欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站

湿制程设备制造商


--- 全国服务热线 --- 400-8768-096
 
 
 
新闻信息中心 新闻中心
400-8768-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻信息中心

半导体工艺-刻蚀(Ecth)

时间: 2016-06-27
点击次数: 329

 

—来自华林科纳 网络部

刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。

刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳在湿法这块做得比较好。
下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:

二氧化硅腐蚀:

在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,现在国内该设备(腐蚀机)做的比较好的是苏州华林科纳,它通过与国际上知名公司的广泛合作,目前已形成湿法清洗系统 刻蚀系统CDS系统 尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品,腐蚀液是由HFNH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。

具体步骤为:

1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1015S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;

2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;

3、冲纯水;

4、甩干。

二氧化硅腐蚀机理为:

SiO2+4HF=SiF4+2H2O

SiF4+2HF=H2SiF6

H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HFNH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。

 

由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为一步光刻,只有少部分品种还分步光刻,比如2XN0032XN0042XN0132XP013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚,所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。

 

二氧化硅腐蚀后检查:

1、窗口内无残留SiO2(去胶重新光刻);

2、窗口内无氧化物小岛(去胶重新光刻);

3、窗口边缘无过腐蚀(去胶重新光刻);

4、窗口内无染色现象(报废);

5、氧化膜无腐蚀针孔(去胶重新光刻);

6、氧化膜无划伤等(去胶重新光刻)。

 

AlCVD腐蚀:

掺磷的SiO2是磷硅玻璃,如果PSG是长在铝上做钝化层,这时采用二氧化硅腐蚀液腐蚀会伤及铝层,所以一般采用如下腐蚀液:冰乙酸:氟化铵=23。具体步骤为:

1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡1015S

2、将片架放入装有腐蚀液(冰乙酸:氟化铵=23)的槽中浸泡,并且上下晃动片架;

3、将片架放入装有甲醇溶液(甲醇:纯水=11)的槽中浸泡;

4、在溢流槽中溢流冲水;

5、冲纯水;

6、甩干。

 

铝腐蚀:

在铝腐蚀清洗机中进行,具体步骤为:

1、将装有待铝腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10-15s,并且上下晃动;

2、将片架放入装有45℃左右的铝腐蚀液(磷酸+硝酸+醋酸+纯水)的槽中浸泡,上下晃动片架,使得铝腐蚀更充分,腐蚀的时间根据先行片的腐蚀时间进行调整,直到腐蚀后看到二氧化硅表面为止;

3、冲纯水;

4、甩干:在甩干机中甩干后烘干。

磷酸约占80%,主要起腐蚀铝的作用,硝酸占1%-5%,其与铝反应生成溶于水的硝酸盐,可以提高腐蚀速率,但含量过多会影响光刻胶抗蚀刻能力,醋酸占10%左右,它能降低腐蚀液的表面张力,增加硅片与腐蚀液的浸润效果,提高腐蚀均匀性,同时具有缓冲作用,纯水占5%左右。

铝腐蚀后检验,主要项目有:

1、连铝、铝过腐蚀、铝条间残铝、铝条不过细、铝条氧化——去胶后重新蒸铝;

2、铝条变色(灰、黑、黄)——如果变色严重则报废。

 

SIPOS腐蚀:

1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡2030S,上下晃动;

2、将片架放入装有腐蚀液(40%NH4F溶液:H2O40%HF溶液=1061)的槽中浸泡,并且上下晃动片架;

3、冲纯水;

4、甩干。

 

等离子体刻蚀:

等离子体刻蚀可用于刻蚀SiO2Si3N4,多晶硅等,但是,通常氧化硅用湿法腐蚀快,而氮化硅也可以采用二氧化硅腐蚀液,但是腐蚀速度慢,因此氮化硅刻蚀用干法刻蚀,所用的设备有901E/903E TEGAL plasma etching system型等离子刻蚀设备,用的的刻蚀气体有:CF4O2N2SF6CHF3NF3HeC2F6等。

1Si3N4刻蚀:

903E刻蚀机中刻蚀,刻蚀机内通入的气体有:CF4NF3He

刻蚀机理是: CF4电离→CF3+F*(氟自由基)

CF3电离→CF2+F*

CF2电离→CF1+F*

12F*+ Si3N43Si F4+2 N2

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀,生成物是气体,被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气(5%-8%),因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失,并且:CF4+O2F* +O*+COF*+COF2+CO+……  (电离)

COF*寿命较长,当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率:

COF*F* CO (电离)

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。

2SIPOS、多晶硅刻蚀:

901E刻蚀机中刻蚀,刻蚀机内通入的气体有:SF6

 

玻璃腐蚀:

 1 配制5%HF溶液,

配制腐蚀液:5%HF溶液:H2O=350

2、常温下,将硅片放入腐蚀液中浸泡;

3、在溢流槽中冲洗;

4、冲纯水;

5、甩干。

 

湿法去胶:

铝淀积前去胶在SH去胶机(湿法腐蚀机)中进行,采用SH溶液将胶氧化的方法去胶,具体步骤为:

1、在SH清洗剂(98%H2SO4H2O2=31)中浸泡;

2、在温纯水中溢流冲水;

3、在溢流槽中溢流冲水;

4、甩干。

由于酸对铝有腐蚀作用,淀积铝后去胶就不能用酸,在此采用有机溶剂OMR502剥离液去胶,在OMR剥离清洗机中进行,具体步骤为:

1、在剥离液(OMR-83剥离液)中浸泡去除光刻胶;

2、再在H-1清洗剂中浸泡去除剥离液;

3、在异丙醇中浸泡去除H-1清洗剂;

4、冲纯水;

5、甩干。

 

等离子体干法去胶:

HDK-2型等离子刻蚀去胶机去胶,在去胶机内通入刻蚀气体O2。等离子体内的活化氧使有机物在(50100)℃下很快氧化,生成CO2COH2O等挥发性成份,从而达到去胶目的。

特殊胶(PI钝化产品、带胶注入产品):PI去胶时除了O2,再加适量的CF4,如果去不干净再在等离子刻蚀机上用SF6处理。

一般在Si3N4刻蚀后去胶用有机溶剂剥除,然后在等离子体去胶机中去胶丝,刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。

 

去胶后检查:

1、有残胶——再去胶;

2、有残液——再清洗;

3、有残迹——用1号液清洗;

4、窗口有二氧化硅或铝残留。

更多设备咨询,请猛戳(http://www.hlkncse.com/index.aspx),如有需要请致电全国服务热线400-8768-096 我们将为您提供专业的技术支持和免费方案。

 

Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8768-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开