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本文介绍了抗蚀剂工艺的基础知识，包括实用技术，接近模式是一种具有成本效益的过程，具有实现任意2-3微米宽度模式的潜力，在解释了标准过程和机制之后，描述了MEMS区域中的一些问题。
光刻的基础是基板面统一的并列处理，与利用工具的机械加工相比，能够越精细地增加制作装置数量等，发挥包括生产率在内的威力，在MEMS领域中，在图案化中，可能不是利用步进器，而是利用对准器的近距离曝光，成本效益高，最小稳定图案宽度为2-3微米。
图1
图1是经验少的学生利用OFPR-800LB光刻胶进行图案化的例子，图1（a）乍一看是坏的（1）整个基板上附有细小的垃圾；（2）光刻胶颜色不均匀，有渐变部分；（3）上部提供间距为10微米的线-和-空间（占空比为1：1），但5µm宽的线可能倾斜或丢失。说明原因：（1）中的细小垃圾当然应该清除，将圆型晶片切割，做成小芯片状使用，可以认为是此时的垃圾，作为基板清洗，学习使用食人鱼溶液（硫酸和过氧化氢水）等强化学药品进行处理。实际上，在图1(a)中进行了该清洁处理，但是，划片中最有可能的垃圾是硅的碎片。食人鱼溶液对有机物有效，不能去除硅。建议用有机溶剂和软纤维，如棉签，机械擦拭，擦拭的方向不要往复，以一定的方向为好；（2）和（3）是同样的理由，从细小的模式流动可以推测，模式转录本身已经完成，但湿显影处理发生了异常，正抗蚀剂基本上与基板的粘合较弱，当成膜时，抗蚀剂以液体状态拉伸到基板上，通过预焙，稀释剂脱落，体积收缩，作为结构材料考虑的话，可以认为是大的膜应力在起作用。
图2
图2是很多教科书中介绍的光刻胶工艺一连串的工序，预处理包括清洁和六甲基二硅烷（HMDS）处理，迅速地从硅表面除去水的多分子层并疏水化。
图3显示了HMDS处理中产生的表面改性（1），HMDS与Si表面的OH反应，使表面成为疏水性，实际上，在图1（a）的例子中也使用了这种方法，在HMDS自旋涂覆后，继续自旋涂覆抗蚀剂，如果出现（2）（3）问题，建议在HMDS涂抹后高温烘烤，如果没有限制，最好在200℃以上，HMDS分子分解·固定在基板上时，作为表面活性剂发挥作用，仅暴露于HMDS中时，随附生成的氨和未反应的HMDS残留在硅表面，在270℃烘烤的物质中，没有确认到这些物质的存在，抗蚀剂开始咬住基板，在为旋涂而滴下抗蚀剂时，观察到抗蚀剂难以扩散的情况，图1(b)显示了200℃烘烤措施，良好的模式在有无抗蚀剂之间的差异很明显，没有中间色和晕染。
图3
综上所述，可以理解抗蚀剂膜厚选择的指针，为了实现微细图案，基本是在允许的范围内使抗蚀剂膜变薄，当抗蚀剂-基板之间的接触面积相同且抗蚀剂膜变厚时，涂膜应力的膜厚度积分值变大，因此容易剥离，在MEMS特有的厚膜抗蚀剂中，除了低附着力外，还会出现裂纹，这是共同的问题，主要是通过材料解决，但也有处理上的注意点，在将基板从高温状态中取出等情况下，通过导热率低的材料等，避免陡峭的温度变化引起的温度冲击。
如果到成膜为止都正确进行，那么决定解像度的第一件事就是曝光，在微细图案的转录中，应该意识到硬接触，这是因为即使是微小的间隙，光强度分布也会随着光传播而与掩模的光强度分布发生变化，厚膜抗蚀剂需要UV光的透射率高，这是因为，如果光不能通过抗蚀剂层进行吸收，就无法形成图案，即使通过，如果光刻胶的表面侧和基板侧的曝光量极端不同，图案侧壁也不会垂直。另外，显影通过显影液从抗蚀剂表面侧接触，向基板依次进行，表面侧接触显影液的时间越长，表面侧显影时间越长，对于曝光部分溶解的正型光刻胶，表面侧的曝光量无论如何都较多且显影时间也较长，表面侧容易溶解，基板侧难以溶解。也就是说，侧壁难以垂直。相反，对于曝光部分不溶的负型光刻胶，由于被强烈曝光而难以溶解的表面侧显影时间较长，因此更具有溶解的条件，相互抵消而容易得到垂直壁，在用厚膜抗蚀剂形成垂直图案时，使用透过率高的负型抗蚀剂在原理上是有利的。
通常，抗蚀剂的适用性曝光量随膜厚变化而变化，SU-8不太受曝光量变化的影响，这是因为UV透过率高，在100µm左右的膜厚下，UV吸收量不大，当膜厚较厚，需要精细图案时，应同时使用显影液槽的搅拌和超声波处理，但是，与微细图案的倒下和剥落之间存在着权衡，干燥时产生的冲洗液的表面张力是主要原因，有时使用的不是表面张力为72kN/m的水，而是24kN/m的叔丁醇50%水溶液。但是，一般来说，表面张力小的液体容易侵入抗蚀剂和基板的界面，容易引起图案剥落，虽然工艺变得复杂，但如果使用利用升华的冷冻干燥法，表面张力几乎可以降低为0。
关于抗蚀剂过程，介绍了通常很难在讨论中出现的部分,由于近距离曝光本身很简单，所以对照原理，希望能为判断提供参考。