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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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SC-1 处理过的硅晶片的TXRF

时间: 2022-03-16
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SC-1 处理过的硅晶片的TXRF

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引言

硅水清洗是集成电路制造过程中最常用的处理步骤。这一过总旨在去除几种不同类型的污染物,其中包括颗粒、金属和有机物。然而,据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由清洗后残留在硅晶片表面上的污染物造成的。本文的目的是记录在硅晶片表面上使用改进的超高纯度化学物质的效果,该效果通过全反射x射线荧光测量,TXRF。在这项研究中。用标准等级的化学物质和超高纯度的化学物质清洗硅样品,然后用TXRF测量金属杂质。发现超高纯度化学物质的使用大大减少了清洗后存在于棉卷表面的表面污染物的量。

 

介绍

20世纪50年代以来,硅片清洗一直是半导体器件制造中不可或缺的一部分,事实上,它是集成电路制造过程中最常用的加工步骤。晶片清洗的目的是在不降低其结构的情况下从硅表面去除污染物。不能低估充分清洁的重要性,因为已知残留在衬底表面上的污染物会降低器件性能、可靠性和产量。据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由微分层造成的晶片清洗将继续是器件制造中的重要工艺步骤,尤其是当器件几何尺寸接近亚半微米尺寸时。

残留在半导体表面上的污染物会在随后的加工过程中造成各种不利影响,这取决于杂质的性质。颗粒会造成各种加工操作的阻塞或掩蔽,例如在蚀刻或光刻过程中。薄膜生长或沉积过程中出现的颗粒会导致针孔和微孔,如果颗粒足够大且具有导电性,则会导致导线之间发生射击。在器件加工的几乎任何步骤中,金属杂质也会污染sil- icon晶片表面。这种污染将导致p-n结处电流泄漏的增加、氧化物击穿电压的降低以及少数载流子寿命的恶化。许多金属能够在接近硅带隙(1.12电子伏)的中间位置引入局域能态,从而产生降低少数载流子寿命的高效生成复合中心。这些中心也被称为陷阱。例如,通过在硅价带边以上0.40和0.55电子伏处引入体陷阱,铁可能导致漏电流,从而阻止动态随机存取存储器(DRAM)设备满足刷新规范。

 SC-1 处理过的硅晶片的TXRF

图 1 TRXRF单元的配置

      图1”描述了典型TXRF装置的仪器配置。在整个研究过程中使用了飞利浦X射线分析公司的TE CHNOS TREX 610装置,该装置位于德克萨斯州谢尔曼的德州仪器的硅产品部门。TREX 610采用带有钨靶的旋转阳极。单色仪选择W-Lβ线作为激发过渡金属的有效能量源。氟化锂晶体单色仪与消除过度散射的狭缝一起减少了背景信号,从而提高了检测限。样品台根据全反射位置进行调整。样品室被涡轮分子泵压至0.1-0.2托的基础压力,以防止大气污染和x射线散射。”

2显示了典型的TXRF频谱。荧光强度(ⅰ)以每秒计数(cps)为单位,相对于0至10千电子伏的荧光能量绘制。出现在1.74电子伏的大峰值来自硅衬底,而另一个出现在9.67电子伏的大峰值的来源是二硼化钨x射线。

将化学源从标准等级的NH、OH和HCO转换为超高纯度的NH、OH和HCO。这种转变是由于SPD努力将硅片上的铜、镍、铁和锌含量降低到5×10”原子/厘米以下。向超高纯度氢的转变;O_,在第34天产生,在第63天转变为超高纯度NH OH。

 

实验

学习期间;化学品(氢、氧;和新罕布什尔州),由达拉斯的化学运行部供应给谢尔曼的硅产品部。最初,这些材料是标准等级的,但后来改为超高纯度。表一列出了研究期间跟踪的四种金属(锌、铜、镍和铁)的规格(杂质的最高可接受容差)。可以看出,改用纯度更高的化学品导致容差更紧,为S0-100倍。

化学运行部的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和石墨炉原子吸收光谱(GFAAS)装置监控供应给SPD的化学品中的金属杂质水平。金属水平检查符合上述规格。A F-PQS模型电感耦合等离子体质谱法用于铜、镍和锌的分析。“氢氧”的样品制备包括用去离子水以1:1稀释,同时先用蒸汽或加热浴将氢氧化铵蒸发至接近干燥(约为其原始体积的10 %)。这两种化学物质都是通过氩气载气引入系统的,国家标准和技术研究所(NIST)全程使用可追溯标准进行校准。

用瓦里安SpectAA 300/ 400系列石墨炉原子吸收光谱仪测量铁含量,该仪器配有塞曼背景校正和热解涂层石墨管。样品直接注入并在2600℃雾化。使用NIST可追踪铁标准进行校准。

       整个研究中使用的硅样品是直拉法生长的p型(掺硼)150毫米二氧化硅晶片,电阻率为8-10平方厘米。沃特斯紧随其后

SPD中使用的常规工艺流程,包括机械抛光和清洗。水域看到的最后过程包括通过两条可能的清理路线之一。

所有晶片首先通过包含SC-1清洁剂(l:4:20 NH,OH:HCO,HCO)的80℃清洗线10分钟,然后用6分钟的室温去离子水冲洗。然后将一些晶片通过附加的60℃,10分钟的SC-1溶液(1:3:50 NH,OH:H2O),接着是1-2分钟的室温HF漂洗,另一个60℃,10分钟的SC-1 (1:3:50 NH,OH:H,。o;:HCO)清洗,并用去离子水冲洗。SC-1的目的是去除颗粒,HF漂洗的目的是去除残留的工艺化学品。在这两种情况下,晶圆片暴露的最后一种化学处理包括不同浓度的HCO和羟基。

然后通过全反射x射线荧光(TXRF)分析晶片。使用掠射角为0.13”的TECHNOS TREX 610装置检测表面金属。提供200毫安的电流和30千伏的电压。在每个水面上的三个点进行分析,称为边缘(距离水边缘1厘米)、中心(偏离中心0.2毫米)和半半径(中心和边缘之间距离的一半)。另外。以类似的方式分析了来自同一批次的三种不同的水,总共九个数据点。由TXRF测量的这九个点的值是四种金属(铁)的金属污染水平的平均值,单位为10“原子/厘米”。锌、镍和铜。

 

结果和讨论

1中列出的规格是指标准和超高纯度等级化学品中杂质的最高可接受水平。实际上,杂质水平通常要低得多。表二和表三给出了标准和超高纯度HCO以及标准和超高纯度NH OH中实际金属含量的平均值。平均值基于20至30个样品,每个样品取自不同的生产批次,通过电感耦合等离子体质谱法或石墨炉原子吸收光谱法测量。锌和铜的降幅最大:

应该注意的是,在许多情况下,特别是对于铜和镍,实际值低于仪器检测极限。在这些情况下,检测极限被用作表面金属值。向超高纯度化学制品的转变导致了锌、铜和镍向低表面金属的明显转变。没有观察到铁的这种偏移。

表面锌水平实现了最显著的改善,平均水平从111.4降低到了10030.3 x 10英寸原子/厘米。表面铜被降低到7.2毫摩尔4.8×10“原子/厘米”,而镍从3.6减少到3.1×10“原子/厘米”。铁水平没有遵循类似的趋势;平均表面值从12.6提高到15.5×10英寸原子/厘米。平均值的比较表明,在锌和镍的95%置信水平上,转换前后的差异有统计学意义,而在铜的80 %置信水平上,差异有统计学意义。在每种情况下,标准偏差都有所改善。


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