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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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晶圆清洗与氧化物蚀刻的特性研究

时间: 2021-12-11
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晶圆清洗与氧化物蚀刻的特性研究

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引言

本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用新的氧化物选择性模式,概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。

 

实验

1显示了本工作中使用的反应器的示意图;该反应器由一个惰性碳化硅反应室和两个装有适当溶液的加热汽化器组成,通过使受控量的氮气载气通过汽化器来输送蒸汽,该室没有被加热,并且处理压力保持在350托。为了进行电学表征,在掺硼多晶硅上制备了具有450纳米掺杂栅的LOCOS隔离MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅衬底,12纳米的栅氧化层是在900℃的干燥氧气环境中生长的,电容器既没有接受氧化后惰性环境,也没有接受金属化后形成气体退火。

 

结果与讨论

通过气相高频氧化物蚀刻,可以实现孵育时间和不同模式的蚀刻选择性。硅的各种氧化物和氮化物的蚀刻速率列于表1。与高频水溶液一样,气相等效物对不同的硅氧化物表现出不同的蚀刻速率,从而产生了蚀刻选择性蚀刻速率从热生长到沉积氧化物,从未掺杂到掺杂氧化物增加。虽然氮化硅的低蚀刻速率使其成为硅氧化物的合适蚀刻掩模,但需要注意的是,气相HF与水对应物一样,产生各向同性蚀刻。

气相和水相高频之间有明显的区别。如表1所示,蚀刻发生的时间存在于蚀刻过程的开始这种孵育时间与在晶片表面形成薄的水膜所需的时间有关不同氧化物的孵育时间不同,从而产生了第二种蚀刻选择性,如图所示2在热氧化物孵育时间内的时间间隔8t内,PSG的非零蚀刻速率意味着PSG对热氧化物蚀刻的选择性是无限。这种现象的一个特殊应用是选择性地从含有热氧化物的介电材料堆中去除掺杂氧化物通过进行多个由抽送/解吸步骤分离的多步骤蚀刻过程,可以进一步增加无限选择性的持续时间。对于给定的氧化物,孵育时间和蚀刻速率都受HF蒸汽注入速率和H=O蒸汽注入量的影响,分别由氮载气通过HF和H20蒸发器的流动控制。

 晶圆清洗与氧化物蚀刻的特性研究

2

对于热生长的氧化物,蚀刻速率随着氮载气通过高频汽化器的流量的减小而减小。为了区分长孵育时间和短孵育时间和可忽略的蚀刻速率的可能组合,设计了一个连续的多步蚀刻过程来表征减少氮载气流量下的热氧化物蚀刻速率结果汇总如图所示3第一步包括10秒的蚀刻,氮气以15升/分钟的速度流动接下来的步骤是氮气的流量减少,而通过注入额外的纯氮气,通过蚀气室的总流量保持在15升/分钟第一步是凝聚态膜的形成。因此,第二步的有效孵化时间基本上为零。在第一步和向第二步的过渡期间,蚀刻时间略小于60nm。当氮载气流速为5l/min时,使用该技术测量的蚀刻速率为3.2nm/s,而在流量上升时基本上没有观察到蚀刻

 晶圆清洗与氧化物蚀刻的特性研究

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由于孵育时间等同于水膜的形成时间,因此在较低流速下较长的孵育时间可以通过伴随降低的H20蒸汽分压降低来理解进一步验证了孵育时间对H20蒸汽分压的依赖性对于掺杂的氧化物薄膜,蚀刻速率进一步受到与薄膜致密化过程相关的热处理的影响。除了在氮气环境下在850~下退火20min的薄膜外,致密化实际上导致了更多的氧化物蚀刻,要么是由于更快的蚀刻速率,要么是由于减少了孵育时间。未致敏膜的蚀刻速率和在850~下退火的膜的蚀刻速率相当,而致敏膜的孵育时间略高于沉积膜的两倍。研究发现,即使HF和H20注射量保持不变,HClinjection.--The注射HC1的影响也会显著影响气相氧化物蚀刻特性蚀刻速率和孵育时间均随着HC1注射量的增加而增加。

根据表面conditioning--Besides的依赖性,蚀刻速率对形成方法和氧化膜掺杂的依赖性,孵育时间的存在带来了另一个工艺参数,该参数的变化必须仔细研究。

当使用气相高频蚀刻天然或化学氧化物时,可以消除冲洗和干燥晶片的需要当用气相高频代替水相高频时,天然氧化物脱胶的粒子性能。需要指出的是,同时使用相同的高频源来产生水溶液和蒸汽。至于重金属镀层,由于与蒸气产生相关的额外蒸馏,在天然氧化物的气相高频蚀刻过程中,这种镀层也降低了。在将晶片分为三组不同的心衰处理前,对其进行常规的预氧化清洁处理。处理方法为水相(1%)高频、气相I-IF和气相高频,然后进行水冲洗。从水高频到汽相高频有改善的趋势,气相高频和水冲洗相结合的分布最好。经过4倍以上的改进,随时间变化的介电击穿数据当水相高频被气相高频取代时,其变化最为显著。

 

结果

对各种硅氧化物的气相高频蚀刻进行了广泛的表征,基于不同氧化物孵育时间变化的新工艺已经被开发出来,用于实际应用,如在同样含有热氧化物的图案堆叠中选择性去除PSG。用气相高压工艺取代传统的水高频工艺,不仅可以获得更好的清洁度,而且可以提高薄氧化物的电应力耐久性。


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