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一般的光致抗蚀剂有各种各样的报告，但是与现在在第一线使用的光致抗蚀剂相比，还没有开发出特别优秀的光致抗蚀剂。另一方面，从使用方面来看，光致抗蚀剂的条件越来越严格。要得到满足所有这些条件的光致抗蚀剂是很困难的，在现状下，根据目的进行细节的改良并使用。光致抗蚀剂的种类、应用面有很多，下面就最近用于半导体·集成电路制作的光致抗蚀剂的化学性质及其周边进行解说。
半导体·集成电路以超高频晶体管、高密度、超高密度存储器为首，应用光刻法制作的工序也变得复杂化。首先，作为基本的掩模制作变得困难，为了制作硬掩模，对光致抗蚀剂的条件当然也很严格。另外，晶圆工序中使用的光致抗蚀剂为了提高解像力，也要制作薄膜。 对于不产生漏孔、解像力、断片的提高、粘着力、显影性等，要求更加优越，要求更加具体和严格的条件。
除了以上的技术方面以外，石油产品的价格上涨还波及到光致抗蚀剂、其附属品、光伏工艺上的辅助材料的成本上升，除了这个的吸收对策以外，公害、防灾等的对策，或者IC自由化对策和周围都在朝着困难的方向发展，今后才是真正的关键时刻，我们也希望在光致抗蚀剂材料及其周围，虽然是微薄的力量，但也能起到一定的作用。
由于醌叠氮化物正型光致抗蚀剂可以容易地获得高分辨率，因此它将作为获得精细图案的有力手段被广泛使用。然而，在引入晶片工艺时，必须注意以下几点：在微细图案的蚀刻中，今后等离子蚀刻、溅射蚀刻等干燥的方法将变得有利，使用的机会将会增加。包括显影液在内的光致抗蚀剂也希望是高纯度的。参照表2。
表2
由于其他的性质与以往的其他光致抗蚀剂相比较优越，所以现在也得到了广泛的使用。因此，得到了4～5μ的光致抗蚀剂，为了符合变化的半导体·集成电路的制造工艺，不断地进行了品质的改良、稳定化等方面的努力，而且还得到了稳定的供给。例如，能够极力减少针孔，粘着力稳定化，配合等离子的利用进行了高纯度化，高解像力，稳定地得到了良好的光致抗蚀剂。即使在铝表面也能够提供比较好的光致抗蚀剂。由于这些原因，产品的成品率也可以稳定地维持在较高的水平。 另一方面，进行了与光处理相一致的自动化装置、特殊装置的开发，这对用户来说也是有利的。纯度高，酯化度几乎为100%，接近纯品，因为接近纯品，所以解像力特别高，因为有可塑性，所以粘着力优秀。曝光时的氧的影响少，显影特性好等，可以说是与以往品相比非常优秀的负型光刻胶。
具有肉桂酸单元的光聚合物是通过使乙烯、苯酚或异丙烯基苯酚与肉桂酸或β-苯乙烯基丙烯酸反应获得的单体通过阳离子聚合仅与乙烯基反应而获得的。将氧苯基苯乙烯基酮二盐、氧苯基苯乙烯基β一乙烯基酮盐等与氯乙基乙烯基醚反应得到的单体进行与7.2.2相同的聚合，作为光聚合物。
这样虽然得到了各种各样的单体，但是都是通过阳离子聚合法，只反应末端的乙烯基，感光基的硅酸基完全没有变化。
通常，从获得原料的角度来看，市场上销售的一些产品是由皮酸和氯乙基乙烯基醚制成的。例如，OSR（东京应化）如下所示。由于长波长侧的灵敏度较低，与进行增感。通常的聚硅酸乙烯酯同样，硝基化合物，酮类，醌类。蒽酮类有效果。与聚硅酸乙烯酯在相同条件下进行增感的话，可以得到近2倍的灵敏度。
表4
表4聚β-单皮酸偏二氧基乙酯类光致抗蚀剂的分析实例。使用方法与聚硅酸乙烯酯（例如KPR，TP R）相同。光交联如下所示，与KPR，TPR相同，
负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂都是在（1）H202+H2SO·，（2）热H2SO4，（3）（NH4）2Cr207+H2SO4等无机化学物质中溶解剥离的。正性光致抗蚀剂在光照、照射后或原样，在稍浓的碱中溶解剥离。但是，在Si中有碱金属污染的担忧的情况下，无机化学物质溶解金属，因此有不能使用的工序。此时，使用卤素溶剂、表面活性剂和由苯酚等组成的有机化学物质。上述使用药品的物品（1）在处理上有危险，（2）使用昂贵的药品，并且废液的处理很麻烦。（3）由于药品剥离后使用大量的有机溶剂进行洗涤，因此从石油化学产品的价格上涨的角度来看也是不利的。另一方面，正性抗蚀剂中容易溶于温水且可回收的剥离液已上市销售，这一点适用于避免使用等离子的工艺。
半导体、集成电路的超高密度化被积极地应用于今后的开发中，因此越来越需要亚微米的加工。 对此，如果有至今为止的深刻经验的话，暂时具有经济性的光电过程，通过使用（包括剥离），几乎可以实现目标。为此，我们希望进一步致力于高质量，高精度和高稳定性的光致抗蚀剂，特别是正型抗蚀剂和OSR型负型抗蚀剂，并且开发能够熟练使用它们的外围设备也是同样重要的。在此之前的微细加工中，我们认为将正式采用电子束光刻胶、X射线光刻胶等。