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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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半导体工艺—背蒸

时间: 2016-07-25
点击次数: 217

 

一、前处理

检验完成后送入背蒸间,蒸发工序接收圆片时要检查片子表面有无异常情况,特别是铝层有无减薄现象、中测针迹的深度等,检验合格后进行前处理。

1) 清洗:各种圆片在减薄后,背面蒸发前都要清洗,步骤如下:

1、一槽:ABZOL溶液,加热至(55±5)℃,加超声;

2、二槽:ABZOL溶液;

3、三槽:甲醇,目的是去除ABZOL溶液;

4、四槽:甲醇;

5、溢流槽:冲水,去除甲醇;

6、厚度大于200μm 的片子在离心甩干机中甩干,角片有隐裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脱水后在氮气烘箱烘干。

2) 泡酸:对于减薄片用5%HF水溶液,对于喷砂片用冰乙酸:氟化铵=13的氟化铵溶液。泡酸后必须充分冲水,使硅片上的酸液在极短的时间内冲走,以免部分酸液停留在引线孔内或中测点上导致部分地方过腐蚀。将片架放到离心甩干机中甩干。

角片冲水后经甲醇脱水后在氮气烘箱中烘干。

3) 金砷工艺背蒸前处理:清洗同前,泡酸步骤为:

1、背面单面泡5%HF溶液16s左右;

2、冲纯水;

3、甩干。

金砷蒸发在背面蒸发专用金砷工艺蒸发台中进行,金源要使用有坩埚套的。 

二、背蒸

背蒸是在离子束蒸发台中进行,背蒸工艺根据背面金属化结构来命名,具体工艺如下:

工艺名称

工艺方法

材料名

J方式

五层工艺

1.2-1.6)μm

V

Ni

AuGe

AuGeSb

Au

S方式

四层工艺

2.4-3.0)μm

Ti

Ni

SnCu

SnCu

SnCu

Au

N方式

三层工艺

最外层为金


Y方式

三层工艺

最外层为银

0.75-1.05)μm

Ti

Ni

Ag

YA方式

三层工艺

最外层为银

0.6-0.9)μm

Ti

Ni

Ag

MC方式

新四层工艺

1.1-1.4)μm

Ti

AuGe

AuGeSb

Au

LT方式

四层工艺

最外层为银

3.5±0.3)μm

Ti

Ni

Sn

Ag

Au

单层金工艺

800±100A

Au

金砷工艺

单层金工艺要掺入砷

1.4±1.6)μm

Au

 

以上工艺的真空度要求小于4×10-4PaVNiAuGe SnCuAuGeSb的纯度为99.99% AuAg的纯度为99.999%

采用多层金属工艺主要是为了节约成本,其他金属相对金来说价格便宜,但是有些金属不能和硅共熔,所以要淀积中间金属进行过渡。进行单层金工艺和金砷工艺的背金硅片需要进行金扩散。

金砷工艺是在背面蒸发的金中含有微量的砷。

三、金扩散

为了使金层与硅片结合更牢固,在背面蒸金后还需要在扩散炉进行金扩散,金扩散比较重要的控制参数有:温度(一般为1000℃左右)、时间、气流速度等,金扩散后需要在王水中浸泡进行后处理;而金砷工艺背蒸后需要进行合金化,金砷合金是在氮气和氢气气氛下进行,工艺温度在425℃左右,合金后在HF溶液中进行后处理。背面蒸金后都是扩散炉中进行。

为了防止重金属(金等)污染,金扩散工艺专业在一个独立的车间内进行,并且片架、转移盒都不能用在其他产品上。 

1、金扩散及其后处理:

将背面已蒸金的圆片进行金扩散以及扩散后背面金属的去除,具体步骤如下:

(1) 前处理:将圆片放入清洗槽中冲水后甩干。

(2) 将待扩散的圆片背向进气口方向按一定间距摆放在石英舟中,将石英舟推至炉管恒温区;按工艺条件进行金扩散。

(3) 工艺设定时间达到后出炉。

(4) 后处理:将腐蚀柜中槽中的王水(浓盐酸:浓硝酸=31)加热至沸腾,将金扩散后的圆片在王水中浸泡后放入冲水槽中冲水,甩干后放入专用片架内。

2、金砷工艺合金

金砷工艺中圆片背面合金作业步骤:

1 前处理:用5%HF溶液浸泡十几秒后冲水,甩干。

2 操作步骤和金扩散步骤相同,按照工艺条件进行。

3 后处理:用5%HF溶液浸泡后冲水,甩干。

四、背蒸后QC检验

背蒸后要进行QC检验,主要有:

1)蒸金属厚度:通常用Alpha-step IQ台阶测试仪测试陪片的金属厚度,从而得到圆片背蒸金属的厚度;

2)粘附性测试:通常利用蘸锡来测试背面金属的润湿性,如果润湿性太差会影响装片的牢度;通过贴蓝膜热处理之后揭膜来测试背面金属的粘附性,以防止在划片贴膜时由于膜的粘性将背部金属揭去(蘸锡实验已经取消,现改做揭膜试验)。

3)表面检验:主要是背面金属层是否划伤、沾污、白雾、突起、银层表面发黄等,以免影响装片质量。 

五、背蒸返工处理

背面蒸发片检查不合格以及由于其他原因造成没有完成蒸发全过程的返工处理。步骤为:

1、将圆片正面贴上蓝膜或者UV膜(大功率管是涂上光刻胶),以防止酸腐蚀硅片正面铝层。

2、将带膜硅片放入王水中腐蚀,以去除背面蒸发层直至干净为止。

3、取出硅片放入冲水槽中,将上面的酸冲去。

4、去除膜或者胶,装入专用清洗片架内,继续冲水。

5、放入烘箱内烘干。

 出厂检验

所有芯片工序结束后,进行出厂检验,检验的项目有:

1、圆片的正反面。

2、抽测每批芯片的参数:

二极管:正向电流,反向漏电流,击穿电压

三极管:电流特性,击穿特性,饱和特性,HFEts

检查完毕后进入中转库后出厂。


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