用于确定蚀刻速率和基于蚀刻速率预测湿法清洗工艺的终点。速率监视器或与晶片清洗装置相关联的其他装置可以利用终点来优化和控制清洗过程的各个方面,这些方面可以在到达终点之前及时发生,为到达终点之后可能发生的额外处理做准备。

 

总结

1.单晶片清洗装置,用于向晶片提供湿法清洗工艺;连接到单晶片清洗装置的速率监视器,用于测量和控制湿法清洗过程。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述速率监视器用于测量湿法清洗蚀刻的进展速率,预测湿法清洗蚀刻的时间终点,并提供控制信号,所述控制信号可用于在到达终点之前控制单晶片清洗装置。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述速率监视器包括:单晶片清洁装置内部的光学测量装置,用于进行与覆盖晶片的薄fi1m层的薄fi1m厚度相关的光学测量;和连接到光学测量装置的工艺控制器,该工艺控制器基于光学测量确定湿法清洗蚀刻期间薄fi1m的蚀刻速率,基于蚀刻速率预测湿法清洗蚀刻的终点,并基于预测的终点向单晶片清洗装置提供控制信号。


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