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本文通过使用循环极化技术研究了硅在EPW各向异性蚀刻剂(乙二胺、邻苯二酚和水)溶液中的阳极氧化，用x光电子能谱和二次离子质谱对样品进行了表征。
用自动扩散电阻(ASR)辐照根据两个16的火山硼的浓度分布，结果如图1所示，在进入17至10阳极氧化测试以产生相同的表面条件之前，使用氢氟酸溶液去除晶片表面的酸膜。
图1
绘图仪尺寸和光束电压分别为3×3mm2和0.7kV，参比电极为ag / AgCl电极，反电极采用AP网络，并安装溶液浓度，以保持电容器持续处于受控状态。此外，在实验过程中，通过通入氮气防止溶液氧化，阳极氧化和循环极化的两个实验实例斜坡率= 02毫伏/秒，初始电位为-100毫伏对。使用SIMS提高了一个体积的表面中硼的浓度。图2用于阳极极化和阴极极化的实验装置。
图2
在耐腐蚀金属(如不锈钢)中颗粒的铬确定阳极氧化的情况下，由点引起的内腐蚀，其中当沿相反方向扫描从无源区域到有源区域的电位以观察局部不稳定形成的氧化膜破裂时电流密度的行为时，电流子点迅速降低。该研究实施例通过识别方法观察硅阳极氧化膜的行为，并在y电位时清洗种子中的样品。在本研究中，蚀刻-为提供硅阳极氧化膜的基础数据，作为确定停止机理的一部分，首先引入一种分析技术，根据阳极氧化膜作为钝化膜的蚀刻低方向性，即在溶液中如何稳定地起伏，所有电化学腐蚀都是高度活跃的。
此外，通过表面分析，根据添加剂杂质的类型或浓度，观察阳极氧化膜和心肌表面的蓝色和干净的方面，正在使用重掺杂蚀刻停止方法，p-n结蚀刻停止方法是一种电化学g方法，其利用si的阳极氧化氧化特性和p-mi结的电特性，这极大地增加了在反向偏置p-n结钳夹下的n型Si实例的PHL型Si的蚀刻停止，重掺杂蚀刻停止方法使用众所周知的实验结果，即当硼的浓度为5×101”cm3或更高时，通过使用e-速度的杂质依赖性，蚀刻速率显著降低，对于使用p-n结的电化学蚀刻停止， 电化学动力学数据的基础是氮硅的钝化电位比硅的钝化电位更具阴极性，蚀刻通过在阴极区设置任何一个小孔而不是钝化电位和磷硅，选择性地施加任何一个小孔而形成的间硅双边氧化膜，起着钝化膜的作用。
在阳极氧化的情况下，取出样品，并在超过电位，即电流密度急剧降低的PP(通过电位)的时间进行清洗，循环极化顶点电位为100毫伏vs，PP为8。在本研究中，p-Si的OCP和PP比mSi的情况略高，因此，有源区跨越了更宽的势规则。一般来说，当半导体被放置在电解质袋中时，与金属的准晶不同，空间电荷层被留在具有电解质的表面中的半导体表面上。在电极上使用阳极x射线(1486.6eV)在300瓦、12kV下对其进行测试。
因此，通过实验可以推断，与轻掺杂的情况相比，这种光下的阳极上膜具有更好的化学状态，即作为钝化膜的特性。此外有源区形成在非常窄的电势队长中，最大电流密度与光do-ping的情况相比，显示出大约200至300张的小值。如果电位从化学位移被动区向下扫描到静态区向下扫描，可以看出扫描速率没有显示出聚丙烯中电流密度的中间值，并且在主动区中一直保持被动状态，即使此时它足够慢以维持系统的平衡状态。然而，在轻掺杂的情况下，通过显示在到达OCP之前预先预测的氧化膜破裂之外的突然干燥的中间值，示出了遵循非扫描(a)宁时间的曲线。在硅单晶的情况下，它在物质上处于非常均匀的状态，并且在向下扫描时由穿孔密度(中间价格)引起的峰值达到潜在例子的电流密度，并且它似乎几乎同时发生在滑动表面上，而不是局部地，因为它位于硅的阳极氧化膜的不锈钢上的破损处。
通过注入这些阳极氧化物氧化物化学gtate的XIPS分析结果，在原子极化状态下，表面上的硼浓度分布得高得多，而不管它是否发生，氧化膜的电负性甚至在阳极酸膜通过硼向表面的移动而被清洁之前就出现了，原因是这是由于o-nias的潜力，但需要更多的研究来确定确切的原因，然而，作为上述结果，通过拖延可以估计的是，实际蚀刻顶部冻结时的临界硼浓度大于裂缝前的报告浓度，这被认为对解释硼重掺杂蚀刻停止的机理有很大帮助。
循环极化实验的结果表明，在p型和n型硅片上形成的阳极氧化物在相同的电位下分解，而在p+-硅的情况下，直到开路电位都没有发生分解。据XPS观察，磷硅样品的强抗蚀性与形成强硅氧键有关。SIMS深度剖面图表明，发生蚀刻停止的硼的临界浓度似乎比普遍认为的要高得多。