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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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行业动态:中芯1.2亿美元下单最先进EUV光刻机,后续还得解决这些问题

时间: 2018-05-18
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据知情人士透露,中国最大的晶圆代工厂中芯国际已经订购了一台EUV设备,在中美两国贸易紧张的情况下,此举旨在缩小与市场领先者的技术差距,确保关键设备的供应。EUV是当前半导体产业中最先进也最昂贵的芯片制造设备。

中芯国际的首台EUV设备购自荷兰半导体设备制造商ASML,价值1.2亿美元。尽管中芯目前在制造工艺上仍落后于台积电等市场领导者两到三代,此举仍突显了该公司帮助提升中国本土半导体制造技术的雄心壮志,也保证了在最先进的光刻设备方面的供应。目前包括英特尔、三星、台积电等巨头都在购买该设备,以确保在此后的先进工艺中能制造性能更强大、设计更领先的芯片。

目前,台积电、英特尔、三星等公司都订购了ASML的EUV设备。据供应链消息人士透露,台积电今年已预订了多达10台该设备,三星预订了大约6台,英特尔在今年则预计需要3台,全球第二大代工厂格芯也预订了一台。ASML在4月中旬的财报中表示,计划在今年内出货20台EUV设备,但没有指明采购者详情。

知情人士透露,中芯国际是在4月份美国宣布对中兴制裁的第二天下的订单。他表示,中芯国际购买该价格不菲的设备获得了来自政府背景基金的部分资助,这台EUV设备成本与中芯去年的净利润1.264亿美元大致相当。消息显示,中芯预定的EUV预计在2019年初交付。

长期以来,中国进口前沿芯片制造设备一直受到限制。业内皆知的瓦森纳协定是一种建立在自愿基础上的集团性出口控制机制,涵盖出口可能具有军事用途的技术,这些限制是合理的, 但是公司可以免除这些限制。ASML的一位发言人对日经记者表示,公司对待包括中国在内的全球客户都是一视同仁的,根据瓦森纳协议向中国客户出售EUV设备没有限制。但是他拒绝对中芯国际、台积电、三星等公司的订单作出评论。中芯国际也未立即回应日经的置评请求。

一位接近中芯的业内人士对集微网表示,1.2亿美元的价格和2019年的交付时间可能不太准确,但是下了订单是确实的。他表示,如果真的是1.2亿美元的话,台积电、三星拿到设备的价格可能都不会比这个更低了。也就是说,这个价格已经算是很便宜了。

虽然目前中芯国际14nm取得飞速进展,但是进一步迈进7nm还有较大距离。上述业内人士表示,中芯国际对未来先进工艺做储备是意料之中的,也证明该公司对未来发展的路径非常清晰。他指出,EUV这种新型的光刻设备还未经过大规模量产的检验,而且成本极高,因此ASML对设备更新换代的周期相对会较长。此时中芯国际若能成功购买到EUV设备,也能争取到更多的学习时间。而且取得设备只是硬件前提,后面还有一系列制造工艺流程、良率等软性条件,以及在设计上是否有芯片设计企业合作等方面都会面临更大挑战。

半导体行业专家莫大康对集微网表示,中芯有钱提前布局7nm是件好事,由于EUV光刻与之前的193nm不同,从原理到配套是个产业链,包括如EUV光刻胶、掩膜、pellicle、检测设备等。目前该设备实用性方面还有一些问题,例如光源连250瓦都还稳定不了,所以需要做许多配套工作。对于中芯来说,要从人员培训开始,正好是个学习机会,等中芯能做7nm可能至少5年以上,还赶得上。他强调,1.2亿美元,加上配套是个大投资,是为研发作好准备。在没有拿到货之前,尚不能说ok,因为设备的出口许可证,不是ASML说了算,还要听美国的。

全球领先芯片制造商竞抢EUV

中国和美国目前正在就贸易问题谈判,美国总统特朗普在上周日晚间的推文中似乎透露出关于此前对中兴禁售的决定发生了180度的转变。目前刘鹤副总理一行于5月15日至19日赴美访问,同美方经济团队继续就两国经贸问题进行磋商。

但即便特朗普扭转美国对中兴的禁令,在双方举行新一轮贸易谈判前释出善意,先前对中兴的严厉打击举措也已使中国明确地意识到,中国需要尽快推动自主芯片技术的发展,以减少对国外的过度依赖。

EUV对于未来芯片技术的发展至关重要,并一直被视为摩尔定律的救星。1965年提出的摩尔定律,随着工艺演进,晶体管尺寸缩微越来越困难,在近年来越来越多人担心它将走到尽头。该光刻设备采用波长为13.5nm的极紫外光源,相比于现在主流光刻机用的193nm光源,新的EUV光源能给硅片刻下更精细的沟道,从而能在芯片上集成更多的晶体管,继续延续摩尔定律。

领先的几家芯片制造商仍在努力安装和测试EUV设备,由于还没有成功生产这一先进工艺芯片(7nm以下)的经验,仍有很多挑战需要克服。

拓璞产业研究院的分析师Lin Jian-hung指出,如果成功安装,EUV扫描机可以帮助缩短芯片生产周期,并替代一些先进制程上非常复杂的工艺。但同时该设备也要求许多新材料的支撑,并且还需要通过许多测试。

目前,苹果iPhone X和iPhone 8系列的核心处理器采用了台积电的10nm工艺,今年新款iPhone的处理器预计将采用7nm工艺。工艺尺寸越小,开发越昂贵且难度越大,当然芯片性能也越强大。行业共识认为,更尖端的芯片制造工艺将小于5nm,并且必须使用EUV才能实现。

中芯国际在制造工艺方面大约比台积电、三星和英特尔落后两到三代。三星是全球最大的内存芯片制造商,而英特尔在个人电脑和服务器微处理器领域占据主导地位。目前中芯国际仍在努力改进自己的28nm工艺,去年梁孟松加盟使其14nm工艺研发进程提速不少。三星和台积电则正在7nm领域展开竞争。

一位业内人士表示,中芯国际的努力表明,尽管费用高昂而且可能需要多年时间才能赶上行业领先者,它仍将在半导体技术方面继续投资,购买这样昂贵的设备并不能保证中芯国际芯片制造技术顺利取得进展,但至少表明了这一承诺。

在中芯国际刚发布的第一季度财报中,公司实现营收8.31亿美元,不含技术授权收入的销售额为7.23亿美元,毛利率为26.5%,去年同期为27.8%;净利润2937.7万美元,同比下降57.9%。中芯联合首席执行官兼执行董事赵海军透露,公司今年将全年资本支出从19亿美元上调至23亿美元,用于先进制程的研发、设备开支以及扩充产能。

他预测未来几年中国芯片设计厂商数量将继续以每年20%的速度增长,中芯作为本土的晶圆代工厂处于有利地位,能够抓住有潜力的市场,并通过加速公司制造工艺的发展来扩大可预期的市场空间。 (出自:集微网


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