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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于光刻工艺的新型旋涂金属硬掩模材料

时间: 2022-02-17
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用于光刻工艺的新型旋涂金属硬掩模材料

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本研究揭示了在正常加工条件下烘烤后含有大量金属氧化物的新型自旋底层材料这种无机金属硬掩模(MHM)在三层叠的等离子体蚀刻过程中具有良好的蚀刻选择性基于溶液LPC分析和晶圆缺陷研究,该成分具有良好的长期保质期和锅的寿命稳定性该材料吸收DUV波长,可作为无机或混合抗反射涂层,控制DUV暴露下的基底反射率其中一些含金属材料可以作为EUV光刻技术的底层以显著提高光速度特定的金属硬掩模也被开发用于IRT过程中的通过或沟槽填充应用ArF干燥或浸没条件下,薄膜厚度低至10nm,具有良好的涂层和光刻性能此外,通过在环境温度下使用各种湿蚀刻溶液,可以部分或完全去除金属氧化物膜或残留物。

为了测试薄膜的溶剂抗性,在涂有底层材料的硅片上分配诸如丙乙二醇单甲基乙酸乙酯(PGMEA)或乳酸乙酯(EL)等溶剂60s后用氮气扫光去除溶剂在浸泡前后,通过视觉或测量薄膜厚度来检测薄膜的完整性为了测试薄膜的显影剂电阻,在涂层晶片上分配AZ®300MIF显影片60s后用水冲洗晶片,用氮气干燥在浸泡前后,通过视觉或测量薄膜厚度来检测薄膜的完整性。

采用元素分析和TGA减重测量(煅烧)的方法测定了金属氧化物薄膜中的金属%wt/wt样品在腔室中的氧气下从20°C/60s的室温加热到800°C,并在煅烧过程中在800°C的恒温下连续加热1小时金属%wt/wt可以根据钙烧后的总重量减轻或最终氧化物的重量计算这两种方法的结果是一致的固化温度为150°C至250°C,烘烤时间约为60-120秒,具体取决于MHM配方的组成。

采用四氟化碳或氯气基蚀刻化学打开金属硬掩模或Si-BARC,然后采用o2基蚀刻化学蚀刻AZ®U98碳底层基于cf4/o2的蚀刻化学方法打开有机BARC层比较了Si-BARC三层和金属硬掩模三层的各步蚀刻轮廓薄膜的初始厚度为35-80nmMHM材料在硅片上进行旋转涂层和固化晶圆片被浸没在上述其中一种剥离溶液中定期记录薄膜的厚度,直到薄膜被完全冲走湿蚀刻率是由湿润过程中不同时间间隔的膜损失得到的一旦薄膜被完全蚀刻掉,晶片就被提交以进行如上所述的缺陷计数分析。

石英晶体微平衡(QCM)方法8测量了烘烤过程中涂在硅晶片上的加热膜的升华量在一定温度下,加工多达50片,累计记录排气量可以获得废气量与晶圆数量的图,以评估废气性能涂有MHM材料的晶片的烘烤温度通常为200°C~250°C,这是金属氧化物膜完全固化所必需的有机底防反射涂层(OBARC)材料可作为比较MHM材料和OBARC材料之间的排气结果的参考。

用于光刻工艺的新型旋涂金属硬掩模材料 

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蚀刻前的照片成像的横截面显示在图2中,其中(a)、(b)和(c)的堆叠分别包含衬底顶部的抗蚀剂/SiBARC/CUL、抗蚀剂/MHM/CUL和抗蚀剂/OBARC/MHM/CUL的方案。抗蚀剂的膜厚为150纳米AZ EXP MHM样品B硬掩膜或硅硬掩膜的膜厚目标为25纳米碳底层的膜厚为220纳米OBARC薄膜厚度为17纳米与图2(a)中的硅硬掩模相比,图2(b)中的金属掩模上的图案化光致抗蚀剂显示出优异的轮廓此外,通过在图2(c)中的MHM材料上涂覆OBARC的附加层,可以显著改善抗蚀剂分布然后对图案化的晶片进行氟化等离子体(CF4)蚀刻,以打开无机硬掩模。 图3显示了如上所述的三种方案(a)、(b)和(c)中的蚀刻性能。在蚀刻无机硬掩模之后,与图3(a)中的硅硬掩模相比,图3(b)中的金属硬掩模上或图3(c)中的OBARC/MHM上的图案化光致抗蚀剂具有改善的轮廓。

 用于光刻工艺的新型旋涂金属硬掩模材料

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3中打开的晶片被氧等离子体蚀刻,以去除暴露区域中的碳底层。总的来说,AZ EXP MHM样品B金属硬掩模材料已经显示出优异的蚀刻选择性,并且实现了优于SiBARC硬掩模的光刻性能。该材料具有均匀的涂层质量和在大范围的膜厚度下,例如10纳米-350纳米的优异的抗蚀剂相容性与硅硬掩模相比,该材料在使用氟化气体和氧气的替代蚀刻工艺中具有相当的蚀刻选择性与使用SiBARC作为硬掩模的轮廓相比,使用MHM硬掩模的CUL蚀刻后的图案图像显示出更好的轮廓该材料的低排气性能与商品化的OBARC产品AZ ArF EB18B相当MHM湿蚀刻能力相对于硅硬掩模的优势可以在集成电路制造的返工过程中产生潜在的成本降低。

研究了MHM衬层在EUV工艺中的应用MHM底层或有机EBL/MHM双层方案上,EUV抗蚀剂敏感性似乎得到了改善我们正在改善AZ MHM衬层的蚀刻选择性和其他参数,如通孔和沟槽填充与本文描述的第一代MHM材料相比,我们最新的MHM材料在增强EUV灵敏度方面表现出更好的性能。为了了解MHM材料化学和扩展MHM材料在半导体工业中的应用,正在对各种工艺条件下的MHM性能进行更详细的研究,并探索金属氧化物薄膜的湿法蚀刻配方。


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