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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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用铝离子对磷酸中氮化镓进行湿法化学刻蚀

时间: 2022-03-08
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用铝离子对磷酸中氮化镓进行湿法化学刻蚀

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我们研究了在碳化硅衬底上生长的外延氮化镓层的选择性湿式化学蚀刻结果表明,由于这些蚀刻剂中氮化镓溶解的一些特征,根据蚀刻坑的数量来测定位错密度可能是错误的在热正磷酸中引入al3+或fe3+离子可以优化蚀刻工艺结果消除了蚀坑的合并,减少了连接到生长表面缺陷的蚀坑数量,而不是氮化镓的缺陷

 用铝离子对磷酸中氮化镓进行湿法化学刻蚀

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1显示了在热纯磷酸中蚀刻3分钟的外延氮化镓层上拍摄的扫描电镜显微照片(在熔融氢氧化钾中蚀刻得到了类似的结果)可以看出,蚀刻导致氮化镓样品表面形成六边形的蚀刻坑然而这些坑没有光滑的墙壁相反墙壁有由平行于基平面组成的平面组成的梯田,这些梯田沿着地表扩展,超出了坑的边界,导致了坑的合并

通常,选蚀的最佳条件包括保持两个溶解速率之间的比例∂n>∂t,在熔融氢氧化钾和纯热磷酸中氮化镓蚀刻过程中,∂>∂条件并不持续,这似乎是这些蚀刻剂的主要缺点因此我们可以得出这样的结论:当使用氢氧化钾和热磷酸暴露位错氮化镓增长6H-SiC,合并的影响会导致一个错误估计位错密度时,因为可见的蚀刻坑的数量可能不对应实际的缺陷的数量。

结果表明,通过在蚀刻剂中加入额外的药剂,即Me离子,可以优化选择性蚀刻的过程

氯化铝(氯化铁)的饱和水溶液中的离子引入到蚀刻剂中当使用磷酸和氯化铝或氯化铁水溶液,体积比为5:1时,效果最好结果我们得到了壁光滑的清晰蚀刻坑

我们还发现,这种用Al3+和Fe3+离子进行蚀刻的方法可以用于氮化镓的位错蚀刻,因为它实际上消除了表面对蚀刻模式的影响,众所周知,通过蚀刻坑显示的缺陷受到表面条件的强烈影响,如果选择性蚀刻前的表面没有用方法处理,如电致抛光,在蚀刻前用于硅暴露位错,那么蚀刻坑不仅可以反映穿过表面的位错,还可以反映表面的缺陷结构。这也可能导致在根据蚀刻坑的数量来估计位错密度时出现的误差。不幸的是,由于缺乏对氮化镓材料进行润蚀的方法,对氮化镓生长表面的特殊处理难以进行。

用铝离子对磷酸中氮化镓进行湿法化学刻蚀 

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3为氮化镓样品在纯热正磷酸和在同一酸中加入al3+离子中蚀刻后获得的S电镜图像。在这两种情况下,蚀刻的持续时间是相同的请注意,在纯热磷酸中的蚀刻暴露了深和浅的蚀刻坑AFM研究表明后者具有其特定的几何形状,即其深度仅在10nm左右,其底部是扁平的我们认为它们与表面层的缺陷有关3b显示,当使用Al3+离子蚀刻剂时,这些浅凹坑发育不多。

我们已知与表层缺陷相连的蚀刻坑的形成是由平行于表面的单原子溶解步骤的运动速率所控制的根据模型,al3+离子的作用在于通过对溶解步骤的吸附来降低∂t,这些离子阻止了成核后与表层缺陷相连的蚀刻坑的进一步发展因此,在热磷酸中引入Fe3+和Al3+等吸附离子,可以消除表面对蚀刻图案特征的影响,从而优化蚀刻条件,以便根据蚀刻坑的数量更适当地估计位错密度。

我们还发现,在添加Al3+和Fe3+离子的热磷酸中蚀刻氮化镓的外延层,可以暴露一些在使用熔融氢氧化钾或纯磷酸时根本没有观察到的缺陷氮化镓层生长在外来基质上这一事实最显著的后果之一是形成了面向晶体的裂缝网,从而破坏了该层由于生长后冷却过程中的热应力而发生开裂开裂通常可以通过化学蚀刻暴露在氮化镓中当使用蚀刻剂,如熔融的氢氧化钾或热的磷酸时,裂纹被强烈地蚀刻到基底上。然而当我们应用于添加al3+离子的裂纹层热磷酸时,我们得到了不同的模式在这种情况下,在裂缝相互交叉的点上,我们在靠近基底的剩余亚层中观察到一个六边形的凹坑六边形矿坑壁的高度约为0.4微米。

我们认为,这些蚀刻坑所暴露的缺陷是位错簇,它们是在基底缺陷点生长时形成的,并作为应力的集中器在外延生长后的样品冷却过程中,这些位错团簇可能作为层中的开裂点因此与在熔融氢氧化钾或纯热磷酸中蚀刻相比,添加Al3+和Fe3+离子在热正磷酸中蚀刻可以提供更多关于氮化镓外延层缺陷结构的信息。

总之,我们优化了选择性湿化学蚀刻的方法博览会位错结构外延氮化镓层表明添加离子铝3+和铁3+热正磷酸可以获得清晰的蚀坑与光滑的墙壁,避免过度蚀刻和合并的坑专门腐蚀氮化镓熔融氢氧化钾和纯磷酸确定铝3+或铁3+离子蚀刻剂也减少与表面缺陷相关的坑的数量表明在如此优化的条件下进行蚀刻有助于暴露外延氮化镓层的缺陷,这可能作为层中的开裂点。


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