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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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氢氧化钾硅湿法蚀刻的聚合物掩模保护

时间: 2022-03-09
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氢氧化钾硅湿法蚀刻的聚合物掩模保护

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本文提出了一种新的硅块微加工装置,它利用聚合物保护涂层ProTEKRB2涂层代替传统的硬掩模考虑了不同浓度的氢氧化钾和浴条件ProTEKRB2涂层与硅衬底具有良好的粘附性,没有降解、蚀刻率和表面粗糙度,蚀刻时间大于180min且不破坏前侧微结构微悬臂梁也使用两种不同的工艺流程制造,以证明这种保护涂层在微机电系统(MEMS)工艺中的适用性。

实验在不同的氢氧化钾浴条件下进行,样品与水平位置相比,将样品保持在垂直位置,以便更好地从蚀刻表面排出氢气泡,并更好地对样品进行视觉控制,氢氧化钾蚀刻装置如图1。

 氢氧化钾硅湿法蚀刻的聚合物掩模保护

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在沉积ProTEKRB2涂层之前,必须将一种特定的引物自旋应用于Si表面,以提高薄膜的粘附性然后需要在热盘上以130°C-150°C进行软烤保护涂层可以以1000rpm的速度旋转涂在样品上90秒然后分三个步骤进行硬烘烤:150°C 2min,170°C 2min,225°C 1min。这些步骤需要达到聚合物的最佳稳定性和粘附性,从而避免在氢氧化钾蚀刻过程中出现不必要的剥离在这些条件下涂层的平均厚度为12微米。湿蚀刻后,样品清洗如下:首先应用特定的去除液约20-40min,使保护层溶解然后为了完全去除,必须分别在3:1的硫酸和过氧化氢溶液中进行额外的“食人鱼”蚀刻,持续10分钟

由于聚合物保护涂层是透明的,设计的阶段允许在蚀刻过程中对样品的背面和正面进行视觉控制因此,在测试期间很容易记录任何可能出现的问题。随着氢氧化钾重量浓度(20%wt、30%wt和40%wt)的增加,蚀刻率呈非线性下降在不同的测试浴条件下,添加表面活性剂对硅蚀刻速率的影响最小,而搅拌器搅拌起着更重要的作用。这种行为可能是由于搅拌器的添加能更好地最小化所谓的“掩膜气泡”现象搅拌器和表面活性剂的结合似乎没有引起任何明显的效果,仅通过搅拌而引起的试验的蚀刻速率大致相同

随后对热氧化硅掩模的蚀刻速率也进行了表征,以评价该过程的选择性,即硅和二氧化硅的蚀刻速率之间的比率在不添加表面活性剂的情况下,氢氧化钾浓度最低(20%wt)的比例最高随着氢氧化钾浓度的增加,其选择性比硅蚀刻速率的变化趋势更呈线性变化这是由于氧化硅蚀刻速率作为氢氧化钾浓度的函数的线性增加行为在所有四种浴液条件下,选择性值没有真正的差异这意味着Si和二氧化硅对表面活性剂和/或搅拌器的添加物有类似的依赖性。

各向异性蚀刻的单晶硅表面的粗糙度是另一个可用于识别聚合物掩蔽对氢氧化钾浴液的任何影响的关键参数研究粗糙度主要有两个原因首先,微加工器件的表面粗糙度会影响到其性能第二个原因是要证明在湿蚀刻过程中聚合物掩模的存在和样品的垂直位置不影响硅(1 0 0)取向衬底上的粗糙度和形貌。

为了获得关于表面粗糙度的全局信息,在7个不同的方形扫描区域(120×120µm2)上对每个样品进行了AFM接触模式测量,并与在相同条件下蚀刻的未涂层参考样品的测量结果进行了比较。用于定量形态学评价的参数为均方根粗糙度Rq和平均粗糙度Ra对于所有浓度,在纯氢氧化钾搅拌条件下获得了最高的粗糙度,而纯氢氧化钾在静态条件下观察到明显的粗糙度下降表面活性剂SDSS的加入导致了平滑度的显著提高当搅拌与使用表面活性剂结合时,在所有的氢氧化钾浓度下,粗糙度都会有非常轻微的增加。

氢氧化钾硅湿法蚀刻的聚合物掩模保护 

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FESEM进行的形态学研究证实了AFM表征的结果。在最低浓度下,锥体突起严重影响表面(图6(a)),对于30%的wt氢氧化钾溶液,锥体的大小大大减小(图6(b)),而对于40%的wt氢氧化钾,偶尔会观察到锥体(图6(c))。通常在氢氧化钾中蚀刻的硅(1 0 0)表面上可以观察到锥体突起根据一些研究表明,随着氢氧化钾浓度的增加,金字塔的密度和大小都显著减小不均匀的山丘大小表明,缺陷是在蚀刻过程中不断产生的。因此,缺陷的产生是蚀刻工艺所固有的除浓度外,其他因素还影响氢氧化钾蚀刻过程中小山丘的形成、密度、形状和尺寸包括浴温度和是否存在添加剂

此外,在垂直位置蚀刻的氢气泡运动引起的螺旋状图案没有观察到这可能是由于在这项工作中使用的温度较高所有的测试都表明,蚀刻率、粗糙度和蚀刻形态似乎没有受到聚合物涂层的影响,因为从参考样品和文献中没有发现明显的不匹配这证实了ProTEKRB2涂层的存在不影响氢氧化钾浴条件的假设,并为氢氧化钾湿蚀刻掩蔽层提供了一种成本效益和高效的技术选择。

通过研究了一种替代传统保护掩模对氢氧化钾批量微加工的替代方法提出了使用聚合物保护涂层和一种新的、经济有效的氢氧化钾蚀刻装置,它们共同消除了在设备侧使用硬掩模的需要。此外,已经证明,蚀刻表面的蚀刻速率和形貌不受器件上存在的聚合物保护的影响这种聚合物可以很容易地旋转涂在晶片上并从晶片上去除,其持久性允许超过3小时的蚀刻聚合物涂层减少了膜损伤的问题。

因为不需要高温,表面不产生应力LPCVD和PECVD硬掩模沉积工艺相比,这种保护解决方案在工艺时间和成本方面也很方便结果表明,在完全去除ProTEKRB2涂层后,硅表面保持了自身的特性采用了MEMS制造过程,从SOI衬底中获得了悬臂梁使用了两种不同的工艺流程来证明可以在设备侧的图案化工艺之后或之前应用聚合物保护。


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