欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
0513-87733829
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

时间: 2018-01-11
点击次数: 146


湿法腐蚀清洗设备是集成电路、LED、太阳能、MEMS等芯片制造中必不可少的工艺设备,而为了更好的达到腐蚀效果,在各种腐蚀工艺中往往要配合药液的循环完成,从而达到更好的腐蚀均匀性。南通华林科纳半导体CSE工程师介绍了几种常用的腐蚀工艺循环原理及在湿法腐蚀清洗设备的典型应用。 


关键词:工艺槽循环过滤; 湿法腐蚀清洗; 硅腐蚀;


随着芯片制造特征尺寸的缩小,工艺水平的不断提高,对晶片腐蚀的均匀性,晶片表面颗粒及金属污染等洁净度指标提出了更高的要求,因此,湿法腐蚀清洗设备在采用晶片旋转、抖动、超声清洗、兆声清洗等的同时,业内普遍采用工艺槽循环过滤方式,来净化槽内药液,同时均匀流场保证药液浓度和温度的均匀性。

1 湿法腐蚀的关键问题

硅的湿法腐蚀在选择腐蚀工艺和腐蚀剂时,需考虑诸多因素影响(如浓度、时间、温度、搅拌等)的同时,需考虑以下几方面的问题:

1)腐蚀速率。较高的腐蚀速率将有效的缩短腐蚀时间,但所得到的腐蚀表面较粗糙。腐蚀液的浓度与腐蚀速率及腐蚀表面质量有关,当腐蚀液浓度较小时,腐蚀速率较大。

2)腐蚀选择性。选择性是指要腐蚀材料的腐蚀速率与不希望腐蚀的材料(如掩模)的腐蚀速率的比率。一般地,选择比越大越好。

3)腐蚀均匀性。在硅腐蚀表面各处,腐蚀速率常常不相等,造成腐蚀表面出现起伏等,腐蚀尺寸比较大时表现尤为明显。这与腐蚀液浓度有关,反应槽中腐蚀液的浓度一直在变,并且各处浓度难保持一致性。因此,有时在腐蚀过程中一直伴随着均匀搅拌,这将有效地保持腐蚀液浓度的均匀性。

4)腐蚀表面粗糙度。不同的腐蚀方法和腐蚀剂将得到不同程度的表面粗糙度,它与腐蚀液、腐蚀速率等密切相关,与温度关系不大,但温度升高会导致腐蚀速率的增大。湿法腐蚀清洗设备使用的化学药液很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等,这些化学药液通常具有较强的腐蚀性,特别是有机药液还具有易燃、易爆特性,同时它们的使用温度也不尽相同,有常温也有高温,依据不同的药液,以及不同的工艺要求,我们在循环管路的设计上也有所不同。主循环回路大体由储酸槽,泵,加热器,热交换器,过滤器,传感器(压力、温度、流 量控制) 等,供酸和排液的药液阀及废液回收管道组成。下面就总结一下常见的湿法腐蚀清洗设备中循环管路的应用。

2 湿法腐蚀工艺中循环管路的应用

2.1 硅腐蚀工艺

硅腐蚀工艺一般有酸腐蚀和碱腐蚀两种。硅酸腐蚀通常使用 HF-HNO3 或 用 HF-HNO3-HAc(CH3-COOH,醋酸)的混合酸。硅腐蚀根据工艺的不同,腐蚀温度也有所不同,范围为 -15°~20°不等。所用到的槽体材质一般为 PVDF 材质。

反应式如下:

Si + 4HNO3→ SiO2→ 4NO2 + 2H2O

SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O

醋酸是一种控制腐蚀速度的酸,当混合比率大时,腐蚀速度就减小,而且会影响硅中的杂质浓度。由于反应温度的关系,一般我们要在工艺槽的循环管路中接入制冷机、热交换器,从而使药液温度达到所需的低温度要求。除此之外,管路中还需接入磁力泵来提供药液的循环动力。因此药液的循环:由磁力泵、循环溢流槽、制冷机、热交换器、流量计、管件等组成药液的循环过滤系统。实现药液的循环,保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

1 是低温硅腐蚀的循环管路示意图。

硅腐蚀工艺中另一种腐蚀即为碱腐蚀,其所用到的药液一般为 NAOH 或 TMAH(四甲基氢氧化铵),工艺温度一般为 90℃。对此我们在工艺槽体内直接用投入式加热器来对药液进行加热达到工艺温度或采用在线加热方式。除此之外,管路中还需接入风囊泵来提供药液的循环动力。因此药液的循环由风囊泵、循环溢流槽、投入式加热器或者在线加热器、阀门、管件等组成药液的循环系

统。实现药液的循环,均匀流场。保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。槽体材质一般采用 PTFE材质。图 2、图 3 是高温硅腐蚀投入式加热和在线加热的循环管路示意图。

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

2.2 二氧化硅腐蚀工艺

SiO2 的腐蚀是用 HF 来实现的。药液一般有BOE、HF、DHF 等。由于腐蚀速度快,因而均使用NH4F(氟化铵)作为缓冲剂来减慢腐蚀速度。普通叫做缓冲腐蚀。此种工艺在常温下进行,而根据我国南北方生产的需要为了维持常温,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加热器,以防止反应结晶;而在南方则需加入冷却盘管,以适当控制温度。一般工艺槽体材质选用 PVDF 材质。

除此之外,管路中还需接入泵来提供药液的循环动力。由于隔膜泵在连续不间断工作时膜片使用寿命较短,更换膜片较频繁,目前这种应用方式逐渐被风囊泵所取代。因此药液的循环过滤:由风囊泵、过滤器、循环溢流槽、阀门、管件等组成药液的循环系统。实现药液的循环过滤,均匀流场。保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。

4 是二氧化硅腐蚀的循环管路示意图。

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

2.3 铝腐蚀工艺

对于 Al 腐蚀来说,碱和酸都能用来腐蚀它,但半导体技术中所使用的腐蚀液使用磷酸系物质作腐蚀剂较多一些。例如 H3PO4-HNO3-HAc-H2O 铝在磷酸中几乎不被腐蚀,但当混入 HNO3 时,腐蚀速度才快。使用的混合比率尽管多种多样,然而如在 H3PO4∶HNO3∶HAC∶H2O=15∶1∶2∶1 场合下,能够得到约 0.1 μm/min 的腐蚀速度。当在 Al中掺有硅时,腐蚀速度可提高到 1.2~1.5 倍。

而根据工艺条件的不同,我们又可以将铝腐蚀分为真空铝腐蚀和非真空铝腐蚀两种。真空铝腐蚀,即在抽真空的条件下,在药液槽中进行腐蚀,工艺温度为 52℃,工艺槽材质选用  不锈钢材质,不同于其他腐蚀工艺的是此工艺槽只循环无溢流,加热方式采取贴膜加热,泵体的选择为真空泵,即水环泵。因真空条件要求,槽体需要密封设计。

5 是真空铝腐蚀的循环管路示意图。

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

非真空铝腐蚀,是相对于真空铝腐蚀而言。工艺温度一般为 60℃,工艺槽材质选用 PVDF 材质,加热方式采取投入式加热。除此之外,管路中还需接入风囊泵来提供药液的循环动力。因此药液的循环过滤:由真空泵、循环槽、阀门、管件等组成药液的循环系统。实现药液的循环过滤,均匀流场。保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。

6 是非真空铝腐蚀的循环管路示意图。

湿法腐蚀清洗设备中的循环管路应用

近几年来,伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,对硅片的洁净程度、表面的化学态、微粗糙度、氧化膜厚度等表面状态的要求越来越高,硅片的各种腐蚀技术都在不断的发展,南通华林科纳半导体设备公司CSE也对硅片的腐蚀效果及均匀性提出了更高的要求,对于工艺槽体管路的研究以及器件的选择有着很重要的意义。

Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 0513-87733829
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开