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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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黑硅光伏工艺

时间: 2021-12-20
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黑硅光伏工艺

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本文综述了黑硅的制备方法及其产生的形态,并对其光电特性进行了定量比较,为了进行定量比较,研究黑硅太阳能电池的不同小组合作进行了本研究,以光吸收和少数载流子寿命作为基准参数,讨论了等离子体蚀刻、化学蚀刻或激光加工过程中的差异,并与数值模型进行了比较

1四种常用的发黑方法的示意图。a显示了SF6和O2气氛中的感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICPRIE或短ICP)过程;b描述了HF和H2O2水溶液中基于Ag或Au催化剂颗粒的金属辅助湿化学蚀刻(MACE)过程;c显示了用于大孔硅(MacP-Si)制造的电化学蚀刻单元;d示意图,显示了fs激光处理硅表面(L-Si)的实验装置。所有的示意图都表明了在本工作中用于准备不同的表面形态的参数。

 黑硅光伏工艺

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黑硅的制造方法

本文综述了b-Si的四种主要制备方法:诱导耦合等离子体(ICP-RIE)、镁、Au催化剂、光电化学阳极化形成macP-Si、和飞秒(fs)激光脉冲(L-Si)照射表面。各种黑色蚀刻方法(图1)都导致宏观b-Si表面均匀,在整个硅吸收范围内具有相当低的反射率,然而,根据可用的工艺参数,微观或纳米结构有不同的形态

活性离子蚀刻法的黑硅(ICP-RIE):1b说明了硅表面的典型例子中的MACE原理。从HF/h2o2溶液中提取的h2o2(或其他氧化剂)通过消耗电子在金属表面被催化还原,消耗的电子通过金属/硅界面的硅价带转移在金属中恢复。因此,电子孔穴被注入到金属下方的半导体中。

本研究制备的b-Si结构采用ICPRIE在SF6和o2的气体混合物中进行单步蚀刻。根据压力和时间,形成了不同的b-Si形态。通过在含有次硝酸3等氧化剂的水氟醚磺酸水溶液中蚀刻硅而形成纳米结构在50多年前首次被描述这种特殊的硅蚀刻,在高稀释和一定的高频/氧化剂浓度范围内进行,通常被称为“染性蚀刻”(SE)。因此,MACE迅速获得普及,并被提出在光电领域的各种应用。

 黑硅光伏工艺

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为了比较不同b-Si技术在相似条件下的光学特性,我们与来自世界各地不同群体的这些技术进行了实验比较。除了b-Si制造步骤外,我们处理了所有类似的样品,并测量了它们的吸收为了进行比较,我们包括了两个理论限制:无光捕获的完美反反射体涂层和亚布洛诺维奇所讨论的兰伯特极限完美的反反射涂层的计算方法是忽略了样品表面入射光的第一次反射,而是考虑了后硅/空气界面的反射。如图6所示,有一个完美的ARC,但没有任何光捕获。最后,研究了不同fs激光结构样品的光学特性,黑色样品(L-Si黑色)显示出一个非常相似的特征,就像紫外线中的氢氧化钾纹理一样(图6)。

黑硅光伏工艺 

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黑硅光学特性的探讨

在不同的b-Si制备方法和结构中,所研究的b-Si结构的紫外/VIS反射率和NIR捕光效率均存在显著差异(图7)。它们取决于地形特征的特征尺度对于高于光波长的特征长度尺度可以使用射线光学。在相反的情况下,当结构小于光的波长时,必须考虑波光学。因此,我们将分别讨论这两类结构,并将其与数值模拟进行比较。

 

黑硅电子特性

根据b-Si制备方法和工艺参数的不同,由此得到的载流子寿命和有效表面重组速度Seff有很大差异。为了了解有效表面重组速度Seff发生变化的原因,我们首先将Seff分解为其相关参数,即表面积增强和表面缺陷密度增强利用该模型,将给出提高不同技术下b-Si电子性能的可能策略。

黑硅中重组活性表面缺陷的成因分析:我们分析了缺陷密度δmax(第5列)的增强功能,在每种技术中,我们还分析了不同的制备条件,并与非结构化参考文献(δmax=1)和氢氧化钾金字塔(δmax=1.8)进行了比较,对于ICP-RIE蚀刻方法,δmax在误差条内,与参考值(δmax≈1)相同,几乎与蚀刻时间和压力无关。因此,ICP深和ICP浅具有大约相同的δmax,但不相同的内表面增强γ,这表明,ICP-RIE过程可以用来生产几乎完全没有额外的电子(亚)表面缺陷的b-Si表面。

我们概述了b-Si的制造方法,它们产生的形态和b-Si的太阳能电池所研究的方法分别为电感耦合的SF6/O2等离子体(ICP-RIE)中的干RIE、MACE、MacP-Si的电化学蚀刻和空气中的飞秒激光处理(L-Si)为了进行系统和定量的比较,不同的b-Si太阳能电池研究小组合作进行了本研究以光吸收作为最大短路电流的关键参数,以少数载流子寿命作为太阳能电池最大开路电压的基准参数对不同b-Si技术的光学特性的分析和相应的模拟表明,捕光性能主要取决于b-Si特征的横向相关长度,而相关长度较大的结构往往表现得更好。


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