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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于 MEMS 应用的玻璃湿法蚀刻

时间: 2021-12-14
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用于 MEMS 应用的玻璃湿法蚀刻

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引言

本文讲述了现有的玻璃微加工技术,提出了改进湿法刻蚀技术的解决方案。玻璃湿法蚀刻工艺的基本要素,例如:玻璃成分的影响、蚀刻速率、掩模层中残余应力的影响,主要掩模材料的特性、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。听过对结果的分析我们提出了用于玻璃的深度湿法蚀刻的改进技术。除此之外本文还介绍了微机电系统技术的应用。

 

玻璃蚀刻技术

用于玻璃刻蚀的技术有三大类:机械,干法和湿法。机械干法玻璃刻蚀:略。

使用氢氟酸基溶液的湿法化学蚀刻仍然是低成本和有效的解决方案之一。掩膜层取决于应用和器件制造过程的“热预算”。有三大类掩蔽材料:光致抗蚀剂、金属和硅。光致抗蚀剂通常用作掩模层,但其应用范围有限(20-30米)。一种非常常用的掩模是铬/金,其中铬层用于提高金对玻璃的粘附力。铟铬/铜掩模被用于Pyrex玻璃的湿法蚀刻。另一种常用于玻璃蚀刻的材料是硅,使用不同的方法沉积:PECVD非晶硅、LPCVD非晶硅、LPCVD多晶硅、碳化硅,甚至阳极键合体硅。

 

玻璃成分的影响

目前有大量的玻璃,每一种都有不同的性质和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”,这些氧化物的组成和浓度赋予了主要的性质。因此,玻璃蚀刻的表征只能进行一般术语的分析。

玻璃的湿式蚀刻主要在HF基溶液中进行由于成分的不同,蚀刻速率也不同。图1给出了一个例子,其中三种不同的玻璃在HF49%溶液中湿蚀刻。可以观察到,只有康宁7740具有恒定的蚀刻速率,而另外两种玻璃的深度在时间上有抛物线变化。

 用于 MEMS 应用的玻璃湿法蚀刻

1不同玻璃的深度与蚀刻时间


刻蚀速率

深湿蚀刻玻璃的一个重要因素是蚀刻速率。在湿工艺的某些情况下,首选将蚀刻的选择性作为参数。在玻璃的湿蚀刻中,用作掩膜层的材料(硅和金)在HF基蚀刻剂中是惰性的,蚀刻过程受到掩膜层缺陷和蚀刻剂通过这些缺陷的限制。因此,玻璃的快速蚀刻速率将导致更深的蚀刻,而缺陷的产生将保持在相同的速率。

对于基于HF的蚀刻溶液,蚀刻速率由高频刻蚀剂的浓度决定。为了达到较高的蚀刻率,应使用49%的标准浓度。图2显示了高频浓度对康宁7740吡咯玻璃蚀刻速率的影响。需要注意的是,通过将高频浓度从40%提高到49%,刻蚀率可以迅速提高50-60%(未退火玻璃为4.4µm/min至7.6µm/min)。同时,蚀刻剂中面罩的电阻无明显差异。

退火过程对玻璃的蚀刻率有很大的影响。每一种玻璃都有其最佳的退火点。Pyrex玻璃晶片使用水平炉在n2环境下,在560◦C下退火6小时。对退火的影响也如图2所示。同时也有类似的变化,但当HF浓度从40%增加到49%时,蚀刻率从9.1µm/min增加到14.3µm/min。我们可以得出结论,退火是提高蚀刻速率的一个重要过程。对这种现象的一种解释是氧化物的再分配和浓度。

 用于 MEMS 应用的玻璃湿法蚀刻

2退火和未退火玻璃晶片的蚀刻速率与高频浓度相比

 

光刻胶掩膜层

光刻胶主要用于稀释的高频溶液中的二氧化硅蚀刻。在我们的实验中,我们使用了正光刻胶。在高浓度的高频溶液中,光刻胶掩模的质量很差。光刻时间约为3分钟(相当于在120◦C下硬刻25µm)。经过很长时间的蚀刻后,光刻胶掩模会脱落。该技术可用于需要高达20µm深的蚀刻的情况。

 

HF/HCl10/1溶液的掩膜层

用于玻璃湿式蚀刻的经典掩蔽层有光刻胶(AZ7220)、Cr/Au、PECVD非晶硅和LPCVD多晶硅。这些都在最佳溶液HF:盐酸10:1中进行了测试。光刻胶层的最大蚀刻时间为2.5分钟。对于其他层,没有注意到蚀刻剂中掩模的电阻的变化。

 

结论

高频溶液中玻璃湿法蚀刻的主要要素可归纳为:

 ·高频溶液中如氧化钙、氧化镁、Al2o3等玻璃成分中不溶性氧化物的存在对降低蚀刻速率(及时)和粗糙表面的产生有很强的影响。

 ·高频溶液的浓度对蚀刻速率起着重要的作用。

 ·玻璃的退火对湿法蚀刻过程有很大的影响。

 ·不建议将高频溶液加热到40-50◦C,也不建议使用超声搅拌,首先是安全性(高频气体量增加),其次是降低面罩的阻力。

 ·掩膜中的残余应力在缺陷的产生中起着重要的作用。

 ·最佳结果:使用a:Si/SiC/光刻胶掩模对1mm厚的晶片进行蚀刻。

 ·如果在溶液中加入盐酸,湿蚀过程产生的表面可以显著改善。盐酸的主要作用是去除不溶性产物。建立了吡玻璃和钠石灰玻璃的最佳比例为10:1。


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