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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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AFM和SEM对湿蚀刻蓝宝石衬底的晶体学和形貌演变的研究

时间: 2022-03-07
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AFM和SEM对湿蚀刻蓝宝石衬底的晶体学和形貌演变的研究

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本文是关于对湿法刻蚀蓝宝石衬底的晶体结构和形貌演变的透彻理解,发光二极管器件对于揭示蚀刻机制和生产改善氮化镓基性能的优化功率稳定器至关重要。关于以往湿式蚀刻条件下的CPSS样品的结晶学和地形演化进行互补的SEM和AFM 特性。

使用2英寸c面蓝宝石晶片制备CPSS图案,六边形对称的圆柱形光刻胶阵列通过标准光刻工艺直接制作在c面蓝宝石上单个圆柱体的直径和高度分别为2.1 微米2.5 微米,使用圆柱形光致抗蚀剂阵列作为蚀刻掩模对蓝宝石衬底进行电感耦合等离子体(BCl3/H2)蚀刻以产生与光致抗蚀剂阵列具有相同周期性的锥形图案用于湿法蚀刻测试的尺寸为10毫米× 10毫米× 0.4毫米的CPSS样品是从2英寸的晶片上切割下来的。

由于普通玻璃器皿无法承受高温下的浓酸侵蚀,用于湿法蚀刻的烧杯、提篮、盖板和热电偶保护管都是用高纯度石英砂定制的石英烧杯的尺寸为70毫米× 100毫米,壁厚为4毫米石英提篮,即一个L形石英部件,由石英处理杆和槽板组成,最多可容纳12个样品。烧杯反应器的示意图如图1所示。

 

1

我们采用了特殊的双盖板设计,通过在加热和蚀刻过程中用重叠的盖板盖住烧杯口,将蒸发引起的蚀刻剂损失降至最低便于在特定时间方便地移除/重新进入承载篮(和样品)而无需移除大盖板。大盖板尺寸为80 毫米 × 80 毫米 × 4 毫米;大盖板上有两个开口,较小的圆形开口(6 毫米)用于插入装有热电偶的石英管(6 毫米)另一个矩形开口(40毫米 × 25 毫米)用于取出篮子较小的盖板(48 毫米 × 40 毫米 × 4 毫米)只有一个开口用于放置搬运篮的搬运杆,在加热和蚀刻过程中,该盖板被放置以覆盖大盖板中的矩形开口。

2a显示了清洁后的CPSS的俯视SEM图像锥体图案以六边形对称规则排列,节距(周长)为3.23±0.03 微米,圆锥底部为圆形,底部直径为2.93±0.03微米,单个锥体的SEM图像(图2b)和无伪影AFM 3D图像(图2c)确保了锥体良好的圆形对称性原子力显微镜平面图像(图2d)证实了锥体的形状和间距沿着白线(图2d)的相应的原子力显微镜线轮廓(图2e)清楚地显示了锥体侧面(So-zone)的线段不是直的:倾斜角从32°(锥体顶部)到63°(锥体底部周围)此外,球果的平均高度被确定为 1.64±0.02微米。

 

2

H2SO4和H3 PO4的混合物中湿法蚀刻的非常早期阶段锥体开始被截断,并且在侧面上出现新的区域扫描电镜图像和原子力显微镜三维图像显示原始侧面(So-zone)明显收缩,但仍相互连接有趣的是,在圆锥体的底部发现了三个弧形的S2带重要的是相应的原子力显微镜线轮廓分析揭示了每个S1区向上凸起,并且放大的原子力显微镜三维图像证实了这一发现。

另外4分钟的蚀刻时间,S1区的扩展导致So区收缩成隔离区域由于c面进一步向下蚀刻,S2区的面积增加相应的线轮廓分析显示锥体的高度降低(1.24±0.02 微米)对于6分钟蚀刻的情况,So区收缩,而S1区面积增加,S2区横向延伸线轮廓分析显示,每个S1带仍然向上凸起,截锥的高度降低到1.16±0.02微米

最后利用互补的扫描电镜和原子力显微镜表征,系统地研究了湿法腐蚀条件下CPSS晶体学和形貌的演化,并得出以下结论

在蚀刻阶段1(2-6分钟),原始锥体被截断,新的区域(S1-和S2-区域)出现,然后在锥体的侧面扩大锥体的原始侧面(So带)不断缩小,而凸起的S1带和弧形的S2带则不断扩大在蚀刻阶段ⅰⅱ(8-34分钟),截锥转化为金字塔,表现出丰富的随时间变化的形态和拓扑演化行为8分钟时,多族晶体学平面(S1、S2和S3平面)开始出现So-zone收缩,最终在12分钟消失。

凸起的S1区首先扩大,然后缩小直到10分钟,最后在12分钟变成明显平坦的平面S2带在8分钟时转变为三个面- S21面、S22面和S23面,随后收缩S3带出现在8分钟,并沿S1带底部边界进一步扩大S1带和S2带在16分钟内被蚀刻掉时,发现了只包含一系列晶面(S3面)的六边形金字塔随着S3飞机的缩小,S4飞机出现并在六边形金字塔的顶部放大28分钟时,六角锥变为包含Sa平面的三棱锥最后,三角形金字塔不断缩小,最终消失了更长的蚀刻时间定量测定了S1和S3平面的表面粗糙度,S1平面比S3平面显示出粗糙得多的表面三个主要暴露晶面(S1面、S3面和S4面,倾斜角度递减顺序为32.2°、20.8°和14.7°)的米勒指数被精确地确定为{1 1 0 5}、{45 1 38}和{1 10 12}

结果表明,与SEM和FIB相比,AFM具有三维形貌成像能力,可以成为获得可靠的PSS样品尺寸和剖面信息,以及准确确定晶体平面Miller指数的必不可缺的工具。







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