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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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光刻胶的化学性质

时间: 2021-12-04
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光刻胶的化学性质

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一般的光致抗蚀剂有各种各样的报告,但是与现在在第一线使用的光致抗蚀剂相比,还没有开发出特别优秀的光致抗蚀剂。另一方面,从使用方面来看,光致抗蚀剂的条件越来越严格。要得到满足所有这些条件的光致抗蚀剂是很困难的,在现状下,根据目的进行细节的改良并使用。光致抗蚀剂的种类、应用面有很多,下面就最近用于半导体·集成电路制作的光致抗蚀剂的化学性质及其周边进行解说。

半导体·集成电路以超高频晶体管高密度超高密度存储器为首,应用光刻法制作的工序也变得复杂化。首先,作为基本的掩模制作变得困难为了制作硬掩模,对光致抗蚀剂的条件当然也很严格。另外,晶圆工序中使用的光致抗蚀剂为了提高解像力,也要制作薄膜。 对于不产生漏孔、解像力、断片的提高、粘着力、显影性等,要求更加优越,要求更加具体和严格的条件。

除了以上的技术方面以外,石油产品的价格上涨还波及到光致抗蚀剂、其附属品、光伏工艺上的辅助材料的成本上升,除了这个的吸收对策以外,公害、防灾等的对策,或者IC自由化对策和周围都在朝着困难的方向发展,今后才是真正的关键时刻,我们也希望在光致抗蚀剂材料及其周围,虽然是微薄的力量,但也能起到一定的作用。

由于醌叠氮化物正型光致抗蚀剂可以容易地获得高分辨率,因此它将作为获得精细图案的有力手段被广泛使用。然而,在引入晶片工艺时,必须注意以下几点在微细图案的蚀刻中,今后等离子蚀刻、溅射蚀刻等干燥的方法将变得有利,使用的机会将会增加。包括显影液在内的光致抗蚀剂也希望是高纯度的。参照表2。

 光刻胶的化学性质

2

由于其他的性质与以往的其他光致抗蚀剂相比较优越,所以现在也得到了广泛的使用。因此,得到了4~5μ的光致抗蚀剂,为了符合变化的半导体·集成电路的制造工艺,不断地进行了品质的改良、稳定化等方面的努力,而且还得到了稳定的供给。例如,能够极力减少针孔,粘着力稳定化,配合等离子的利用进行了高纯度化,高解像力,稳定地得到了良好的光致抗蚀剂。即使在铝表面也能够提供比较好的光致抗蚀剂。由于这些原因,产品的成品率也可以稳定地维持在较高的水平。 另一方面,进行了与光处理相一致的自动化装置、特殊装置的开发,这对用户来说也是有利的。纯度高,酯化度几乎为100%,接近纯品因为接近纯品,所以解像力特别高,因为有可塑性,所以粘着力优秀。曝光时的氧的影响少,显影特性好等,可以说是与以往品相比非常优秀的负型光刻胶。

具有肉桂酸单元的光聚合物是通过使乙烯、苯酚或异丙烯基苯酚与肉桂酸或β-苯乙烯基丙烯酸反应获得的单体通过阳离子聚合仅与乙烯基反应而获得的将氧苯基苯乙烯基酮二盐、氧苯基苯乙烯基β一乙烯基酮盐等与氯乙基乙烯基醚反应得到的单体进行与7.2.2相同的聚合,作为光聚合物。

这样虽然得到了各种各样的单体,但是都是通过阳离子聚合法,只反应末端的乙烯基,感光基的硅酸基完全没有变化。

通常,从获得原料的角度来看,市场上销售的一些产品是由皮酸和氯乙基乙烯基醚制成的。例如,OSR(东京应化)如下所示。由于长波长侧的灵敏度较低,与进行增感。通常的聚硅酸乙烯酯同样,硝基化合物,酮类,醌类。蒽酮类有效果。与聚硅酸乙烯酯在相同条件下进行增感的话,可以得到近2倍的灵敏度。

光刻胶的化学性质

4

4聚β-单皮酸偏二氧基乙酯类光致抗蚀剂的分析实例。使用方法与聚硅酸乙烯酯(例如KPR,TP R)相同。光交联如下所示,与KPR,TPR相同,

负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂都是在(1)H202+H2SO·,(2)热H2SO4,(3)(NH4)2Cr207+H2SO4等无机化学物质中溶解剥离的。正性光致抗蚀剂在光照、照射后或原样,在稍浓的碱中溶解剥离。但是,在Si中有碱金属污染的担忧的情况下无机化学物质溶解金属,因此有不能使用的工序。此时,使用卤素溶剂、表面活性剂和由苯酚等组成的有机化学物质。上述使用药品的物品(1)在处理上有危险,(2)使用昂贵的药品,并且废液的处理很麻烦。(3)由于药品剥离后使用大量的有机溶剂进行洗涤,因此从石油化学产品的价格上涨的角度来看也是不利的。另一方面,正性抗蚀剂中容易溶于温水且可回收的剥离液已上市销售这一点适用于避免使用等离子的工艺。

半导体、集成电路的超高密度化被积极地应用于今后的开发中,因此越来越需要亚微米的加工。 对此,如果有至今为止的深刻经验的话,暂时具有经济性的光电过程通过使用(包括剥离),几乎可以实现目标。为此,我们希望进一步致力于高质量,高精度和高稳定性的光致抗蚀剂,特别是正型抗蚀剂和OSR型负型抗蚀剂,并且开发能够熟练使用它们的外围设备也是同样重要的。在此之前的微细加工中,我们认为将正式采用电子束光刻胶、X射线光刻胶等。


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