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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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单晶硅片的加工

时间: 2021-11-26
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单晶硅片的加工

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引言

为了实现微粒子的x射线荧光分析(XRF),需要单色色的x射线化和聚焦。作为一种器件,有一种具有双曲率和单色聚焦x射线。但是,它要求晶体的表面没有缺陷。作为制备双弯曲晶体材料的硅单晶的方法,我们提出了采用化学反应的数控局部湿蚀刻(NC-LWE)。本文报道了NC-LWE机对五轴硅单晶的加工性能。

通过利用以SPring―8为代表的大型放射光设施的X射线, 虽然得到了较高的空间分辨率, 必须将测量试料带入设施, 不能发挥迅速、简便的优点,为了发挥这一优点, 希望在研究室水平开发具有亚微米级空间分解能的微小部分荧光X射线分析装置。因此,本文提出了数控局部湿蚀刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作为其加工法2)。本加工法的特征是,通过双重结构的加工喷嘴头供给蚀刻剂。加工成厚度为30µm的圆筒状,之后,对于曲率半径R,2Rsin2円的台座,研究了双重弯曲,使之粘结的2阶段的程序。

 

实验

NC-LWE中硅的加工特性:为了通过LWE进行NC加工, 通过对目标去除形状和单位加工痕迹形状进行反卷积模拟, 有必要求出加工喷嘴头的停留时间分布,因此,首先, 采用吸口径φ5mm的加工喷嘴头获取单位加工痕迹, 测定了其形状。测定中, 使用了扫描型白色显微干涉仪(ZYGO公司制造New View 200CHR)。

单位加工痕迹的整体情况如图1(a)所示。 断面形状如图1(b)所示, 加工条件如表1所示。单位加工痕迹的形状为 吸引口附近加工量较多, 在供应端口附近,加工量已经减少。 如果停留时间和加工量的关系具有线形性以及再现性, 我们认为高精度的形状创建是可能的。因此, 为了评价加工量的扫描速度依赖性, 以50~500mm/min的扫描速度进行了线加工。

单晶硅片的加工  

1单位加工痕的形状和截面形状

2显示了在各扫描速度下,1次扫描形成的加工沟的最大深度和扫描速度的倒数的关系。图2的直线累计图1的单位加工痕迹的加工量,求出了线加工时的理想加工速度的扫描速度依赖性。另外,还记录了与该直线的加工量的比。据此,扫描速度快,即停留时间短的话,加工量比低扫描速度时要低。可以认为这是因为硅和氟硝酸的反应系存在诱导期间3)。另外,通过与从单位加工痕迹求出的理想加工量进行比较,为了将误差控制在10%以内,以200mm/min以下的扫描速度进行数值控制

单晶硅片的加工  

3 加工速度的经时变化

为了提高形状精度, 加工速度在NC加工中有必要维持一定。因此,调查了加工速度的经时变化。图3显示了每15分钟追加10g HF(50wt%)的情况和没有追加时的加工速度的变化率和经过时间的关系。横轴的经过时间,在装置内开始蚀刻剂循环时为0,另外,纵轴表示加工开始时的加工速度为1时的加工速度的变化率。没有追加HF时,加工开始2小时后加工速度降低到初始值的约60%。这是因为蚀刻剂的温度通过恒温槽维持一定,但由成分随着蒸发和消耗而发生变化,所以加工速度降低了。

在利用布拉格衍射的分光结晶中, 晶面的倾斜与衍射强度的降低相关联。因此,利用NC―LWE将Si薄板加工成圆筒状的同时,也进行晶面倾斜的修正。在进行NC加工之前,根据目标去除形状和单位加工痕迹形状,有必要进行求得加工喷嘴头的停留时间分布的模拟实验。目标去除形状由根据摇摆曲线测定法求得的,用于晶面倾斜修正的加工量和将薄板加工成凸状、凹状所需的加工量,以及最终的Si厚度调整的加工量(偏移量)决定。该目标去除形状如图4所示。模拟实验的条件根据上一节的结果将最高扫描速度设定为200mm/min.另外,关于加工速度的稳定性,从加工开始2小时在±10%之间。

为了得到保障,关于加工量多、总加工时间约为4小时的凹面加工,采用了2批加工。凸面、凹面的进给螺距均为0.3 mm.

5显示了利用NC―LWE将Si薄板加工成圆筒状时的加工后形状误差的模拟结果。凸面为p―v 38nm,凹面为p―v 94nm.作为约翰森型分光结晶的形状误差是由NC―LWE的Si的加工精度、台座的加工精度、与台座的粘接技术等复合因素决定的。

 

讨论和总结

为了进行约翰森型分光结晶的加工,调查了硅的加工特性。首先,使用吸引口径φ5mm的加工喷嘴头取得了单位加工痕迹。NC加工时的扫描速度,几乎看不到诱导期间,知道了扫描速度的倒数,即蚀刻剂的停留时间和加工量成比例的200mm/min以下就可以了。

另外,加工速度的经时变化,通过每15分钟追加10g HF(50wt%),在2个小时内可以控制在初期状态的±10%以内。根据这些结果进行了加工模拟。

今后,预定以此次得到的模拟结果为基础,将Si薄板加工成圆筒状,与台座粘合,使之弯曲,评价聚光特性。


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