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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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测量单晶硅在 KOH 溶液中蚀刻速率的简单方法

时间: 2022-01-14
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测量单晶硅在 KOH 溶液中蚀刻速率的简单方法

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本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。

首先,在乙醇中通过超声波清洗硅基底,使用原子力显微镜,在潮湿空气(相对湿度≃50%)划伤二氧化硅尖端后,通过摩擦化学去除清洁硅基板表面3×3μm2方形区域内的天然氧化物,如图所示1,磨损面积的深度为∼2nm,超过了天然氧化硅的厚度,因此,四方形区域的新鲜地下硅原子被暴露出来,利用真空中的氮化硅尖端进行AFM表面形貌扫描,确定了硅基底表面的方形区域的表面形貌和方形区域的深度d0。

测量单晶硅在 KOH 溶液中蚀刻速率的简单方法 

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第二,经过初始表面形貌扫描后,将处理后的硅衬底在室温下用一定pH的制备的氢氧化钾溶液中浸泡一定时间(Si-100)的蚀刻率是氧化硅的185倍,而低浓度氢氧化钾溶液中氧化硅的蚀刻率极低。因此,在短时间内,氢氧化钾溶液几乎无法蚀刻天然氧化硅,但暴露的新鲜地下硅可以明显地蚀刻经过一段时间后,取出硅衬底,然后用超纯水冲洗然后,通过AFM扫描蚀刻后的硅衬底表面,得到四方形面积的深度d1。

最后,在氢氧化钾溶液中蚀刻后,可以估计硅面积的蚀刻深度蚀刻深度Δd为d0与d1之间的差值(Δd=d1−d0)在硅衬底的蚀刻后,立即记录了蚀刻时间t因此,得到了硅的蚀刻速率Re,即Re=Δd/t为了获得更精确的蚀刻速率,对每个氢氧化钾溶液重复上述测量过程至少三次,并将所有蚀刻速率值平均得到硅的最终蚀刻速率。

用不同的pHs对氢氧化钾溶液中硅的蚀刻:为了验证该方法的可行性和有效性,应测量氢氧化钾溶液中硅的蚀刻速率利用该方法在室温下,在五种pH值不同的氢氧化钾溶液中蚀刻硅pH值表明,氢氧化钾溶液浓度相对较低(5×10−4mol/L-0.1mol/L),pH值与氢氧化钾调整泥浆一致,确保硅化学机械抛光(CMP)因此,在这些氢氧化钾溶液中,硅的蚀刻特性不仅证实了所提出的新方法,而且可能对研究硅CMP的蚀刻行为具有重要意义通过去除硅衬底表面的方形区域中的天然氧化物,并在氢氧化钾溶液中对暴露的新鲜硅进行了蚀刻。

简短的测量示意图如图所示2上行的AFM图像显示磨损、未蚀刻区域的一侧,下行的AFM图像显示不同蚀刻时间t下在不同氢氧化钾溶液中蚀刻磨损区域的相应一侧,蚀刻面积的粗糙度会随着氢氧化钾溶液的pH值的增加而增加,由于空气中溶解的二氧化碳,氢氧化钾溶液的pH值可能随着蚀刻时间的增加而有一定程度的降低。由于pH值在整个蚀刻过程中的变化不超过0.3,因此可能对硅的蚀刻没有显著影响。为了产生AFM能准确检测到的适当的蚀刻深度,该蚀刻时间应适用于每个氢氧化钾溶液中的硅的蚀刻。

 测量单晶硅在 KOH 溶液中蚀刻速率的简单方法

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除了摩擦化学去除外,没有进行任何方法在硅表面制备掩模膜的其他方法,它只用于去除部分天然氧化物以暴露新鲜的底层硅,氧化硅的蚀刻速度是氢氧化钾对硅的185倍,在低碱pH值的氢氧化钾溶液中蚀刻速率较低。因此,利用天然氧化物作为掩膜,可以实现硅衬底上硅的选择性蚀刻。

在之前的原子力显微镜研究中,硅在原子力显微镜上对二氧化硅微球进行了微/纳米耳测试,以检测硅的磨损行为,当在潮湿的空气和水中进行磨损试验时,摩擦化学反应导致了硅表面的物质去除,透射电子显微镜对硅表面磨损区域的观察表明,磨损区域下的硅原子和晶格保持了其完整性。因此,硅的结构没有受到破坏。在上述研究的基础上,可以在不破坏硅衬底表面的天然氧化物而去除硅衬底表面的天然氧化物,从而确保硅衬底表面的光滑蚀刻。

在其他氢氧化钾溶液(pH分别为10.7、12和12.5)中进行相同的测量过程,由于实验误差,每个测量结果之间的差异可能会出现在重复测量过程中,pH为11.4的氢氧化钾中硅的刻蚀深度较浅,蚀刻时间长,三个测量步骤的蚀刻深度Δd分别为0.4、0.4和0.3nm,每次蚀刻时间为30min,因此,平均蚀刻速率约为0.012nm/min,尽管蚀刻速率较低,但AFM可以精确地检测到蚀刻深度,并得到了蚀刻速率。

在之前的研究中,我们测量了氢氧化钾溶液中的静态蚀刻速率作为pH(11-13)的函数,以研究硅的蚀刻机理,通过该方法测定的硅的蚀刻速率的变化几乎与之前的静态蚀刻速率的变化相一致,从而证实了该方法的有效性。

综上所述,在硅表面自然形成的天然氧化物作为掩膜,通过摩擦化学去除硅衬底表面的部分天然氧化物会产生硅的选择性蚀刻,利用原子力显微镜,氢氧化钾溶液中硅的蚀刻率。这些特征表明,所提出的测量硅蚀刻速率的方法具有合理的创新性。

最后通过提出简单、低成本的氢氧化钾溶液中硅蚀刻速率的测定方法硅衬底表面上的天然氧化物作为掩膜,以实现硅的选择性蚀刻。在该方法中,通过对原子力显微镜上的二氧化硅微球的摩擦化学反应,部分去除硅衬底上的天然氧化物去除过程不会破坏地下硅的结构。因此,新鲜的地下硅可以平滑地暴露和蚀刻通过对AFM的原子精度测量,可以检测到硅的超浅蚀刻深度,这可以在低碱pH(或超低浓度)的氢氧化钾溶液中获得蚀刻速率该方法可以提供一种新的、简单的测量某些材料蚀刻速率的概念,并确保材料蚀刻工艺设计所需的蚀刻速率的高精度测量。

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