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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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芯片巨头宣告不玩高端技术 中芯会是一个闯关勇者?

时间: 2018-08-29
点击次数: 23

全球 7 纳米战局又传震撼消息,GlobalFoundries 宣布将暂停所有 7 纳米 FinFET 技术的研发,这代表大客户 AMD 产品将全数委由台积电代工,且未来参与 7 纳米战局的芯片大厂仅剩英特尔、台积电和三星三家,然值得关注的是,中芯国际曾表示明年要进入第二代 FinFET 技术的开发,是否会直攻 7 纳米,抢下全球第四张入场券,值得后续高度关注!


芯片巨头宣告不玩高端技术 中芯会是一个闯关勇者?


半导体高端技术是个烧钱的游戏,要不要玩下去,对许多厂商都是个困难的决定,三星、台积电这些一线大厂没有选择的权利,只能一路玩到底,但联电已经用行动宣布退出高端工艺的竞赛,停在 14 纳米工艺世代,如今,GlobalFoundries 也用退出 7 纳米研发的决定,宣告世人“高端技术不玩了!”


芯片利润集中在前三家,7 纳米投资过大已让二线厂难见投资回报


GlobalFoundries 退出后,全球 7 纳米战局成为英特尔、台积电、三星三家半导体大厂的闭门游戏,且英特尔日前也淡出晶圆代工业务,即使开发出 7 纳米的技术,会以自己产品为主,未来能开放代工服务的,仅剩下台积电和三星。


其实 GlobalFoundries 退出高端技术,对于台积电是短多长空,短多是可以 100% 拿下 AMD 订单,但未来在 7 纳米高端技术上,客户若是要寻求第二供应商分散风险,只能被迫找三星做代工,这等于是变相扶植三星的晶圆代工业务成长茁壮,而三星是台积电的头号敌人,因此,这样的转变对于台积电而言,长线确有隐忧。


芯片巨头宣告不玩高端技术 中芯会是一个闯关勇者?


然而 GlobalFoundries 和联电不玩高端技术想必是很痛的决定,但却是可以被理解的。


过去半导体赢家的致胜之道,是要一路不回头、咬紧牙关不断投资,当景气在低谷时更要加码,当对手放弃时更要坚持,只要比竞争对手撑得更久,最后一定是赢家通吃,因为芯片产业是第一名赚大钱,第二名打平,第三名活得很辛苦,第四名之后通通赔钱,也因为如此,所有厂商咬牙持续投资就是为了要挤入前三名。


7 纳米研发需要巨资,但全球真正有能力使用 7 纳米工艺的客户十分有限,客户光是开一颗 7 纳米的光掩膜就需要 1000 万美元,过去 28 纳米顶多100 万美元。可想而知,7 纳米客户数目是集中在部分有需求的大公司,但不会是所有中小型芯片公司都需要。


细数 7 纳米客户无非是苹果、高通、博通、英伟达、AMD、赛灵思、联发科、海思等,现在又加入加密货币的客户如嘉楠耘智、比特大陆等,且几乎都是台积电的客户,如此有限的客户数量,对比需要投入的巨资,进行 7 纳米投资能否收回成本,这会是一大问题。


除了客户数量少,投资报酬率恐无法回本外,第二个大问题是 7 纳米的技术门槛持续拉高。


GlobalFoundries 技术卡关,台积电通吃 AMD 代工订单


今年真正可以进入 7 纳米工艺量产的仅有台积电,明年三星才会加入 7 纳米生产,而英特尔光是 10 纳米的工艺技术就一直难产,一延再延,可以想见半导体工艺技术未来的发展,连技术巨擘如英特尔都显露出吃力的样子,何况别人?


GlobalFoundries 原本就是 AMD 分拆出来的晶圆代工厂,原本的计划是,AMD 的 7 纳米产品是委由台积电和 GlobalFoundries 两家代工生产,不过,之前就传出 GlobalFoundries 的 7 纳米开发进度恐跟不上,因此 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工订单都转到台积电。


芯片巨头宣告不玩高端技术 中芯会是一个闯关勇者?


如今 GlobalFoundries 确认退出 7 纳米技术的开发,台积电是大赢家,独吃 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工订单。AMD也在周一宣布所有的 7 纳米产品都交由台积电代工。


超微 CTO Mark Papermaster 表示,7 纳米是超微下一个里程碑,包含 7 纳米 Vega 绘图晶片、 7 纳米Rome 伺服器处理器,以及 7 纳米的 Zen 2 处理器、 Navi 绘图晶片等都交由台积电代工,目前已与台积电合作完成数个 7 纳米的流片(tape-out),初步结果很令人满意。


不过,AMD 和 GlobalFoundries 虽然不合作 7 纳米工艺,仍会 14 纳米和 12 纳米的产品线上持续合作。


7 纳米战局剩三家大厂关起门来玩,中国大陆是否加入值得关注


GlobalFoundries 和联电相继退出 7 纳米技术大战后,该战局成为英特尔、台积电、三星三家半导体大厂的闭门游戏,不过,关于全球 7 纳米战局,未来还埋了一个巨大变数,这个变数的所在地位就在中国大陆。


中芯国际日前才宣布 14 纳米FinFET 技术开发成功,同时透露会朝第二代的 FinFET 技术开发,若中芯国际一举朝 7 纳米前进,将会成为全球第四家 7 纳米技术供应商。


行业内人士认为,中芯国际在 14 纳米 FinFET 技术开发成功后,往下究竟是规划 10 纳米?7 纳米?或是介于中间的工艺技术?尽管目前公司尚未透露,但相信中芯国际未来在 7 纳米工艺上不会缺席。


GlobalFoundries 的新首席执行官 Tom Caulfield 上任后,有很多政策性的改变,日前才宣布裁员,以及中国成都 12 寸晶圆厂要开放合作伙伴入股,现在又宣布终止 7 纳米工艺技术的开发,一切的布局都是朝“cost down”进行。


GlobalFoundries 表示,公司将相应优化开发资源集中在 14 纳米和 12 纳米 FinFET 平台和服务客户,提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新 IP 及功能,基于战略调整,将搁置 7 纳米 FinFET 项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。


GlobalFoundries 进一步表示,在裁减相关人员的同时,一大部分顶尖技术人员将被部署到 14 纳米和 12 纳米 FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。


GlobalFoundries 也正在建立独立于晶圆代工业务外的 ASIC 业务全资子公司,该独立 ASIC 实体将为客户提供 7 纳米及以下的晶圆代工替代选项,让 ASIC 业务部与更广泛的客户展开合作,特别是日益增多的系统公司。


随着联电、GlobalFoundries 相继退出 7 纳米技术开发,反映高端技术的投资回报率回收不易,以及高端技术门槛难以跨越,没有把握的人只能放弃。


未来的芯片战局是英特尔、台积电、三星呈现三强鼎立,而晶圆代工战局是台积电、三星捉对厮杀,这种封闭式战局会让战况更升温、更为紧张,彼此不能出一个差错、不错掉一个拍子,不然会给对手坐大的机会,有没有新加入者会进来打破这恐怖平衡的局势?会是中芯国际吗?这一切,值得持续关切注意。

来源:DeepTech深科技

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