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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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光刻技术与涂层方法的结合进行表面润湿控制

时间: 2022-02-14
点击次数: 8

光刻技术与涂层方法的结合进行表面润湿控制

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许多不同的光刻方法已被应用于制造微纳米结构和纳米结构,并成功地用于形成具有特殊润湿性能的表面事实上,在微米、亚微米和纳米尺度上的表面粗糙度的改变,无论有没有化学处理,都会导致具有可控润湿性能的表面表现出极限(例如超疏水、超亲水表面)我们研究了不同的方法,以实现这种图案表面的可调润湿特性我们通过使用不同的光刻技术来制作微孔衬底

本研究中使用的基底是具有天然氧化物表层的商业标准硅晶片晶圆的抛光面和未抛光面都用于激光微加工特别是用焦距为75毫米的圆柱形透镜聚焦紫外纳秒激光束测试的激光通量的范围是从0.5至2J/cm2在烧蚀过程中,硅晶片储存在甲醇或蒸馏水的液体浴中,表面液体覆盖5mm晶片以精确的x-y平移阶段移动,直到获得约1cm2的纹理表面区域,5显示了激光微加工装置的示意图,烧蚀后,将晶圆从液体浴中取出,并在环境条件下进行干燥。

 光刻技术与涂层方法的结合进行表面润湿控制

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除了纹理硅晶片作为基底,我们还使用了各种微纹理硅碳化硅表面,使用了600、800和1200砂粒大小的典型砂纸。对于纹理硅晶片的涂层,使用了亚微米的聚四氟乙烯颗粒,一定数量的聚四氟乙烯粉末分散在商业苏格兰Brite(3M)中型纤维素泡沫上,尺寸为15cm×9cm×2cm,用一根金属棒将聚四氟乙烯粉末在泡沫表面摩擦几分钟,以使其均匀扩散,随后,泡沫以圆周运动不断地与纹理硅表面摩擦几分钟,在此过程结束时,几乎所有的聚四氟乙烯粒子都被转移到纹理硅表面,形成一个薄薄的聚四氟乙烯层。我们发现,聚四氟乙烯颗粒强烈地附着在激光形成的结构上,因为后处理(浸泡在不同的溶剂中,如丙酮、甲苯、甲醇或氯仿)并没有导致颗粒从表面去除。图6显示了聚四氟乙烯粒子摩擦电沉积的基本步骤的示意图。

光刻技术与涂层方法的结合进行表面润湿控制 

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利用原子力显微镜技术进一步研究了纹理表面的形貌一般来说,扫描大小在5~20μm之间,同时采集拓扑快速图像、高度、误差和相位图像Park系统XE-100AFM在硅悬臂梁的非接触模式下使用所有样本均采用了0.15Hz至0.25Hz之间的自适应扫描速率要获得具有微米特征的表面的高质量AFM图像,必须尽量减少偏转(或振幅)信号(表示误差信号)。如果这些信号是最小的,扫描过程中获得的误差图像看起来与地形特征相同。

对于表面的润湿表征,对于水滴粘附度的测量,我们使用了以下方法:将水滴放置在检测表面上,然后使表面缓慢倾斜,同时CCD相机捕捉液滴形状的变化在最后记录的图像中,在液滴的基部开始移动之前,测量前进的θΑ和后退的θBAPCAAPCA前进和后退的区别在于CAH所有测量值的标准差均为±3°有限的apca不能在这些表面上测量,因为被放置的水滴在沉积后几秒钟后就完全扩散在它们身上为了实际目的,分配的APCA为0°。

当聚苯乙烯电沉积法将聚四氟乙烯粒子附着在激光形成的表面强度上时,原表面的表面形貌和润湿特性发生显著变化发现了影响复合材料表面最终润湿性能的两个主要因素这些是衬底的微粗糙度和粘附在它上面的聚四氟乙烯亚微米颗粒的数量我们展示了两个未经处理的激光纹理表面和在纹理表面顶部的三电子沉积的聚四氟乙烯表面的三维AFM地形图像。

一个光滑的聚四氟乙烯表面的接触角约为110°在这种情况下,由于底层的粗糙度,APCA超过了此值详细的APCA和CAH测量表明,平均粗糙度为~5μm的激光纹理硅表面在被三带电聚四氟乙烯粒子涂层时,不会成为超疏水(APCA>150°)

在所研究的激光通量范围内,没有观察到硅片粗糙度的重大变化然而,单个金字塔状微结构的形状可以被修改,而不会对聚四氟乙烯涂层表面的最终润湿特性产生影响所有制备的表面的APCAs中心约130°,CAH中心约35°虽然这些表面不能被认为是超疏水自清洁表面,但水滴表现出相当低的水附着力,疏水性相对较高这些润湿特性优于某些疏水聚合物,如平滑的聚四氟乙烯或聚(二甲基硅氧烷)(PDMS)。

所使用的四种不同的激光通量显示出几乎相同的疏水性其主要原因是摩擦电涂层产生了1.5μm厚的聚四氟乙烯薄膜因此,由于所得的硅晶片表面粗糙度在2~5μm之间,无法实现保形超疏水涂层为了解决这一问题,利用不同砂粒尺寸的碳化硅砂纸分析了表面微纹理对摩擦电聚四氟乙烯沉积后最终疏水性的影响

一般来说,对于表面粗糙度高达60μm的微粗糙表面,小于1.5mg/cm2聚四氟乙烯附着就足以使其具有超疏水性。当每个表面积沉积的聚四氟乙烯质量约为0.5-0.7mg/cm2时,得到最佳结果(APCA>155°和CAH<20°)对激光微纹理硅晶片进行的类似分析表明,单位面积的聚四氟乙烯(0.05-0.15mg/cm2)使表面疏水的数量要少得多一部分涂上了三电聚四氟乙烯沉积,另一部分不经处理照片中的红线显示了经过治疗的区域和未经治疗的区域之间的边界可以观察到,未经处理的区域是完全湿的,而在经过处理的区域,液滴处于超疏水状态。

最后在这项工作中,我们演示了两种不同的光刻技术,每一种都与不同的涂层方法相结合。这两种制造工艺的目的是以简单、高效、可重复和经济的策略获得具有特殊润湿特性的大面积表面第一个工艺包括通过紫外光刻技术在硅上制造SU-8微柱图案随后,这些图案被喷涂颗粒所覆盖,这些颗粒会导致不同的粗糙度尺度基底从“粘性”疏水表面开始,通过应用适当的颗粒,可以转化为具有超高或超低水粘附性的超疏水表面第二种方法将硅晶片的激光微加工与带电聚四氟乙烯亚微米颗粒的三电沉积涂层方法相结合这种绿色无溶剂制造方法的表面具有双尺度粗糙度


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