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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用臭氧磷酸水清洗太阳能电池薄片的研究

时间: 2021-11-15
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用臭氧磷酸水清洗太阳能电池薄片的研究

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引言

随着可再生能源推广扩大政策,太阳能电池用硅片的产量正在增加。太阳能电池用硅片是半导体用硅晶片生产技术的结合,彼此有相似之处,但太阳能电池领域有其特殊性。硅太阳能电池制作过程中出现的问题有物理和化学方面。就理性问题而言,太阳能电池硅晶片的厚度比半导体用晶片薄,制造过程中可能会出现裂纹的发生或损坏,化学方面的门零点与制造过程中使用的化学物质存在反反应和固化引起的化学物质残留。太阳能电池用硅片同时制造单晶和多晶,考虑到制造成本,对工艺污染度处理得比较宽容。太阳能电池领域的工艺污染结果是,被统称为stain的晶片表面的变质和阻碍纹理的物质残留被区分为主要污染。

本方法考虑到太阳能电池用硅片制作工艺的特点,通过对硅片清洗和表面污染源的清除,研究了亲环境、便宜、有效的清洗机制。

 

实验和分析

微细粒子清洗实验:我们首先将臭氧功能水产生的实验装置作为硅片的无机物清洗配合使用,可以替代臭氧功能水的晶片清洗过程。晶片暴露在普通大气中数天后污染后,作为污染源,对有机物、无机物、金属等成分没有区分,清洗实验前后的微粒总数,分析了清洗性能。此时,在臭氧浓度分别为20 ppm和30 ppm的清洗槽中对晶片进行了3分钟的清洗后,确认了晶片表面的微粒清洗程度。清洗前后的微进尺测量是用装有可见光及紫外线光源的光学显微镜观察并判读的。图6的顶部是以可见光为光源拍摄的照片,底部是为了提高可读性而使用紫外线光源拍摄的照片。通过本实验,可以确认有机物和无机物复合污染状态下臭氧溶解功能水具有的清洗效果。表2以紫外线读数为基准,显示了每平方面积清洗前后的微粒去除率,在20 ppm时为85%,在30 ppm时为94%左右。因此,如果增加臭氧的浓度和清洗时间,可以期待更好的结果。

 用臭氧磷酸水清洗太阳能电池薄片的研究

6 30ppm臭氧水对细颗粒的洗脱结果(a)洗脱前、(b)洗脱后

臭氧气体去除有机物的可行性实验:试验了包括洗涤液或表面活性剂(surfactant)在内的使用的洗涤水对臭氧的反应。由于用于制造太阳能电池晶片的洗涤水内的残留物被推测为晶片表面污染源,因此本方法旨在测试利用臭氧洗涤水去除晶片表面残留物(即洗涤液或表面活性剂成分)的可能性。为了本方法,通过国内制造商获得了晶片制造过程中实际使用的洗涤水。使用的洗涤水看起来是无色透明的,所含成分据说是洗涤液、表面活性剂、溶剂(solvent)和超纯水的混合物。因此,使用UV光谱法的水质分析仪测量了洗涤水内有机物的总量。使用测量仪对洗涤水内有机物的总量在臭氧反应前后进行比较分析后,观测到太阳能电池洗涤水的臭氧反应性是如图7所示,洗涤水内存在的油气成分变化。因此,认为臭氧水对清洗液的去除和清洗是可能的。表3显示了测量结果,与臭氧反应前相比,反应后,TSS、COD、BOD、TOC等所有数据都被选中。

 用臭氧磷酸水清洗太阳能电池薄片的研究

3 臭氧气体对有机物的去除效果

太阳能电池晶片清洗:8是电子显微镜(SEM)照片,该照片对固定在太阳能电池用晶片表面的硬脂酸物质放大了5000倍。太阳能电池晶片工艺中产生的硬脂酸污染被认为是浆料物质中存在的有机物和无机物的异常固化现象,因此本方法将发生硬脂酸的太阳能电池用晶片浸入洗涤池中,进行了吴尊水直接清洗试验。晶片表面产生的硬脂酸污染的臭氧水清洗,使每个晶片浸在清洗组中1/2,进行了实验,以便将清洗部分和非洗部分进行比较。有机物和无机物复合固着形式的硬脂酸会延长时间。

由于干燥和固化,样品晶片的保管过程中进行了大部分固化。尽管如此,实验结果表明,如图9所示,通过清洗,单晶晶片上存在的硬脂酸可以很好地去除。图10是对太阳能电池用多结晶圆片的实验结果,利用自动检测设备进行了观察和测量。实验结果如图(a)所示,大部分斯坦都被很好地去除了,但如图(b)所示,也能发现偶尔没有去除的情况。这不仅表明,在工程完成后的相当长时间内,这些晶片已经硬化。 据分析,多晶晶片是由于晶向不定,颗粒间的边界(boundary)面存在使得污染物的表面粘附力更强而出现的现象。在实际量产工程中,如果在未进行硬化的情况下使用臭氧功能水进行清洁,则认为不会发生这种情况。

 用臭氧磷酸水清洗太阳能电池薄片的研究

10 多晶硅片表面斯特恩清洗结果(a)清洁良好(b)清洁不良

总结

通过本方法,分别实现了高浓度臭氧发生装置、高浓度OJON溶解功能水制造装置、高效臭氧分解装置,然后利用它们组成了臭氧功能水清洗场值。臭氧发生器是使用改进了一般平板放电房间式的基因组涂层结构电极的无性放电型臭氧发生器,可以提高臭氧发生效率,产生高浓度臭氧。通过实验纹理和获得约14%的高浓度臭氧气体,与此相比,得到了2倍以上的高浓度臭氧发生研究结果。

为了生成功能水,臭氧和超纯水的接触方法也摆脱了气区的简单接触方式,应用了微气泡化多次重复的结构,通过微气泡化和停留时间增加而产生的气泡大小变小,臭氧容易溶于纯水,臭氧容存率和利用率上升。用该方法进行的实验结果表明,获得了100 ppm/L以上的高浓度臭氧功能水,比传统方法提高了1.5倍以上。

通过本方法将臭氧水应用于太阳能电池用硅晶片的制作工艺中,清洁工艺中去除了94%以上的无机物(微入口者),残留有机物进一步去除了45%,从而确认了臭氧清洁工艺的适用性。但是,虽然对产品质量没有太大影响,但由于外观原因影响产品价格的硬脂酸污染的去除实验中,长期搁置的部分多晶硅晶片也没有被去除,但研究结果表明,在硅锭的硅片工艺中立即应用臭氧水清洗工艺,可以更有效地去除硬脂酸污染。


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