欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站

湿制程设备制造商


--- 全国服务热线 --- 400-8768-096
 
 
 
新闻信息中心 新闻中心
400-8768-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻信息中心

单片湿法刻蚀机供酸管路系统设计

时间: 2017-01-04
点击次数: 180

 

半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching),等离子刻蚀(Plasma Etching),反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。

与其它刻蚀技术相比,湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低,对硅片上器件几乎无损害,高选 择比。缺点是各向异性差,工艺控制性(对温度敏 感)差,微颗粒控制差,化学品处理费用高,由于气 泡等因素很难使用于小的图形。

半导体工业中的湿法刻蚀工艺,主要使用酸 液去除金属、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等离子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。

在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。

湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。 湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液

1 主循环回路各部件的布置

1.1 储酸槽

作为整个供液回路的起点和终 点,起到储存化学液的作用。槽的整体材料为 PFA 或 PTFE,以保证耐腐蚀性,依据液体的流动 性质,流出口设计在槽的底部与总阀及泵相连, 回流口和其它回收口、补液口都位于槽的顶盖 上。槽内装有液位计,用于测量槽内化学液存 量。液位计一般为 PTFE 或 PVDF 全包裹式,可 选多个固定液位测量式,预先设置 3~4 个位置分 别作为低液位报警或补液和高液位溢出报警使 用,也可选可全液位线性测量式,可在上位机监 控软件实时监控储酸槽内液位情况。槽的一侧上 部设置化学液溢出口,用于排出超量的化学液, 并有排气功能。

在储酸槽上要布置用于化学液补充的接口,在 液位传感器感知到储酸槽中化学液量不足时,启动 补液泵,通过补液管路从外部化学液储存系统中向 设备内的储酸槽补充化学液。 另外,在储酸槽上要布置用于 DI 水冲洗槽的 供水接口。

同时,适当的控制补液和供 DI 水的量,也是 调整管路内化学液浓度的直接方法。由于化学液 的浓度是湿法刻蚀工艺的重要工艺参数,浓度不 是固定值,随着硅片处理量的增加,浓度会不断降 低,而浓度的降低会影响不同批次处理硅片的工 艺时间,所以,在处理一定批次硅片后,要适当补 液来提高化学液的浓度,也可在必要时供 DI 水, 降低浓度。

1.2 加热器与热交换器的布置

  对于单片湿法刻蚀,一般选用在线加热器(inline heater),采用发热电阻丝, 外层包裹或涂覆 PTFE 层,化  学液从进口流入加热 器内,控制电路控制电阻丝对化学液加热,加热后 的化学液从出口流出。

热交换器的作用是降低化学液的温度,使其稳 定在要求的工艺温度范围内,通常使用常温水来冷 却,可选用在线式或储酸槽内布置等方式。图 3 为 在线式热交换器示意图,冷却水为 18 ℃的去离子 水,冷却水在交换器中循环流动,与高温化学液产 生热交换,从而使化学液温度下降。

由于整个管路是一个闭环回路系统,理论上可 以布置在回路上的任何位置,但考虑到对温度控制 精度及稳定性的要求,尤其是湿法刻蚀工艺对化学 液温度的敏感性很高,为增加对化学液温度控制的 稳定性,加热器和热交换器应该布置在温度传感器 之后(相对于化学液流向),且加热和热交换都有时 间要求,不适于布置在进入工艺腔之前,而应在回 流储酸槽的回路部分。

1.3 过滤器

用于控制化学液中的颗粒污染,由于湿法刻蚀 工艺对微颗粒污染的敏感性,所以应当使化学液通 过过滤器后立即进入工艺腔进行刻蚀处理。且选用 的过滤器为壳体与滤芯分离式为佳,因为过滤器的 滤芯使用一定时间后就需要更换,分离式过滤器更 换滤芯方便,不需要将过滤器整体更换,能更好地 降低成本。

1.4 压力传感器

测量回路内化学液流体的压力,由于进入工艺 腔前和回流部分的压力有很大差别,且同时工作的 工艺腔越多,回流部分的压力会越小,而泵处于前 段,为了更好地控制泵为工艺腔供应化学液,应当 检测回流部分压力,获得压力下降的幅度以便调节 泵的供酸量。由于是在主循环回路上测量管路内流 体的压力,所以不适于采用终端式的压力传感器, 在线式的为佳。

1.5 温度传感器

测量主循环回路中流体的温度,类似压力传感 器,在线式为佳,在线式温度传感器的优点是可以 根据不同情况,任意调整在管路上测温点的位置。 另外,也可采用 PTFE 包裹的探温杆式传感器,置 于储酸槽内进行温度的测量,由于刻蚀工艺对化学 液温度的控制要求,以及储酸槽内集中了整个循环 管路中大部分化学液,所以,直接测量这部分化学 液的温度情况,有利于对化学液温度的控制。

1.6 流量调节开关

与压力传感器同样的原因,也应当布置于回流 部分。相比压力传感器只能向上位机监控系统反馈 管路内的流体压力参数不同,流量调节开关或称流 量控制器,不但可以监控管路内流体的流速,还可 进行主动调节。

2 湿法刻蚀主要工艺参数

湿法刻蚀主要工艺参数包括刻蚀率、刻蚀选择 性和刻蚀几何图形。湿法刻蚀的刻蚀速率较快,常用的酸液刻蚀混合剂有 HF, H3PO4, H2SO4, KOH, H2O2, HCl,可被用于刻蚀多种材料,如 Si, SiO2, Si3N4, PR, Al, Au, Cu 等

影响刻蚀率即材料去除率的因素: (1) 酸液槽内浓度是不断变化的,主循环回路 在供应工艺腔进行化学处理的同时,离开工艺腔的 酸液进入排液管路,回到供酸槽中,这样随着加工 硅片数量的增加,槽内酸液的浓度会随着化学液的 消耗而相应的下降;

(2) 工艺腔内刻蚀处理的时间,决定了刻蚀图 形的形状,以及是否会过刻蚀;

(3) 化学液散布的均匀性,在硅片不同区域,化学液停留的时间,直接决定了刻蚀的均匀性,所以 要保证整个硅片的刻蚀均匀性,就必须要尽量使化 学液散布的均匀,可使硅片承片台高速旋转,在配 合以能使化学液均匀喷洒的化学液喷嘴结构;

(4) 化学液的温度,通过在主循环回路上布置 在线式的加热器和热交换器,是最有效的控制化学 液温度的方式;

(5) 被刻蚀材料本身的密度及孔隙率,影响化 学液与被刻蚀材料的接触面积,也相应地影响材料 的去除速率。

(6) 处理批次,由于化学液浓度在不断变化,随 着处理批次的增加,浓度不断降低,所以,为不影响 后续处理过程中化学反应的处理效果,应适时补充 化学液。 其中,处理时间,化学液温度,化学液散布均匀 性,处理批次都是较容易控制的,只有槽内化学液 的浓度是最难控制的,随着处理硅片数量的增加, 化学液不断被消耗,槽内浓度不断下降,会对后续 处理的时间和刻蚀速率有很大影响。 湿法刻蚀都有很高的刻蚀选择性,但对污染 很敏感。湿法刻蚀出的图形基本都是各向同性的,

3 结语

单片湿法刻蚀机的化学液循环系统包括储酸 槽、加热器、热交换器、过滤器、压力和温度传感器 等一系列部件,通过合理的设计其放置顺序可以获 得稳定的温度与流量的化学液输出。在对硅片进行 湿法刻蚀处理时,酸槽内化学液浓度与温度、处理 时间和被刻蚀材料本身的特性是影响刻蚀结果的 主要因素。


多的单片湿法刻蚀机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE网站:

www.hlkncse.com,现在热线咨询400-8768-096,可立即获得免费的半导体清洗解决方案。

Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8768-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开