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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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抗蚀剂工艺基础

时间: 2022-04-07
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抗蚀剂工艺基础

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本文介绍了抗蚀剂工艺的基础知识,包括实用技术接近模式是一种具有成本效益的过程,具有实现任意2-3微米宽度模式的潜力在解释了标准过程和机制之后,描述了MEMS区域中的一些问题。

光刻的基础是基板面统一的并列处理,与利用工具的机械加工相比,能够越精细地增加制作装置数量等,发挥包括生产率在内的威力,在MEMS领域中,在图案化中,可能不是利用步进器,而是利用对准器的近距离曝光,成本效益高,最小稳定图案宽度为2-3微米。

抗蚀剂工艺基础

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1是经验少的学生利用OFPR-800LB光刻胶进行图案化的例子,图1(a)乍一看是坏的(1)整个基板上附有细小的垃圾;(2)光刻胶颜色不均匀,有渐变部分;(3)上部提供间距为10微米的线-和-空间(占空比为1:1),但5µm宽的线可能倾斜或丢失。说明原因:(1)中的细小垃圾当然应该清除,将圆型晶片切割,做成小芯片状使用,可以认为是此时的垃圾,作为基板清洗,学习使用食人鱼溶液(硫酸和过氧化氢水)等强化学药品进行处理。实际上,在图1(a)中进行了该清洁处理,但是,划片中最有可能的垃圾是硅的碎片。食人鱼溶液对有机物有效,不能去除硅。建议用有机溶剂和软纤维,如棉签,机械擦拭,擦拭的方向不要往复,以一定的方向为好;(2)和(3)是同样的理由,从细小的模式流动可以推测,模式转录本身已经完成,但湿显影处理发生了异常,正抗蚀剂基本上与基板的粘合较弱,当成膜时,抗蚀剂以液体状态拉伸到基板上,通过预焙,稀释剂脱落,体积收缩,作为结构材料考虑的话,可以认为是大的膜应力在起作用。

抗蚀剂工艺基础

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2是很多教科书中介绍的光刻胶工艺一连串的工序,预处理包括清洁和六甲基二硅烷(HMDS)处理,迅速地从硅表面除去水的多分子层并疏水化。

3显示了HMDS处理中产生的表面改性(1),HMDS与Si表面的OH反应,使表面成为疏水性,实际上,在图1(a)的例子中也使用了这种方法,在HMDS自旋涂覆后,继续自旋涂覆抗蚀剂,如果出现(2)(3)问题,建议在HMDS涂抹后高温烘烤,如果没有限制,最好在200℃以上,HMDS分子分解·固定在基板上时,作为表面活性剂发挥作用,仅暴露于HMDS中时,随附生成的氨和未反应的HMDS残留在硅表面,在270℃烘烤的物质中,没有确认到这些物质的存在,抗蚀剂开始咬住基板,在为旋涂而滴下抗蚀剂时,观察到抗蚀剂难以扩散的情况,图1(b)显示了200℃烘烤措施,良好的模式在有无抗蚀剂之间的差异很明显,没有中间色和晕染。

抗蚀剂工艺基础

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综上所述,可以理解抗蚀剂膜厚选择的指针,为了实现微细图案,基本是在允许的范围内使抗蚀剂膜变薄,当抗蚀剂-基板之间的接触面积相同且抗蚀剂膜变厚时,涂膜应力的膜厚度积分值变大,因此容易剥离,在MEMS特有的厚膜抗蚀剂中,除了低附着力外,还会出现裂纹,这是共同的问题,主要是通过材料解决,但也有处理上的注意点,在将基板从高温状态中取出等情况下,通过导热率低的材料等,避免陡峭的温度变化引起的温度冲击。

如果到成膜为止都正确进行,那么决定解像度的第一件事就是曝光,在微细图案的转录中,应该意识到硬接触,这是因为即使是微小的间隙,光强度分布也会随着光传播而与掩模的光强度分布发生变化,厚膜抗蚀剂需要UV光的透射率高,这是因为,如果光不能通过抗蚀剂层进行吸收,就无法形成图案,即使通过,如果光刻胶的表面侧和基板侧的曝光量极端不同,图案侧壁也不会垂直。另外,显影通过显影液从抗蚀剂表面侧接触,向基板依次进行,表面侧接触显影液的时间越长,表面侧显影时间越长,对于曝光部分溶解的正型光刻胶,表面侧的曝光量无论如何都较多且显影时间也较长,表面侧容易溶解,基板侧难以溶解。也就是说,侧壁难以垂直。相反,对于曝光部分不溶的负型光刻胶,由于被强烈曝光而难以溶解的表面侧显影时间较长,因此更具有溶解的条件,相互抵消而容易得到垂直壁,在用厚膜抗蚀剂形成垂直图案时,使用透过率高的负型抗蚀剂在原理上是有利的。

通常,抗蚀剂的适用性曝光量随膜厚变化而变化,SU-8不太受曝光量变化的影响,这是因为UV透过率高,在100µm左右的膜厚下,UV吸收量不大,当膜厚较厚,需要精细图案时,应同时使用显影液槽的搅拌和超声波处理,但是,与微细图案的倒下和剥落之间存在着权衡,干燥时产生的冲洗液的表面张力是主要原因,有时使用的不是表面张力为72kN/m的水,而是24kN/m的叔丁醇50%水溶液。但是,一般来说,表面张力小的液体容易侵入抗蚀剂和基板的界面,容易引起图案剥落,虽然工艺变得复杂,但如果使用利用升华的冷冻干燥法,表面张力几乎可以降低为0。

关于抗蚀剂过程,介绍了通常很难在讨论中出现的部分,由于近距离曝光本身很简单,所以对照原理,希望能为判断提供参考。

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