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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用乙酰丙酮蚀刻氧化锌薄膜

时间: 2021-12-01
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用乙酰丙酮蚀刻氧化锌薄膜

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引言

氧化锌(ZnO) 压敏电阻, 电子照相感光剂 不仅仅是作为气体传感器等的电子陶瓷材料, 其C轴取向膜, 表面弹性波元件等1)的音响装置, 也可用于光波导等2)的光学器件。另外, 通过掺杂Al等3价元素,有望应用于透明导电膜。当薄膜作为半导体及透明电极材料使用时, 微细加工是必不可少的, 一般进行蚀刻。蚀刻有干法蚀刻3)和湿法蚀刻2种。干法蚀刻的方法是通过溅射进行物理蚀刻。 通过等离子中生成的激发活性物质进行化学蚀刻,这种蚀刻法是目前半导体加工的主流。 根据缺乏挥发性的物质的不同,也存在不可能进行蚀刻的情况。

因此,在本报告中,我们注意到ZnO与乙酰丙酮的反应,尝试了用有机溶剂的蚀刻。另外,从蚀刻速度和温度的倒数中,可以求出蚀刻的活化能,由于活化能是绝对量,因此被认为是可以相互比较的ZnO膜的新的评价方法。另外,不仅可以用乙酰丙酮蚀刻可以在多方面利用的氧化锌膜,而且可以从蚀刻处理液中回收作为CVD用原料的乙酰丙酮锌,可以实现对地球环境友好的再循环。

 

实验

ZnO膜的合成中,使用了不使用真空装置的开放型热CVD装置5)和R.F.磁控溅射装置(日电阿内尔瓦制造,SPF―332)。作为制作膜的评价,使用触针式表面粗糙度形状测量机(东京精密,Surfcom 550A)测量膜厚,求出膜的减量。另外,表面组织用扫描电子显微镜(JEOL; 通过JSM,T―300)进行了观察蚀刻装置如图1所示。

用乙酰丙酮蚀刻氧化锌薄膜 

1蚀刻装置的工艺示意图

蚀刻溶液是相对于乙酰丙酮(2,4―pentandione)40vol%甲醇60vOl%的混合溶液,溶液温度保持在30,45,60℃。蚀刻是在保持一定温度的烧瓶内的蚀刻溶液中浸泡Si基板上的ZnO膜,进行一定时间的麦格栅用Netic搅拌器一边搅拌一边进行蚀刻后,取出用甲醇清洗,用干燥器干燥,进行评价。

 用乙酰丙酮蚀刻氧化锌薄膜

2

2、图3为乙酰丙酮锌的气化温度125℃; 在基板温度550℃下通过常压热CVD法合成的膜(膜厚: 分别显示了~1μm)的蚀刻深度的时间依赖性图表和蚀刻液温度45℃下的SEM照片。各温度的图表显示了良好的直线性。 观察到液体温度越高,蚀刻速度越高。蚀刻前的表面是比较粗大的颗粒集合体。 可以观察到颗粒之间的空隙。如果试着蚀刻这个膜的话, 最初,颗粒的形状变化不大, 逐渐从表面的空隙附近等开始溶于乙酰丙酮, 可以看出,膜表面整体几乎是平均溶解的。在本实验中, 因为搅拌了蚀刻液,所以在氧化锌膜表面生成的乙酰丙酮锌会迅速溶解在蚀刻液中。 ZnO膜的蚀刻被认为是反应控制。因此, 可以认为图2的蚀刻图表显示了良好的直线性。如果进一步进行蚀刻, 观察到了很多凹部,根据以上结果, 可以推测ZnO膜的蚀刻是沿着包含许多晶粒间隙和晶界等结构缺陷的区域进行的。 对于CVD的ZnO膜, 当蚀刻液温度在45℃以上时,未发现蚀刻速度有显著性差异。 由于蚀刻不仅从表面蚀刻,而且从颗粒之间的间隙蚀刻,因此膜厚的减少量不再依赖于温度。

 用乙酰丙酮蚀刻氧化锌薄膜

4

使用R.F.磁控溅射装置成膜的ZnO膜(膜厚: ~1μm)的蚀刻深度的时间依存性图表和蚀刻液温度45℃下的SEM照片分别如图4、图5所示。蚀刻深度的时间依存性图表显示了良好的直线性。在蚀刻240分钟后的膜表面上确认了无数的凹部,并且蚀刻480分钟后的膜表面的颗粒与蚀刻240分钟后的颗粒相比变小,可以认为这是由于颗粒从表面开始被蚀刻变小的缘故。

用溅射法和常压热CVD法成膜的膜的各蚀刻处理温度的倒数和当时测量的蚀刻速度的阿伦尼乌斯图如图6所示。

根据该图表的斜率算出的氧化锌膜的蚀刻的活性化能量,在溅射法中约为59kJ·mol-1.用CVD法制作的膜与用溅射法制作的膜不同,在图2中45℃以上的蚀刻速度没有出现大的变化,用直线近似的话误差很大,但是变成了45kJ·mol-1左右的活性化能量。关于这个理由,现在还不清楚,由于高温下的蚀刻结构发生了某种变化,所以表观上的活性化能量变低了。被认为是…在本研究的蚀刻中,ZnO和有机溶剂乙酰丙酮之间的反应如下所示。该反应实际用于金属络合物Zn(acac)2的合成6)。

因此,通过该反应,Zn作为Zn(acac)2溶解在蚀刻液中,如果将其回收,就有可能用于CVD的原料等。

 

讨论和总结

通过使用乙酰丙酮对常压热CVD法和R.F.磁控管喷射法得到的ZnO膜进行湿法蚀刻, 得到了以下结果:(1)R.F.磁控溅射法制作的膜的蚀刻深度的时间依存显示出良好的直线性。 我们了解到,蚀刻液温度越高,蚀刻速度越高。(2)R.F.磁控溅射法制作的膜的蚀刻速度与CVD法制作的膜相比较慢。这是因为R.F.磁控溅射法制作的膜表面没有空隙,具有致密的结构。(3)蚀刻的活性化能量在磁控溅射法中约为59kJ·mol-1,但是对于CVD法合成的膜,在实验温度范围内没有得到可靠性高的结果。(4)如上所述,我们了解到,基于乙酰丙酮的ZnO膜的蚀刻法作为可循环利用的蚀刻法是有希望的。



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