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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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中国芯片技术和日韩之间,究竟有多大差距?

时间: 2018-08-21
点击次数: 34

  毫无疑问,中国正处在国运昌盛的状态中,物质丰腴、交通便利、治安稳定,我们建造一栋30层的高楼仅仅需要15天,二维码支付无处不在,给予市民生活越来越高的便利度,加之,持续扩展的高铁网络,正载着全国人民驶向美好幸福的生活,阿里巴巴、腾讯、百度、小米等企业的营收、利润、市值也连续创造纪录,且成为全世界知名品牌,特别是阿里巴巴对全球零售经济的变革,更让马云得以穿梭于大量的商学院,讲述自己的创业故事,表达自己不喜欢钱,只喜欢帮助别人之类的鸡汤…


中国芯片技术和日韩之间,究竟有多大差距?


  笔者之所以做了这么多铺垫,主要是因特朗普的贸易战正夺走大量的国民信心,特别是针对中兴芯片的制裁,更会让人妄自菲薄,也难怪,中国人向来容易受环境和舆论影响,喜欢一概而论,缺乏深度的数理逻辑概念和细节评估,对待事物的看法容易走极端。具体到芯片事件,最常见的现象则是突然从“国运昌盛”的大梦中惊醒过来,查了一些数字,就毫无缘由地怅然若失,比如芯片进口9000亿美元,超过石油总量;中国芯片企业只能做到14nm工艺,而三星、台积电早就量产7nm芯片之类的残酷现实,让一些激进人士开始看衰中国的前途,事实上,夜郎自大,妄自菲薄都是不可取的,面对芯片危机,我们更应该冷静地看待差距,通过清晰的数理逻辑分析来做出正确的决定,既有上层建筑上的策略调整,又有普通市民之于芯片技术的向往,心心念地让自己孩子投身这个领域。


  芯片制造,中国到底错过了什么?


  相信很多人都听过摩尔定律,这个睿智的老人预言,每隔12个月,相同面积的芯片可容纳的晶体管数量就能增加一倍,制造成本则减少50%。这是个烂大街的定律,笔者无意再去查阅相关资料,把数字和用词再核对一遍,但即便是如此粗糙的对待,我们依旧能感受到它的魔力以及芯片业的巨大进步,具体到普通的现实生活就是:几乎每个人都拥有了一台“可以装在口袋里”的电脑,现代智能手机已经能轻松实现多任务处理,连一些高精度运算、大型的网络游戏都能频繁地出现在手机上,事实上,正是芯片技术的进步,才能让我们把越来越的生活塞入到这块4~5英寸又薄薄的手机内,连同WIFI、存储、云端技术的发展,我们再也不用担心“记忆体”不够用了,更不会出现“汗牛充栋”式的典故。


  显然,中国正消费者大量的芯片,但中兴事件之前,我们极少有人意识到自己的便利生活都不是自己“制造”的,我们只是持续地“花钱买便利”,而不是“靠智慧创造便利”,苹果、三星的芯片不必赘述,他们或自主设计,找台积电代工,苹果是这么干的;或者干脆自己设计、自己代工,再自己组装成终端,三星就是这么干的,而国内比较火的手机,比如中兴、小米等等,既要依赖于国外的芯片,又离不开Android系统,即便是华为能自主研发麒麟芯片,也购买了大量的日韩企业的专利技术,这种模式无疑可以快速催生出“知名品牌”,但这个品牌的含金量非常有限,仅仅一个贸易战,就让其原形毕露。


中国芯片技术和日韩之间,究竟有多大差距?


  相比之下,我们的近邻日韩在芯片领域则要清醒、从容地多,三星前任董事长李健熙曾留学欧洲美国,对芯片有着天然的兴趣和动力,兢兢业业20年才让三星芯片业务盈利,在技术、设备和人才等方面,三星都有着长远的布局,比如芯片制程中会用到的关键设备“光刻机”,全世界没有几家企业能做的出来,7nm以下的光刻更是只有欧洲的ALMS可以制造,每年产量仅有几十台,正是看中这家“非大红”企业的独特技术,三星曾不惜一切代价收购其股份,确保能最先拿到首批的尖端光刻机,以确保在一款芯片利润率最高的时段,抢占先机,完成最大出货量,如此的经营策略和技术积累,得以让韩国企业始终保持着芯片业的领导地位。昔日高丽人不惜一国之力来扶持三星芯片,现如今三星芯片已然能自给自足,甚至能反哺其他领域,进入良性循环,真叫人艳羡。再看日本芯片,他们在过去十年,虽然没有强大的智能手机品牌出现,但在芯片技术方面,还是有诸多的优势,有些甚至强于美国,据说当年美国之所以能赢得海湾战争,正是因采用了日本的芯片技术,中国唯一的芯片自尊华为麒麟芯片也大抵依托于日本芯片技术,遗憾的是,日本企业受限于古老文化,经营策略非常不灵活,以至于越来越多的企业濒临倒闭,难怪有位中国企业家毫不避讳地说:如果想要技术,那就去日本买,那里有着大量技术优秀却即将破产的企业,不得不说,日本人不够灵活的经营手段,在一定程度上限制了其芯片技术的发展。


  平心而论,中国的芯片技术错过了很多重要的发展时期,严重缺乏技术底蕴、制程积累和相关领域的人才,我们花费大量时间去研究组装制程的平衡率,正当日本、韩国的年轻人泡在实验室,讨论量子物理、光刻精度时,中国的年轻人却不得不端坐在流水线上,每个小时锁20颗螺丝或者贴50个标签,且要严格遵守SOP作业。


  平常心,中国芯片只能有节奏地追赶?


  宏观来看,中兴事件不是完全意义上的坏事,它得以让我们重新审视自己,特别是科学数字化地审视中国芯片行业的状态,不仅在智能手机领域,中国正严重依赖进口芯片,连我们引以为傲的、全球排名第一的超级计算机,也采用了大量的海外芯片,其中312万个计算核心,有95%来自于进口芯片,如前文所述,中国每年芯片进口总额已经超越了石油的进口总额,达到9000亿美元,如此背景下,笔者实在很难用“弯道超车”来展望中国芯片的未来,更准确且健康的状态应该是:我们要“有节奏”地追赶。


中国芯片技术和日韩之间,究竟有多大差距?


  众所周知,三星、台积电已经能把晶体管线路的间距缩小到10nm和7nm,但这种工艺投资非常大,建制一条生产线需要耗费超过100亿美元,没有过去几十年强大的资本积累,一般企业很难承担起如此高额的前期投资,中国有关部门也没有必要在“最尖端工艺上”做血拼,即便是有钱有资本也不能过度投资,一方面,中国缺乏必要的人才体系,我们大概可以不惜一切代价,抢购到最尖端的光刻机,也能像模像样地复制7nm生产线,但没有设计、操作、运维人员,良品率估计会惨不忍睹,这对于中国芯片业无异于灾难,毕竟,中国芯片再也没有时间浪费,我们已经落后3年甚至更多,实在经不起任何的波折与混乱;另一方面,7nm工艺更适应于高端客户要求,如苹果最新版的A系列处理器,但其他芯片如记忆体、WIFI等功能则没有如此变态的要求,事实上,经过相关测算,性价比最高的制程应该是28nm工艺,而这一技术正在被中国大陆所掌握,总之,与其盲目追求弯道超车,盲目地追求“世界领先”,倒不如稳扎稳打地从性价比最高的芯片做起,赚到相关的利润之后,再建制完善的工艺体系,而最重要的是培养出大量合格的芯片人才。


  芯片是慢工出细活的东西,中国已然错过了约二十年的发展机遇,再不可出现闪失,唯有稳扎稳打,有节奏地追赶,才不至于在万物联网、遍地需要芯片的时代受制于人。


(科技新发现康斯坦丁/文/配图源自网络)


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