欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

湿法刻蚀对合成石英基板光掩模的应用

时间: 2021-11-30
点击次数: 22

湿法刻蚀对合成石英基板光掩模的应用

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

      在作为半导体光刻原版的光掩模中,近年来,与半导体晶圆一样,图案的微细化正在发展。 在半导体光刻中,通常使用1/4~1/5的缩小投影曝光,因此光掩模上的图案线宽是晶圆上线宽的4~5倍,虽然要求分辨率比半导体工艺宽松,但近年来,从边缘粗糙度、轮廓形状等角度来看,干蚀刻已成为主流。

      半导体用光掩模是对在合成石英基板上成膜的铬、氧化铬、氮化铬等铬系薄膜进行图案化的掩模,特别是在尖端光刻用掩模中,现状是从硝酸铈系的湿蚀刻剂加工,基本完成了向氯、氧系混合气体的等离子蚀刻加工的转移。

 

实验

      关于半导体光刻技术,在移位掩模技术中,多采用大小中最小间距的半数,在世代或技术节点上进行讨论。 到目前为止,为了实现更精细的技术节点,主要是通过光刻的短波长化来应对,但近年来,图案的精细化正在以超过短波长化的速度发展。

      如表1所示,从180nm技术节点开始,晶圆上的解像线宽变得低于曝光波长,在今天的90nm技术节点中,变得不到一半有吗? 另外,关于预定于2007年开始量产的65nm技术节点,也在继续开发193nm波长下的曝光,现状是要求形成波长1/3的线宽。

 湿法刻蚀对合成石英基板光掩模的应用

2

      图1、2简单表示各自的原理。 其中,半色调型除了使曝光光透过4%~20%左右并反转相位的半色调移相器膜代替铬遮光膜外,其掩模图案的设计、掩模制造方法等都与铬掩模相近。 因此,从图案尺寸与曝光波长相等或开始变小的250―180nm技术节点开始实用化。

      一般来说,对于曝光波长形成的线宽足够大,转印对比度充分的光刻,MEEF为1。 也就是说,掩模的尺寸误差只在缩小倍率部分小,反映在晶圆上的状态。 另一方面,当形成的线宽小于曝光波长时,MEEF变大,有时达到2-3以上。 也就是说,转印对比度变小,掩模的微小尺寸误差被放大,成为晶片尺寸的误差。 因此,尖端光刻对掩模尺寸精度的要求加速增加,成为使掩模制造变得困难、成本上升的一个主要原因。

      图3显示的是,对于铬掩膜和半色调型·Levenson型的各PSM,对波长:193nm的65nm技术节点的MEEF进行模拟的结果。 

      为了避免这种侧壁效应,提出了各种各样的提案,图5显示了具有代表性的三种方法。 第一个方法是图5(a)所示的底切法,是使基板挖入的侧壁后退,使其位于遮光铬正下方的方法。 该结构的特征是铬呈屋檐状突出,成为问题的侧壁隐藏在铬遮光膜下,因此,挖入部分的曝光光不会降低,挖入部分和非挖入部分的透过光量也不会有差异。 一般来说,该结构的屋檐强度较弱,在面罩清洗工序等过程中,虽然存在因物理冲击导致屋檐折断的危险性,但如果能使侧壁充分后退,在原理上是最有效的方法。

      第二种方法如图5(b)所示,是通过抵消挖入部分和非挖入部分的透过率差,对掩模数据的开口部分尺寸进行偏置的方法。 该方法需要返回到掩码数据制作阶段的对应,有时需要复杂的数据处理。 因此,仅在面罩制造水平上的对应是困难的,设计者·面罩订购者的协助是不可缺少的。

      第三种方法是图5(c)所示的双沟槽法。 这是以减少非挖入部分的透过光量为目的,在将非挖入部分·挖入部分的透过光间的相位差维持在180度的情况下,将两部分追加挖掘特定深度的方法。 但是,遗憾的是,已知该方法依赖于图案形状(节距·开口部尺寸等),需要调整挖入深度。 因此,有必要对每个设计的深度进行最优化,当各种设计混合在掩模上时,有时无法对所有的图案进行理想的解像。 因此,双沟槽目前只停留在特定的器件上。

      在不加入底切的状态下,预计约28nm的尺寸差通过加入底切而变小,在140nm左右的底切中,转录尺寸差消失。 该底切的宽度根据光刻的条件和图案布局而变化,大约在100nm到150nm左右。 但是,对于65nm技术节点,可以设想掩模上的最小铬线宽为200―260nm左右。 在这种情况下,由于屋檐的强度问题,可能会出现难以加入上述100―150nm的底切的情况。 现在,掩膜厂商和掩膜用户之间,为了减少底切量,开始研究在图案数据的间隔宽度上加入偏差。 这是从掩模制造的优越性出发,延长底切结构的寿命,通过底切结构(图5(a))和尺寸偏差(图5(b))的融合来应对的想法。 在下一章以后,将对底切结构在掩模制造观点上的优越性进行说明。

      关于光掩模,由于其原版的性质,具有不允许转弯缺陷的特征。 当然,构建不发生缺陷的掩模制造工序是最重要的,但考虑到成本方面,特别是尖端的光掩模,在发生缺陷时,通过修正缺陷部分,实现了无缺陷化。但是,在光掩模中发生的图案缺陷大致可分为白色缺陷和黑色缺陷。 前者是本来应该有图案的地方的遮光膜欠缺时的缺陷,另外,后者是本来应该是透过部的地方残留遮光膜时的缺陷。

      各向同性蚀刻的湿法蚀刻产生缺陷的概率降低。 即使被加工表面被微小的剩余异物覆盖,蚀刻剂也会绕到,导致缺陷。这是不可能的。 另外,在我们采用的干法蚀刻后进行湿法蚀刻的方法中,还具有使干法蚀刻形成的微小玻璃缺陷不受湿法蚀刻的影响的优点。 因此,很大程度上抑制了难以修正的缺陷的发生。对于挖入玻璃类型的Levenson型相移掩模,蚀刻没有终点是其最大的特征。

      此外,目前,为了满足相位差规格,在Levenson型相移掩模的蚀刻方面,出现了不是一下子进行规定的蚀刻,而是中途从蚀刻装置中取出一次,测量当时的蚀刻深度后,以计算出的蚀刻速率进行追加蚀刻的情况。 另外,在180度前暂时停止蚀刻,一点一点地反复追加,达到所希望的深度采取这样的方法。 在这种情况下,从追加蚀刻的稳定性等方面来看,湿法蚀刻是有利的,能够实现更高精度的相位差控制(中心值控制)。

 

结果和讨论

      总结本文介绍了半导体光掩模中,湿蚀刻技术不可或缺的Levenson型相移掩模的现状。 结合湿法蚀刻的各向同性和干法蚀刻的各向异性,对于此前在平面上发挥功能的光掩模,导入立体结构,实现了能够延长光刻寿命的掩模。 目前,这种结构的Levenson型相移掩模已经在量产水平上用于部分用户的特定器件,对于65nm技术节点,其适用范围将会扩大。


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开