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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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少量铜对KOH水溶液中Si刻蚀的影响

时间: 2022-01-18
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少量铜对KOH水溶液中Si刻蚀的影响

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研究了含少量铜的氢氧化钾水溶液中Sill10)的蚀刻作用结果表明,在氢氧化钾水溶液中,100ppb级的铜形成了锥形的硅山丘,使蚀刻表面粗糙。结果还表明,100ppb水平的铜降低了蚀刻速率,因为小山丘是由缓慢蚀刻的平面组成的

为了更稳定地获得光滑的加工表面,因为蚀刻的加工表面影响微结构的强度和弹性行为。在使用KOH水溶液蚀刻{110}面硅晶片的研究中,当KOH水溶液的浓度为30-40重量%时,可以获得更光滑的加工表面,并且蚀刻表面上的微金字塔的出现次数根据硅晶片的热处理条件而不同。 另一项研究表明,反应产物和蚀刻反应产生的氢与Si各向异性蚀刻表面粗糙度的原因有关然而,尚未获得关于ppb级杂质的影响的知识在本研究中,我们发现ppb级的微量Cu影响蚀刻表面粗糙度和速度。

使用32重量%KOH水溶液(85%KOH试剂,关东化学制造,用纯水稀释)作为蚀刻液对于KOH水溶液,用ICP-MS(横河PMS-200)分析液体中金属杂质的量,确认添加Cu之前液体中Cu的量,然后添加Cu并进行蚀刻实验。 将Cu添加到H水溶液中是通过使用用于原子吸收分析的金属标准溶液并将其与化学品中所含的含量相加来获得的。

蚀刻表面的粗糙度为10点平均粗糙度Rz10点平均粗糙度Rz是由表面粗糙度计测量的表面形状的粗糙度曲线计算的SEM观察蚀刻表面的形状,并用俄歇电子能谱分析蚀刻后的表面蚀刻深度是用焦深法测量的当蚀刻表面粗糙时,将最深位置定义为蚀刻深度 根据蚀刻深度和蚀刻时间计算蚀刻速度。

少量铜对KOH水溶液中Si刻蚀的影响 

1

蚀刻特性的Cu含量依赖性图1示出了在110℃的蚀刻液温度下蚀刻表面粗糙度相对于Cu含量的变化,Cu含量达到10ppb左右时,表面粗糙度为1μInRz以下,但当Cu含量达到100ppb以上时,表面开始粗糙化,当Cu含量达到300ppb时,表面粗糙度为4~5μmRz左右,A.Hein et a1的结果(5)中,表面粗糙度较小,约为本结果的1/10~50,这被认为是因为A.Heinetal使用Si{100}面,并且与Si{110}面相比,该面的蚀刻速度较小。

2示出了在110℃的蚀刻液温度下蚀刻速率相对于Cu含量的变化,Cu含量变为300ppb或更高时,蚀刻速率开始降低,并且已经发现,当Cu含量与蚀刻表面粗糙化的Cu含量几乎相同时,蚀刻速率降低。此外,尽管构成金属标准溶液的NO3-离子随着Cu的添加而增加,但是即使当向蚀刻溶液中添加360ppb的HNO3时,蚀刻特性也没有变化因此,可以判断表面粗糙度和蚀刻速度的降低是由Cu引起的。

少量铜对KOH水溶液中Si刻蚀的影响 

2

观察蚀刻后的表面形态,确认与蚀刻表面粗糙度的对应关系。 Cu含有量为21ppb时,基本为光滑的蚀刻表面然而,当Cu含量为120ppb时,可以部分地观察到微金字塔并且当Cu含量为360 ppb时,蚀刻表面的整个表面由微金字塔组成 图中发现的白色斑点是KOH的残余物,并且确认它们不是微金字塔。

此外,微金字塔的高度约为5μm,其四个侧面呈现出一定取向的晶面另外,通过几何求出该侧面的晶面,可以鉴定为{311}面利用蚀刻表面的SEM照片求出的Cu含量的每单位面积的微金字塔产生数Cu含量为约100ppb时,微金字塔开始产生,并且当Cu含量为300ppb或更高时,微金字塔的产生数量保持不变,并且蚀刻表面粗糙度的增加与微金字塔的产生数量的增加一致。

除了110℃外,在80,100,115℃的温度下进行了调查,发现在所有温度下,蚀刻表面都是粗糙的确认了前面所示的微金字塔的发生此外,蚀刻表面粗糙度对Cu含量的依赖性与蚀刻液体的温度没有大的差异在任何蚀刻温度下,当Cu含量增加时,蚀刻速度降低。

由于已知蚀刻表面的粗糙度是由微金字塔的产生引起的,因此在蚀刻表面上应该存在成为微金字塔产生的核心的物质作为其产生的原因发现微金字塔是从蚀刻的初始阶段产生的,并且在微金字塔的表面上存在亚微米颗粒。检测元素除了Cu之外,还有污染物C和分析区域直径φ0.5μm的Si、O因此,颗粒材料由Cu组成,并且认为Cu从蚀刻液沉积在Si表面上。

通过SEM观察,由于金字塔侧面与底面形成的角约为31度,因此可以确定金字塔侧面为{311}面就这方面的出现进行考察{311}面由{111}面和{100}面构成可以认为是形成的晶面如已知的,{111}和{100}面的蚀刻速度低,并且蚀刻的进展被抑制因此,由于{111}面和{100}面以微观顺序出现并构成{311}面,因此抑制了蚀刻的进行,并且认为形成了具有确定晶面侧面的微金字塔。

考虑由于蚀刻液中包含Cu而导致的蚀刻表面粗糙化机理在用碱性水溶液(7)蚀刻硅的反应中,从蚀刻表面产生氢在这种情况下,由于碱性水溶液中的Cu含量是非常少量的ppb级,因此认为Cu作为离子存在考虑到Cu离子与从蚀刻表面产生的氢接触的情况,Cu的氧化还原电位高于氢因此Cu离子被氢还原此外,由于在蚀刻表面上产生氢,所以认为Cu被还原并沉积在蚀刻表面上。

然后,确认颗粒Cu沉积在蚀刻表面上,其中蚀刻表面粗糙化,因此Cu以颗粒形式沉积在硅表面上,并用作蚀刻的掩模,然后由于{111}面、{100/面以微观顺序出现,构成{311}面,蚀刻的进行被抑制,形成具有确定晶面侧面的微金字塔。蚀刻进行到一定程度后,析出的Cu会被下切,与表面分离然后,再次粘附到其他部分,起到掩模的作用,蚀刻面就会变得粗糙另外,由于这个过程反复进行,Cu的影响也会出现在ppb这个顺序上。

在本研究中,阐明了当32wt%KOH水溶液中含有ppb级Cu时Si{110}面的蚀刻特性的变化已经发现,当Cu以约100ppb或更多的量混合时,在蚀刻表面上出现微金字塔,蚀刻表面粗糙化,并且蚀刻速度降低微吡喃的产生被认为是由于在蚀刻表面粗糙的硅表面上观察到亚微米的Cu颗粒,并且Cu的氧化还原电位高于氢,并且Cu离子被氢还原,因此Cu被蚀刻期间在蚀刻表面上产生的氢还原并沉淀,并且用作蚀刻的掩模此外,蚀刻进程被抑制的原因被认为是由于微金字塔具有由蚀刻速度低的{111}面和{100}面形成的{311}面。


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