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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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光通量对蚀刻液中硅激光刻槽加工的影响

时间: 2021-11-27
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光通量对蚀刻液中硅激光刻槽加工的影响

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引言

      本文研究了激光通量对光纤的氢氧化钾+过氧化氢蚀刻剂中单晶硅无碎片凹槽的影响。在固定扫描条件下,凹槽的深度随着通量的增加而增大,但当通量为2.9J/cm2及以上时,由于激光诱导冲击波引起的光纤振动,直槽加工困难。试图通过多次和慢扫描增强累积激光通量,使沟槽更深,将单脉冲通量限制在1.4或2.2J/cm2,以避免光纤振动。通过比较相同单脉冲通量下形成的沟槽深度,发现其深度随累积通量呈线性增加的趋势。另一方面,累积通量和单脉冲通量不同的凹槽深度相似,表明其深度与单脉冲通量呈非线性关系。

      我们探讨了通过将加工物设置在电动XY工作台上来展开槽加工的方法。 虽然可以进行无碎屑槽加工,但是槽深度不够,在能够实现深槽的例子中,槽底有严重的裂纹等,无法找出能够得到良好槽的加工条件6)。因此,在本研究中,以不产生裂纹等而得到深槽为目的,通过改变激光输出,调查了注量对加工速度等的影响。另外,由于在前面的报告中,槽是通过单脉冲加工的单纯重叠而形成的,因此通过改变工件的扫描速度和扫描次数来增减累积的激光注量,调查了槽的深度相对于累积注量是否呈线形增减。

 

实验

      由于激光可以得到高峰输出,可以使用光纤,因此使用了Nd:YAG激光。波长为1064nm的该光源,脉冲宽度为6ns,重复频率为10Hz,脉冲比较短,重复频率较低。

      考虑到光纤可以传输高强度的光和可加工性,使用了芯径200μm,包层径220μm的阶跃指数多模型石英光纤。用#4000的砂纸对该光纤的端面垂直于光纤轴进行研磨,使通过聚光透镜的激光稍微散焦入射进行耦合。加工物的厚度为0.5。将mm的N型(100)硅片切割成7mm角左右,不进行清洗等处理,在购买的状态下使用。另外,将镜面作为表面进行加工。作为腐蚀液,使用了在硅的湿法过程中可以期待稳定除去的碱性腐蚀液,除去率比较高的KOH水溶液。但是,在KOH水溶液中,无论有无激光照射,硅都会被腐蚀,因此,通过进一步添加H2O2,在硅表面经常生成氧化膜,只在激光照射部进行选择性的除去。各自的浓度KOH为30mass%,H2O2为0.4 mass%,液温为室温。

      实验装置的模式图1所示。在纤维的出射侧,为了使端面垂直向下,用纤维保持器固定。硅表面和纤维端面的间隔为0.7 mm.另外,将腐蚀液放入离硅表面高2mm的位置,使纤维插入到1.3 mm的腐蚀液中。其理由是为了不受加工时产生的冲击引起的腐蚀液摇晃的影响,进行稳定的加工。将硅用螺丝固定在亚克力制容器的底面上。然后,将容器全部放置在XY自动工作台上,使其垂直移动,进行槽加工。固定扫描速度为10μm/s,扫描次数为1次,激光输出分别为10mW,20mW,30mW,40mW,50mW,激光输出分别为20mW,30mW,扫描速度为5μm/s,扫描次数进行了2次实验。作为评价方法,在断面形状测定中使用了激光显微镜,在沟的表面形状的观察中使用了SEM。

      图2在激光功率为20mW(a、b)、30mW(c、d)、40mW(e、f)、50mW(g、h)下处理的凹槽的SEM图像(左侧)和轮廓(右侧)改变激光输出时的SEM像及代表性截面形状如2所示。 30mW的单脉冲的能量密度分别为1.4, 2.2 J/cm2, 射束中心通过部分的累积能量密度为1.4×103。 计算为2.2×103 J/cm2.由于能量密度为1.5倍,沟深加深了一倍以上。另一方面,激光输出功率为40, 从50mW时的SEM像来看,不能进行直线状的槽加工,这可以认为是实验中观察到的纤维的摇晃的原因。作为摇晃的原因,可以认为是随着能量密度的增加,加工带来的冲击变大了。再从断面形状来看,是40, 50mW的情况下,能量密度分别为2.9, 虽然增加到3.6 J/cm2,但与20mW的情况相比,沟深没有出现大的变化。其次,在不产生光纤摇晃的范围内的激光输出功率20, 在30mW下,将扫描速度设为5μm/s,将扫描次数设为2次,尝试增加累积的能量密度。

 光通量对蚀刻液中硅激光刻槽加工的影响

3

      图3在激光功率为20mW(a、b)、30mW(c、d)(扫描速度:5μm/s、2次扫描)时处理的凹槽的SEM图像(左侧)和轮廓(右侧)结果的SEM像以及代表性的截面形状如3所示SEM像相比,通过使扫描速度变小,使扫描次数变多,可以得到清晰且深的沟。另外,与各自相同输出的前结果相比,由于累积能量密度变为4倍,沟深度也大致增加了4倍左右。另一方面,将20mW的结果与30mW下进行1次扫描的结果相比,累积的能量密度大2.7倍,但两者的沟深度相同。

 

结果和讨论

      在固定扫描条件下,凹槽的深度随着通量的增加而增大,但当通量为2.9J/cm2及以上时,由于激光诱导冲击波引起的光纤振动,直槽加工困难。试图通过多次和慢扫描增强累积激光通量,使沟槽更深,将单脉冲通量限制在1.4或2.2J/cm2,以避免光纤振动。通过比较相同单脉冲通量下形成的沟槽深度,发现其深度随累积通量呈线性增加的趋势。另一方面,累积通量和单脉冲通量不同的凹槽深度相似,表明其深度与单脉冲通量呈非线性关系。

 

总结

      使用光纤将脉冲Nd:YAG激光照射到设置在蚀刻液中的硅晶圆上,进行沟加工。通过改变单脉冲以及累积的能量量,得到了以下的见解。(1)单脉冲的能量量过大的话,由于光纤的动摇,不能进行直线状的沟加工。(2)沟深度对于单脉冲的能量量是非线性增减的,对于单脉冲的能量量相同的情况,对于累积的能量量有线性增加的倾向。(3)为了得到深沟,在一定程度上减小单脉冲的能量量,减小扫描速度,增加扫描次数是有效的。


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