欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

石英MEMS传感器敏感芯片的工艺详解

时间: 2021-08-06
点击次数: 82

MEMS(Micro Electro mechanical System)即微机电系统,是指采用微机电加工技术按照功能要求在微米量级的芯片上集成机械零件、电子组件和传感器执行组件等而形成的一个独立智能系统。由于单晶石英材料具有压电效应,且具有优良的温度、机械性能、高品质因素等特性,采用单晶石英制作的石英 MEMS 加速度传感器、压力传感器和石英 MEMS 陀螺仪等,具有高精度、高稳定性、高分辨率等特点,在微型惯性导航系统、姿态测量与控制、航空航天、汽车电子、仪器仪表等领域具有广泛应用,其加工工艺和设备制造技术研究对促进产业发展提供技术支持具有十分重要的意义。

 1 石英 MEMS 传感器敏感芯片结构

石英 MEMS 传感器主要应用于振动惯性器件,是通过振动原理测量运动物体的各种运动参数(包括角速度、角度、线加速度等)的惯性器件。石英 MEMS 振动惯性器件主要包括石英微机械振动陀螺、石英振梁加速度计等,其敏感结构采用石英晶体,基于石英晶体压电效应原理、采用微电子加工工艺,是振动惯性技术与微机械加工技术的有机结合。

石英微机械振动陀螺是一种音叉结构的哥氏振动陀螺,是一种 MEMS 角速度传感器。其敏感芯片结构为双端音叉结构,包括驱动音叉、读出音叉及支撑结构。石英微机械振动陀螺工作原理及敏感芯片结构如图 1 所示。驱动音叉被激励以其自然频率左右振动,当石英 MEMS 陀螺绕其垂直轴旋转时,驱动音叉受到哥氏力(Coriolis)的作用产生一个垂直于音叉平面的振动,这个哥氏力运动传递到读出音叉,使读出音叉垂直于音叉平面的方向振动,振动幅度正比于驱动音叉的速度和外加速度,利用压电效应,通过制作在读出音叉上的电极即可检测到电信号,再经过读出电路解调得到一个正比于输入角速度的直流电压输出。敏感芯片结构是以石英晶体为基体材料的一体式音叉结构,有双端音叉、单端音叉等结构形式。双端音叉结构将驱动音叉与读出音叉分开,有利于减少耦合误差,灵敏度高,但是体积较大;单端音叉结构驱动音叉与读出音叉共用一个音叉,体积小,但信号相互干扰,灵敏度低。

石英 MEMS 加速度计也即石英振梁加速度计,是一种基于石英振梁的谐振频率随外力发生变化的特性来检测运动体加速度。石英振梁加速度计工作原理及敏感芯片结构如图 2 所示。一对匹配的压电石英振梁和质量块通过挠性系统支撑形成一体。石英振梁和外电路一起构成两种不同频率的自激振荡器,若在其敏感轴方向有加速度输入时,一个振梁受到张力而另外一个振梁受到压力,相应的振荡频率一个增加一个减少,求其频率差就可以测量输入加速度大小。石英振梁加速度计敏感芯片结构采用集石英振梁、质量块、挠性支撑等一体单片式结构,通常有分体式和一体式两种形式。分体式结构由双端固定石英振梁、挠性支撑结构等组成。其优点是石英振梁、挠性支撑结构单独完成加工,工艺相对简单,但装配工艺较复杂。一体式结构是在一片石英基片上完成振梁、挠性支撑和隔离框架的制作,其优点是避免了由于材料不同引起的热匹配问题,具有更高的精度,且体积更小,更易集成装配。但其缺点在于芯片制作工艺难度大,成品率低。

2 石英 MEMS 传感器敏感芯片加工工艺

石英 MEMS 传感器敏感芯片结构采用石英晶体材料。石英通常的加工方法有机械加工、激光加工、干法刻蚀和湿法刻蚀等。机械加工、激光加工由于加工质量和尺寸精度有限,不适合石英 MEMS 传感器敏感芯片复杂微细结构;干法刻蚀结构尺寸控制好,可以得到石英晶体表面平整的高深宽比结构,但其加工成本高、效率低,目前石英的干法深刻蚀设备还不够成熟;湿法刻蚀通过光刻的方法,加工尺寸小、尺寸精度高、可批量加工、效率高、成本低,是适合于石英 MEMS 传感器敏感芯片复杂微细结构加工的工艺技术。石英 MEMS 传感器敏感芯片工艺流程如图 3 所示。石英晶片清洗干燥后,进行晶片的双面镀膜,形成湿法刻蚀的保护膜,再通过双面光刻工艺,在晶片的金属膜上形成敏感芯片结构形状,接着进行石英晶片的湿法刻蚀,形成所需要的三维芯片结构,然后在芯片结构上形成电极,形成完整的敏感芯片。由于石英湿法刻蚀液为强腐蚀性的 HF 溶液,对包括光刻胶在内的大多数物质有腐蚀性,因此一般选用金属做掩膜层,金的化学性质稳定,不与 HF 酸反应,且金掩膜层致密能很好阻止腐蚀液的渗透,但是金与石英的粘附性较差,长时间在腐蚀液中浸泡易与石英发生脱落,使掩膜失效。因此通常在金与石英间先溅射或蒸镀一层与石英粘附性较强的铬或钛,有效避免掩膜层失效。

3 湿法刻蚀工艺

石英在常压下,随着温度的变化有不同性质的变体,包括低温石英(α石英)、高温石英(β石英)和磷石英、方石英和石英玻璃等五类。其中石英玻璃是晶型二氧化硅转变为非晶型的玻璃熔体,也叫熔融石英,各向同性且不具有压电效应。石英晶体通常指低温石英(α石英),α石英晶体具有典型的压电效应,良好的绝缘性以及显著的各向异性。适合于石英不规则复杂结构加工,如尖角、空腔、高深宽比侧壁、悬臂梁等,是石英 MEMS 传感器敏感芯片复杂三维结构重要的晶体材料。

由于石英晶体原子结构排列具有方向性,不同切向的晶面原子排布结构及原子密度各异,引起不同晶面化学反应(刻蚀速率)不同,表现出各向异性特性。石英 MEMS 传感器敏感芯片湿法刻蚀工艺,利用石英晶体各向异性刻蚀特性,即通过化学刻蚀液和被刻蚀晶体之间非等向性化学反应去除刻蚀部分实现敏感芯片的微纳米图形结构。

为了获得预期稳定的刻蚀结构和良好的石英表面加工质量,就需要严格控制刻蚀时间及刻蚀速率。为了达到这个目的,一般通过选择合适的腐蚀液配比及控制腐蚀液温度、浓度来改变各晶面的刻蚀速率,减少侧向腐蚀量,达到预期形貌结构。

通常腐蚀液为 HF 溶液加入适量 NH4F 溶液,或者是饱和 NH4HF2 溶液,温度范围(40~90 ℃)±1 ℃。化学反应方程式:

SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

SiO2+4NH4F+2H2O→SiF4↑+4NH3·H2O

通常湿法蚀刻分为三个过程:①化学刻蚀液扩散至晶片表面;②刻蚀液与晶片材料发生化学反应;③反应后的产物从晶片表面扩散至溶液中,并随溶液排出。通常溶液温度越高,扩散越快;溶液浓度越高,腐蚀性越强,腐蚀速率越高。HF+NH4F+H2O 溶液与石英晶体反应的生成物 SiF62- 离子、反应过程产生的气泡也会吸附在石英晶体表面,形成微掩膜阻碍 HF 溶液的扩散。因此石英 MEMS 传感器敏感芯片湿法刻蚀设备结构技术、化学液温度、化学液流场、化学液浓度及气泡去除等是湿法刻蚀设备关键制造技术。

4 湿法刻蚀设备关键制造技术

4.1 湿法刻蚀设备整体结构技术

湿法刻蚀设备整体结构如图 4 所示,主要由安装在洁净、封闭环境的腐蚀槽及清洗槽组成,包括耐腐蚀机架、槽体、排风系统、控制系统及水气管路系统。由于 HF 溶液极强的腐蚀性,设备的安全性至关重要。通常机架采用钢结构骨架包塑,壳体为耐腐蚀性及强度好的 PP(聚丙烯)板材焊接成型。槽体材料选用高洁净、耐 HF 腐蚀及耐高温的 PVDF 材料(聚偏氟乙烯),确保长时间刻蚀过程槽体不变形。另外除了过载、过温、排风风道风压力检测,管路区酸液漏液检测等常规安全性保护,由于 HF 浓度相对较高,在操作区及管路区设置 HF 气体浓度检测报警等保护,确保设备及人员的安全。

工艺刻蚀槽为湿法刻蚀设备的核心结构单元。为实现腐蚀形貌的均匀可控性,化学液均匀扩散至晶片表面至关重要。刻蚀槽体结构原理图如图 5 所示,主要由槽体、密封槽盖、晶片转动机构、注入及排放接口等组成。槽体采用四面 360°循环溢流的结构,化学液注入采用底部两侧对称腔室均匀小孔注入及匀流洞洞板的方式,溶液循环采用风囊泵最大程度减少溶液的脉动,结合管路注入泵的压力流量调节,实现化学液自底向上四周的均匀流场。化学液底部及溢流口采用大口径排放管,确保工艺结束时,DIW(去离子水)快速冲洗终止化学腐蚀,实现腐蚀清洗一体式结构。

4.2 湿法刻蚀槽体浓度控制技术

通常化学液浓度越高,腐蚀性越强,侧向腐蚀性也越强,形貌控制越困难。石英晶体湿法刻蚀通常溶液温度在 40~90 ℃,溶液挥发很快,如果不能有效控制溶液挥发,溶液浓度上升很快,腐蚀过程形貌无法有效控制。高精度浓度控制仪可以实现对 HF 离子浓度精准检测及控制,但是实现复杂,成本较高。如图 6 所示,采用冷凝密封槽盖,槽盖呈拱形结构,槽盖内通入 10~15 ℃的冷却水,有效冷凝腐蚀过程挥发的溶液,并通过冷凝盖人字形结构有效导入工艺槽中。槽盖选用不锈钢材料,整体喷氟耐腐蚀保护,密封圈选用氟材料。

结合工艺槽精密液位检测机构及自动定时定量补水系统,实现腐蚀过程浓度不上升。

通常一定配比的溶液(浓度)试验好后,在整个腐蚀过程中,氟离子会减少,浓度会下降,腐蚀效率会降低,腐蚀时间就会延长,造成不可控因素增加。因此,通常采用大容量的腐蚀液,即工艺槽与大容积储液槽通过循环泵连接使用,以降低浓度下降的速率。溶液加热采用储液槽投入式加热元件管路在线加热,结合晶片转动机构,实现刻蚀槽体溶液温度均匀性。

4.3 晶片旋转运动控制技术

石英晶体腐蚀过程会产生一定量的 SiF4 气体,在溶液中形成气泡,这些气泡会形成微掩膜而影响酸液扩散,通过晶片的提升或旋转运动可以有效排出气泡。另外,晶片转动实现晶片上各个点最大限度出现在槽体中各个位置,才能与溶液温度、流场、浓度等控制完美结合。为此采用晶片自转+公转的方式,晶片转动机构如图 7 所示,主要由晶片装载夹具及传动轴组成,典型参数如下:旋转机构及夹具材料:PVDF 材料;夹具旋转方式:公转+自转(转速比:1/4);速度:0~10 r/min(连续可调),调节精度≤1 r。

5 结束语

湿法刻蚀设备是石英 MEMS 传感器敏感芯片结构制造的工艺载体之一,设备整体结构技术、槽体溶液浓度与流场控制、晶片旋转运动控制等关键技术是实现石英晶体形貌结构刻蚀工艺性能的重要保障。采用这些关键技术的湿法刻蚀设备应用已超过 20 台套,经过近 10 年的实际运行,证明设备制造技术性能稳定,安全可靠,工艺适应性强,可扩展应用于其他湿法刻蚀工艺领域,例如 MEMS 中单晶硅深槽刻蚀、铝图形刻蚀等工艺。华林科纳(江苏)是国内专业从事湿法刻蚀设备的厂家,其湿法刻蚀设备已应用于国内很多半导体厂家。

注意:此处包含的信息、建议和意见仅供参考,仅供您考虑、查询和验证。不以任何方式保证任何材料在特定应用条件下的适用性。华林科纳CSE对以任何形式、任何情况、任何应用、测试或交流使用此处提供的数据不承担任何法律责任。此处包含的任何内容均不得解释为在任何专利下运营或侵犯任何专利的许可或授权。


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开