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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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玻璃基板微槽透镜阵列太阳能电池弱光光伏特性研究

时间: 2021-12-22
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玻璃基板微槽透镜阵列太阳能电池弱光光伏特性研究

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本文提出了一种金刚石微研磨和金刚石轮v尖来直接制备α-SiTF太阳能电池玻璃衬底上的精确镜像微槽阵列因此,光在微透镜和太阳能电池衬底之间的界面上不会发生第二次反射这种微槽玻璃透镜可以产生新的微光学特性来吸收散射光目的是改善弱光照明下的光伏特性。利用蒙特卡罗模拟研究微光学特性,理论分析微槽透镜结构的光学效应;其次,利用金刚石磨轮在薄膜太阳能电池玻璃/空气界面制作500~800µm深度的微槽透镜;然后研究光强和入射的光学和光电特性;最后,将微槽透镜应用于太阳能装置,进行弱强日光下的充放电实验,研究其发电能力。

在本研究中,具有叠加结构的太阳能电池由1µm厚的α-Si吸收层组成,尺寸为50×50×3mm3(l×w×h)的电池描述。为了研究微槽透镜的光学效应,需要利用几何光学理论来分析其反射和折射的光学现象。

采用蒙特卡罗光线追踪法对光轨迹进行了分析它可能预测太阳能电池和光学元件的性能结果表明,入射光撞击微透镜结构表面后,光反射多次,折射成较大的传播角微透镜阵列可能会散射

 玻璃基板微槽透镜阵列太阳能电池弱光光伏特性研究

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2显示了太阳能电池的光通量γ和透射率t与入射角α的关系结果表明,微槽透镜比微半球透镜散射的光更多(见图2a)。它有助于有效利用太阳能电池中的光光子这是因为它可以保护太阳能电池免受过度集中的光的照射在入射角为0-50°的情况下,微槽透镜的透光率平均提高0.6-2.8%,比传统透镜提高1.4-3.2%。在入射角为50-80°的情况下,微槽透镜的透光率t平均分别提高了1.0-7.2%和26.4-31.4%。因此,微槽透镜对周围的散射光产生更强的透射能力。

 玻璃基板微槽透镜阵列太阳能电池弱光光伏特性研究

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3显示了微槽结构内的光反射和折射对于微槽表面,其中nair为空气折射率,mmat为材料折射率为了满足两个内部全反射条件,首先,反射面不应阻挡反射光,第二,角度β2应大于临界角βc,第三,角度β3也应大于临界角βc,以满足第二次总反射入射角β应满足以下条件:第一个条件是β≤64°,第二个条件是β≥32.4°,第三个条件是β≤65.9°。因此,斜率角φ在32.4°~64°之间。换句话说,v角θ应在52°-115.2°的范围内,因此长宽比(p/d)在0.64~2.05之间在本研究中,我们选择了60°的v角。

在微研磨过程中,首先在研磨机上进行了金刚石磨轮的v尖变形然后,利用磨削的菱形轮v尖对数控磨削系统中微米切割深度玻璃的微槽透镜进行微磨削在这种微磨削过程中,微槽透镜通过横向磨削工具路径逐渐形成图案为了保证地面微槽透镜表面的高精度和光滑性,在粗磨和细磨后进行火花砂磨,对这些地面结构进行抛光微槽透镜抛光前后的显微图谱如图5

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300-1000µm深度的微槽透镜的光效率与可见光波长的模拟中,光效率ƞ被定义为接收通量与发射通量的比值。结果表明,在正常入射条件下,光波长的增加导致光效率略有增加。此外,微槽透镜对所有可见光波长的光效率都比传统表面提高了3%以上。这可以解释为反射光被困住并再次被吸收虽然深度较大的微槽透镜提高了光效率,但在微槽深度为800µm时,光效率最大。因此,深度为800µm的微槽透镜可能是限制光散射的最佳透镜。通过对光伏特性的实际测试结果进行了进一步的验证

白光照明在600-800µm深度的微槽透镜的光效率与入射角度结果表明,光效率随入射角的增加而降低微槽透镜表面的光效率也平均比传统表面大3%入射角α≥为50°的增加幅度较大800μm深度的微槽透镜在α<50°时光效率最高,而600μm深度的微槽透镜在α>50°时光效率最高这可能是因为微槽镜头表面扩大了倾斜照明的实际照明面积不同入射角下的微槽透镜光的辐照度强度为1000W/m2对于带有微槽透镜的太阳能电池,正常入射角(α=0°)略差,而入射角α=45°和α=80°要好得多。

在实验中,将太阳能电池与相同的led连接起来,并暴露在唯一的光源下:30管明的白炽灯下可以看出,微槽透镜太阳能电池照明的LED比传统照明的LED更亮这表明,带有微槽透镜的太阳能电池在昏暗的照明下可能比传统的太阳能电池产生更多的电力。微槽透镜太阳能电池在1000W/m2、750W/m2和500W/m2条件下的实验转换效率Ef作为入射角α的函数结果表明,转换效率Ef随入射角α的增加而降低这一方面是因为斜入射光被部分反射,另一方面,实际光强根据I1=I0cosα的功能而降低。

在一个太阳能照明条件下,微槽透镜太阳能电池的转换效率略低于传统的入射角α<45°,但明显改善了入射角α>50°,特别是在照明低于一个太阳事实上,在所有测量的入射角中,在1000W/m2、750W/m2和500W/m2的光强下,Ef的平均增益分别大于1%、6%和17%这是因为微槽透镜太阳能电池产生了增强的I-V光伏特性因此,该微槽透镜可以提高在低光强照明下的转换能力。

500W/m2的光照强度下,太阳能电池与入射角和沟槽深度之间的光伏特性。结果表明,短电流ISC随着光入射的增加而减小。这是因为实际的光强随入射角的增加而减小。虽然凹槽深度为700μm的微凹槽透镜的ISC分别小于600μm和800μm,但仍高于传统太阳能电池的ISC实际上,与传统沟槽深度相比,沟槽深度分别为800μm、700μm、600μm的ISC平均增加了14.6%、12%和8%这是因为微槽透镜可以增加到达吸收层的照片的百分比,从而增加光电流。

 在低光强照明下,可以大大改善微光学透镜阵列结构太阳能电池的光伏特性传统飞机在弱日照光照下比在强日照下更能提高发电效果。通过研究微透镜结构的微光学特性,然后采用金刚石微磨削制备微槽透镜,最后测量室内转换效率和室外发电。结果表明,800µm深度的微槽透镜能够吸收倾斜光散射到太阳能电池上,提高弱光转换效率。阴天和阴天的发电量分别提高了118%和185%。


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