欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

醇碱溶液中多孔硅的化学氧化

时间: 2021-11-11
点击次数: 5

醇碱溶液中多孔硅的化学氧化

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

多孔硅(pSi)内表面的钝化是大多数接收应用的先决条件。在多孔硅(PsI)内表面,反应性氢化物端接键被功能更稳定的物质取代。在可容易地应用于pSi膜和粉末的钝化技术中,热氧化是最常见的;在静态样品/熔炉条件下,这已被证明是高度放热的,并可导致大程度的烧结和孔隙塌陷。

我们通过阳极氧化和从母晶片电化学分离形成的多孔硅膜在室温下通过浸入包含甲醇和氢氧化钠(< 0.1 M)的碱液溶液中而被快速氧化。硅骨架被氧化物覆盖,氧化物的厚度取决于浸泡时间、碱液浓度和酒精比例,其表现为表面积、孔体积和尺寸的减小,以及颜色的变化和对稀氢氟酸中蚀刻的敏感性酸。在仅仅几分钟的浸泡时间后,高孔隙率的膜可以几乎完全转化为白色介孔二氧化硅。使用受控氧化和氢氟酸蚀刻来显著扩大孔。

 

实验

在电化学阳极化(直径150毫米,硼,0.01:1)上制备多孔硅层;选择电流密度和时间产生介质(63%)或高孔率(>80%),层厚度>150µm。阳极化后,通过施加高电流密度脉冲(130mA/cm2,持续10m),每一层立即与基底分离。随后,分离的膜在MeOH中冲洗,并在50◦C下真空干燥几个小时,然后手工破碎成小块(<5mm2)。

1M(pH14)原液中连续稀释制备0.1M(pH13)和0.01M(pH12)氢氧化钠溶液。将MeOH移液到阳极氧化的疏水pSi上,以促进润湿,并允许随后添加的氢氧化钠水溶液(足以完全覆盖膜)进入孔隙结构;搅拌溶液(300rpm)以确保均匀性;使用热电偶测量每种溶液的最高温度。在预先确定的时间后,每个样品从溶液中分离,依次冲洗(去离子水,然后是甲醇),干燥(50◦C真空烤箱数小时)。

使用氮气吸附/解吸,使用微型三轮车3000测定每个粉末的表面积、孔隙体积和平均孔径。对等温线的计算分析得出了表面积的绝对值、孔隙体积和平均孔径。11x射线荧光(XRF)测量使用老虎光谱仪进行;这使得高氧化样品的氧化程度得以确定。

 

结果和讨论

中等孔隙率pSi:1列出了在含有固定量MeOH(5ml)的0.1M或0.01M氢氧化钠(30ml)中浸泡后测量的63%孔隙率pSi的相对重量变化。重量的增加与一定程度的氧化相一致;较强的碱溶液最初反应性更强,几分钟后体重增加趋于稳定;与较弱的基溶液相比,整体重量变化较小,这表明一定程度的蚀刻是平行发生的。表面积、孔隙体积和平均孔径均有相关的减少,表1再次表明结构的氧化。

醇碱溶液中多孔硅的化学氧化

1 在5mlMeOH+30ml氢氧化钠溶液氧化后,63%孔隙率pSi相对重量变化和氮气吸附数据

2总结了在0.1 M或0.01 M氢氧化钠溶液(50毫升)中浸泡后63%孔隙率pSi的较大批次的重量变化,甲醇体积分别从0.05毫升或0.1毫升开始。对于含有高达0.1毫升甲醇的溶液,测量了0.1 M和0.01 M溶液的总净重量损失,这对于较高浓度的碱更大;对于含有较高体积甲醇的溶液,样品体重增加,弱碱性溶液增加最小。溶液温度升高,取决于甲醇体积、氢氧化钠摩尔浓度和批次大小;虽然表明是放热过程,但混合热(在没有任何pSi的情况下)有助于达到最高温度。

      阳极氧化后的疏水膜通过以下方式处理,化学氧化过程产生的亲水性,类似于热氧化。对于热氧化,众所周知,pSi的颜色可以从深棕色发展到浅棕色,这取决于达到的温度,如果结构转化为多孔氧化物,可能会产生灰色到灰白色。通过化学氧化过程,只有在较长的浸泡时间(> 10分钟)后,63%孔隙率pSi的颜色才逐渐变为浅棕色,这表明有大量元素硅残留。

      高孔隙率pSi:对于孔隙率较高的pSi,孔隙骨架较薄,假设大部分元素硅在化学氧化过程中转化为多孔二氧化硅并非不合理;这在图1中很明显,对于89%孔隙率的pSi,颜色从深棕色转变为白色(干燥后);在较高的孔隙率下更容易机械破碎,由于在氧化过程中与搅拌棒持续接触,薄片的尺寸减小;尽管表面面积、孔体积和平均孔尺寸的显著减少伴随着氧化,但中孔性仍得以保持。当在室温下将白色多孔二氧化硅膜浸入二氧化硅(10%)中时,它们被蚀刻完成(在1分钟内),正如完全氧化的材料所预期的那样。对另外两个同样为白色的类似处理样品的半定量x光荧光分析表明,二氧化硅的组成为97.6%和98.4%,残余钠含量分别为2.4%和1.6%。在将硅完全转化为二氧化硅的过程中,理论重量增加预计为114%,通过热氧化肯定可以获得大于100%的值。1通过化学氧化获得的值通常要低得多(表一和表二)。对于89%的孔隙率pSi,以样本为例,体重增加了61%;氢气解吸和硅烷释放会通过相关的重量损失影响测量。

       二氧化硅可能在整个氧化过程中起竞争作用,与已知在氢氧化钠水溶液中蚀刻二氧化硅的方式相同;由于反应是放热的(表二),由此产生的温度升高可能会增强化学蚀刻和甲醇蒸发,这将随着批量的增加而增加。

 醇碱溶液中多孔硅的化学氧化

2 在MeOH-NaOH溶液(1g批次,10min,50ml氢氧化钠,不同的MeOH)中,63%孔隙率pSi被氧化的反应温度和相对重量变化

      在研究乙醇(异丙基)在氢氧化钾溶液中作为蚀刻大块硅晶片的添加剂的作用时,13提出了由于增强的表面氧化而增加化学反应性;这对于蚀刻pSi也很重要,因为在孔网络中暴露了额外的晶面。

      我们无法获得没有甲醇添加剂的氧化样品的数据,因为阳极氧化的pSi是疏水性的,因此很难在纯水溶液中处理。然而,在一份出版物8中,使用不含乙醇(0.1 M)的氢氧化钠对(较高电阻率)硅晶片上形成的pSi层进行蚀刻显然是成功的;其中暗示溶解和氧化都发生了,在蚀刻时间> 60秒时溶解占主导地位;还指出加入乙醇基本上增加了溶解速率,这与我们在此报道的相反,尽管条件不同。

 

总结

      氧化物的质量和稳定性对于许多应用来说是重要的,所赋予的稳定性程度由氧化的方法和程度决定。高孔隙率氧化pSi中残留钠的存在对于电子/光电应用可能是个问题,钠的形式和环境尚不清楚。鉴于我们的主要应用是药物递送,我们从负载药物降解的角度评估了稳定性,如高效液相色谱法所示,并使用内部开发的基于colorimetric染料的分析评估了残留物质的反应性;这两种技术都显示出非常低的固有降解和反应水平,与阳极氧化和部分(热)氧化pSi通常观察到的情况形成鲜明对比。药物降解机制和残留反应性的来源在pSi文中基本上没有定义,尽管残留氢化物种类和氧化后再形成可能很重要。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开