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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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蚀刻工艺表征

时间: 2022-04-14
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蚀刻工艺表征

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初始屏蔽检查

对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓,无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能,对横截面进行SEM检查,以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度。对于大特征和非关键蚀刻,可能只需要测量掩模厚度。

检查抗蚀剂掩模是否需要去渣。一般来说,通过去除显影步骤留下的有机残留物,去渣将使蚀刻步骤在每次运行之间更加一致。在某些情况下,不管曝光和显影时间如何,这种残留物都会残留,并且去渣步骤是蚀刻工作所必需的步骤。二氧化硅上的AZ抗蚀剂的例子如下:

蚀刻工艺表征

要测量掩模厚度,您可以使用横截面扫描电镜和补充软件。此外,对于透明薄膜,如光致抗蚀剂和电介质,您可以使用反射计或椭偏仪工具。掩模的初始厚度很重要,因为蚀刻过程的结果称为选择性,定义为材料对掩模的蚀刻速率。如果你选择的工艺的选择性很差,你将不能蚀刻到你的材料很深,或者你可能需要一个更厚的掩模。另一方面,对于某些工艺,例如深硅蚀刻,对于适当选择的掩模,选择性可能非常高,超过100比1。

 

工具选择

蚀刻工具是高度专业化的,每种工具都有自己的一套工艺气体、材料和样品尺寸限制。为您的工艺选择合适的样品并确保您的设备符合材料限制非常重要。在蚀刻过程中使用错误的材料会破坏你自己的工艺,也会污染以后的工具。将腔室恢复到初始状态可以使整个蚀刻室停工一整天来清洁污染物。

使用下表作为工具选择的指南。与员工一起检查以确保您的样品和过程是兼容的,这从来都不是一个坏主意。

蚀刻工艺表征

大多数蚀刻工具很容易接受4英寸的晶片,并可以重新配置为2英寸或6英寸。然而,不规则的形状,例如小片和正方形衬底,需要载体将它们保持在室内。选择载体与选择工艺化学同样重要。在蚀刻过程中,气体会与载体相互作用,产生会影响样品的副产品。此外,热导率对掩模的选择性和蚀刻速率有很大影响。尽管一些工具提供了备用惰性载体,但为您的工艺配备自己的载体以防止交叉污染始终是一个好主意。

 

准备试验箱:清洁和调节

在多用户设施中,当第一次使用工具时,人们永远无法确定工具和蚀刻室的状态。尽管大多数蚀刻工具都有使用后清洁处理室的规定,但最好检查一下,确保之前的用户已经执行了正确的清洁步骤。您也可以使用标准清洁方法,使用空室或提供的清洁载体运行您自己的清洁步骤。

下一步是调节试验箱。这意味着用我们的实际配方运行虚拟样品或载体一小段时间,通常不超过5分钟。该步骤将准备质量流量控制器,并确保气缸打开。此外,这一步会用您的样品在蚀刻过程中会看到的材料覆盖反应室的侧壁。在没有调节的情况下,样品在蚀刻开始时(清洁室)与蚀刻结束时(调节室)将经历不同的室条件。一个接一个地运行多个样本具有相似的效果。理想情况下,您希望您的样品在整个过程中看到相同的反应室条件,并且调节步骤为第一次蚀刻的第一部分准备反应室。调节是可选的,但强烈建议确保可重复的结果。在所有的蚀刻之后,通常需要另一个清洁步骤,以便为下一个使用者留下清洁的、可预测的工具。下图总结了所有步骤。

 

蚀刻后的计量

在执行蚀刻工艺之后,需要进行几个测量来适当地表征该工艺。其中包括蚀刻速率、选择性、均匀性和侧壁角度。采用横截面扫描电镜将有助于您提取蚀刻材料厚度和掩模最终厚度的数据。这些蚀刻速率的比率决定了选择性。你也可以测量侧壁角度,如果这很重要的话,并且,如果图案是为其设计的,提取蚀刻速率对特征类型和尺寸的依赖性的数据。小的隔离孔与大的开放区域蚀刻不同。这被称为纵横比依赖蚀刻(ARDE)。下面是深硅蚀刻的例子。

为了测量较大样品或晶片的均匀性,在五个点进行测量:十字图案的中心和四个边缘。使用下面的公式快速测量均匀度:(最大‐最小)/(2 *最大)*100%

均匀性可能不适用于小芯片。

关于选择性有一个重要注意事项,它主要与光致抗蚀剂和有机掩模相关。蚀刻配方有时在配方的第一部分包括去渣步骤。这可以去除大量的抗蚀剂,并且可以给出选择性取决于蚀刻时间的概念,时间越长,选择性越高。确保您了解去渣对掩模厚度的影响,并在适当的时间进行掩模测量。在某些情况下,重要的是仅测量第一个去渣步骤的抗蚀剂去除速率,以了解在配方中实际蚀刻步骤开始时的起始抗蚀剂厚度。

 

后续步骤

根据结果,可以修改蚀刻配方以满足您的需求。在某些情况下,可能需要改变掩模而不是蚀刻步骤本身。过程价值和最终结果之间有许多关系,但大多数相互作用不是线性的。员工在这里支持您的项目,帮助您取得成功。


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