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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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不同湿法蚀刻二氧化硅薄膜蚀刻速率均匀性的比较

时间: 2021-11-06
点击次数: 11

不同湿法蚀刻二氧化硅薄膜蚀刻速率均匀性的比较

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引言

半导体生产过程中,蚀刻工艺是非常重要的工艺。蚀刻工艺中使用的方法通常有浴式和枯叶式两种。浴式是用传统的方法,在药液浴中一次性加入数十张晶片进行处理的方法。但是随着半导体技术的发展,开发出了一张处理晶片的枯叶式。在常温的药液中,浴式的均匀度在3%以上,而每叶式的均匀度在1%以下,非常优秀。另外,与浴式相比,枯叶式的超纯用量少1/15左右,在Cu工艺等担心金属污染的工艺中处理晶片一张,从而防止反向污染。枯叶式是一次性展示晶片时喷射书药液的方法。这时喷射喷嘴可以从伟珀中心向边框方向来回转动,通过boom swing均匀地冷却。

本方法将batch和batch结合起来,用没有boom swing的方法评价了蚀刻工艺。在进行蚀刻工艺时,以消除boom swing为基础,用晶片上有板的结构制作了枯叶式装置,进行了蚀刻评价。在没有Boom Swing的枯叶式结构中,将常温的药液从晶片中央喷射出来进行了蚀刻评价,并进行了评价,以了解使用高温药液时的结果果。使用高温药液时,出现了口感不均匀的问题。对此时发生的问题进行了这一理论考察,并在理论计算结果的基础上,改进了高温药液的喷射方法。

 

实验

利用枯叶式装置,用晶片上有板的词组制作了装置,进行了评价。图2是有桌面制作的枯叶式装置的外观。晶片的旋转最高可达2000RPM,使用晶片的大小为300 mm。 

评价中使用的晶片在Si上方使用了10000A增强Si6膜,Sit >膜的蚀刻所用的药量为DIW和HF 49%混合成100:1的DHF(DHF)。上板和晶片的间隔为2毫米,药液的流量为0.6L/min。这个流量取决于晶片的转速。在100RPM以下的速度下,0.6 L/min的流量在上部板和晶片之间沉积药液,适合沿边界方向扩散。药液的温度在常温和高温时进行了蚀刻评价,蚀刻前后的膜厚测定为K-MAC ST-6000。

 

结果和讨论

首先,在室温下将DHF集中喷射60秒0.6L/min的药液时,对刻蚀量的分布进行了评价。图6是刻蚀量的分布图。图6(a)为药液集中喷射时刻蚀量的分布。边框部分的蚀刻量很大,这是Lins工艺中DIW从中间供给的原因,所以我认为边框部分的蚀刻时间变长的原因。刻蚀最多的部分的值约为每分钟45A,最少的部分的值约为每分钟28A,平均刻蚀量约为每分钟35A,刻蚀量的均匀度约为21%。

6(c)是图3(b)的多孔板,沿直径有40个药液粉砂孔的结果。平均蚀刻量约为28A,比中央喷射的值少约7A,但蚀刻均匀度约为15%,比中央喷射的21%提高了约6%的均匀度。图6(d)为57℃DHF,是多孔顶板蚀刻的结果。蚀刻最多的部分约为79.6A,最少的部分为73A,平均蚀刻量为每分钟76A,均匀度约为4.3%。

从中央喷射的结果与蚀刻结果不相容来看,平均蚀刻量约少10A,但均匀度从18%提高到4%,提高了14%。图7(a)是从中昂喷射53℃药液时的温度分布模拟结果与实际蚀刻结果的比较。通过计算温度和刻蚀量的关系,晶片中央的刻蚀量为22℃时,为28A,为53℃时,为99A,因此随着31℃温度的上升,71A刻蚀量增加了。假设全度和刻蚀量的关系是线性的,那么根据1℃的OLALAGE,可以看到2.3A的刻蚀量增加了。如果将该值代入模拟的温度分布,则假想的食角量的分布将按图7(a)计算。从图7(a)来看,计算出的值和实际刻蚀量的分布呈现出相似的方面。图7(b)也是用同样的方法计算,与模拟结果进行比较的结果。

 不同湿法蚀刻二氧化硅薄膜蚀刻速率均匀性的比较

7 温度分布模拟与二氧化硅薄膜刻蚀结果的比较

总结

本研究是考察在枯叶式方法中,没有boom swing的肝硬结构是否可以蚀刻。以无Boom swing的枯叶式方法,了解了进行蚀刻工艺时的蚀刻量和蚀刻量的分布情况。另外,不仅了解了一种常温的药液,还了解了使用高温药液时的食死量和食死量的分布情况。高温下的结果无法比较,因为没有在传统的batch式和boom swing式的单张式上进行评价的结果。

本方法观察到,在蚀刻SiO2膜时,药液的温度作为中约翰因素,为了用高温药液使食角量的分布均匀,采用了多孔喷射药液的方法。SiO2膜的食角量分布与模拟结果中药液的温度分布相似。从现有batch式的设备中进行评价的结果与进行boom swing的枯叶式相比是不充分的结果,但如果制作优化药液喷射孔的设备进行蚀刻工艺,则认为比前面的实验结果取得了更好的结果。评价结果表明,使用这种方法,在进行湿式蚀刻方面会有多种优点。

第一,不需要Boom swing,所以结构变得简单了。第二,可以减少可能产生晶片污染的因素。第三,可以一次吃两面。第四,如果只对基板的反面进行蚀刻,晶片下面的板和晶片之间会随着药液的填充而冷却,因此敌人可以有效地使用少量药液。最后,我们认为在解决今后的干燥问题上也有很多应用。


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