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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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关于 GaN 需要了解的 10 件事

时间: 2021-12-16
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关于 GaN 需要了解的 10 件事

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宽带隙材料,例如氮化镓正在成为使电子性能更上一层楼的技术。与硅器件相比,基于GaN的电子元件具有许多重要优势,包括更紧凑的尺寸、更高的功率密度、更高的效率、更低的开关损耗和更好的热管理。这些因素对于 满足与高功率和高密度应用相关的日益严格的要求至关重要。



1.为什么GaN的宽带隙如此重要?

几十年来,大多数电力电子器件都是以硅为基础的,硅是一种可以低成本制造并且几乎没有缺陷的半导体。硅的理论性能现在几乎已经完全达到,突出了这种材料的一些限制,包括有限的电压阻断和有限的传热能力、效率和不可忽略的传导损耗。宽带隙(WBG)半导体,如氮化镓(氮化镓),提供优于硅的性能,如更高的效率和开关频率,更高的工作温度和更高的工作电压。

氮化镓的带隙为3.2电子伏(eV),比硅的带隙高出近3倍,等于1.1 eV。这意味着需要更多的能量来激发半导体导电带中的价电子。虽然这种特性限制了氮化镓在超低电压应用中的使用,但它具有允许更高击穿电压和更高温度下更高热稳定性的优势。GaN大大提高了功率转换级的效率,在高效电压转换器、功率MOSFETs和肖特基二极管的生产中成为硅的宝贵替代品。与硅相比,氮化镓可以获得重要的改进,例如更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。


2.GaN和SiC相似吗?

氮化镓和碳化硅都是宽带隙材料。虽然这些材料具有出色的性能,但它们的特性、应用和栅极驱动要求各不相同。碳化硅可以在高功率和超高压(650伏以上)应用中与IGBT晶体管竞争。同样,在电压高达650伏的电源应用中,氮化镓可以与当前的金属氧化物半导体场效应晶体管和超级结金属氧化物半导体场效应晶体管竞争。


3.耗尽模式和增强模式有何不同?

GaN晶体管的基本结构,称为d型或耗尽型,如图1上侧所示。源极(S)和漏极(D)电极穿过AlGaN上层,与下层形成欧姆接触,由二维电子气体(2DEG)形成。源极和漏极之间的短路保持活跃,直到2DEG层释放的电子耗尽,之后氮化镓半绝缘层介入阻挡电流。为了实现这一点,栅电极(G)必须放置在AlGaN层的顶部。通常,栅电极由直接置于层表面的肖特基接触组成。通过向该电极施加负电压,肖特基势垒变成反向极化,有利于电子在下层的移动。因此,为了使器件处于关断状态,有必要对漏极和源极施加负电压。这种结构的主要缺点是它通常处于开启状态,在通电阶段给设计者带来潜在的问题。然而,d模式结构提供了与传统低压硅MOSFET具有相同栅极特性的重要优势,允许使用已经可用的MOSFET栅极驱动器。

在高功率应用中,使用增强型结构(e模式)。当没有栅极电压施加到电子甘晶体管(如图1的底侧所示)时,晶体管保持关断状态,没有电流流动。该器件由硅晶片制成,在硅晶片上沉积氮化镓异质结,当没有电压施加到栅极时,形成通常处于关断状态的器件。导电通道是通过在高强度氮化镓层上沉积一薄层氮化镓制成的。AlGaN和GaN之间的界面产生应变压电效应,形成高度可移动的二维电子气体(2DEG)。器件的上层由电介质和金属布线保护组成。如此获得的结构允许场效应晶体管通过向栅电极施加正电压而进入导通状态。

关于 GaN 需要了解的 10 件事 

1: GaN耗尽模式和增强模式结构

4.GaN如何在高频下工作?

氮化镓高电子迁移率晶体管在导通电阻和品质因数(FOM)方面都有很好的表现。根据额定电压和电流,品质因数可能比超结场效应晶体管低4到10倍。因此,氮化镓适用于高频操作。使用具有低RDS(开)值的GaN HEMT降低了传导损耗并提高了效率。


5.GaN有体二极管吗?

氮化镓HEMTs没有本征体二极管,因此反向恢复电荷为零。这些器件自然能够反向导通,并根据栅极电压具有不同的特性。在系统层面,反向传导能力可能比传统的IGBTs更具优势,因为不需要反并联二极管。

通过消除反向恢复损耗,氮化镓甚至可以在高开关频率下高效工作。例如,在连续导通模式下的无桥图腾柱功率因数校正(PFC)中,由于反向恢复损耗高,使用超结MOSFETs是不切实际的。如图2所示,通过使用氮化镓晶体管作为高频开关,反向恢复损耗被完全消除,相关的开关损耗显著降低。

关于 GaN 需要了解的 10 件事 

2

6.为什么GaN高击穿场是优势?  


7.对于射频应用,GaN的主要优势是什么?

氮化镓的电子迁移率为2000 cm2/Vs,比电子迁移率为1500 cm2/Vs的硅高得多。因此,氮化镓晶体中的电子移动速度比硅快30%以上。这一突出的特性使氮化镓在射频应用中具有重要优势,因为它可以处理比硅更高的开关频率。


8.GaN热导率低是个问题吗?

氮化镓的热导率比硅低(1.3 W/cmK对1.5 W/cmK)。然而,氮化镓的高效率有助于降低电路产生的热负载,这意味着它将在比硅更冷的温度下工作。这提供了更好的热管理,并避免了对外部散热器的需求。


9.GaN晶体管的dv/dt要求是什么? 

与硅相比,氮化镓支持更快的开关速率,因此需要更高的压摆率(100 V/ns或更高的dV/dt)。这有助于大幅降低开关损耗。


10.关闭氮化镓晶体管需要负电压吗? 



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