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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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硅以外的半导体材料探索之旅

时间: 2018-10-09
点击次数: 82

此时此刻,半导体行业理所当然地关注着摩尔定律即将发生的变化,这个著名的技术预测奠定了微电子时代惊人进步的基础,以及它对硅芯片技术持续进步和主导地位的潜在影响。这意味着考虑微系统的历史中的另一个卓有远见的观点是值得的。当新生的高级研究计划局(DARPA)在1959年度过一周年纪念日时,加州理工学院的理查德·费曼(Richard Feynman)教授发表了他最著名、最重要的演讲之一,题为“在底部还有很大空间”。

同戈登·摩尔一样,费曼也预测到了微尺度系统内的许多技术进步机会。然而,费曼的观点更为宽泛,强调了在原子尺度上操纵结构的能力所带来的奇特可能性。DARPA在将包括半导体在内的许多“奇异”结构带入现实生活的过程中发挥了核心作用,其能力超越了半个世纪以来硅电子所取得的二进制处理能力。

硅以外的半导体材料探索之旅

费曼的演讲在20世纪80年代激发了人们对纳米技术的兴趣,因为他对纳米技术的推测以及在原子尺度上定制材料的能力正逐步实现。当时,新兴的晶体生长技术正在创造一种称为复合半导体的材料,在这种材料中,精确的化学成分或合金可以在原子水平上逐层变化。特别是GaAs及其合金作为新的神奇材料出现,使晶体管的性能远远超过硅的极限。DARPA发现新型GaAs晶体管具有更快速移动电子的潜力,从而可以在电磁频谱的更高频率上工作。虽然这项新技术不会在高度集成的数字逻辑上取代硅技术,但DARPA预计其价值将推动下一代雷达和通信系统的发展。为此,DARPA在1988年从国防部长办公室(OSD)手中接过了指挥棒,开始了“微波和毫米波集成电路(MIMIC)”计划,该计划于两年前由OSD提出。

DARPA的MIMIC技术,特别是由它产生的集成技术,使国防部能够制造出无线电和雷达系统,以比先前任何时候都更高的频率和带宽使用频谱。

2018年3月11日,美国空军一架F-16C猎鹰战斗机在阿富汗上空同KC-135同温层加油机补给完毕后,起飞返回巡逻区域。这架飞机的联合直接攻击弹药的核心是通过DARPA的MIMIC计划开发的高性能芯片,这种芯片也使得精确武器所需的RF和毫米波电路成为可能。

硅以外的半导体材料探索之旅

一名第10山地师步兵旅战斗队3-6 FA的士兵驾驶着新型精密火力拆卸系统,该系统让士兵可以通过一个应用程序在已批准的智能手机上观看无人机上的实时流媒体全动态视频。世界范围内普遍使用的手机技术部分归功于DARPA资助研究的GaAs半导体产业的发展。

MIMIC计划一直持续到1995年,对工业产生了深远的影响,它寻求开发将高频材料和组件集成到军事相关技术(如无线电和雷达)中的方法和手段,并建立可靠的工业基地完成这些事情。实际上,MIMIC计划可以实现GaAs晶体管技术,从而产生一类新的RF“前端”组件。射频系统的前端是在电磁频谱中发送和接收信号的放大技术。DARPA的MIMIC技术,特别是其中出现的集成技术,使得国防部(DOD)能够制造出比以往任何时候都能在更高频率和带宽上接入频谱的无线电和雷达系统。GaAs技术在国防部系统中的应用一直持续到今天。

除了国防应用之外,高频GaAs放大器为商业界提供了一个关键的拼图,因为商业界在上世纪90年代寻求建立新的移动电话技术。GaAs晶体管使得装有小电池的手提电话能够建立与发射塔的关键通信链路。直到今天,每一部智能手机都包含一小部分GaAs来执行这一关键功能,而且由于DARPA对MIMIC计划的投资,美国在这个价值数十亿美元的半导体行业的供应商中享有占据主导地位。

GaAs技术的成功证明了硅之外的半导体技术的防御意义和商业可行性,并将一种曾经新奇的研究材料变成了一种商品技术。然而,即使GaAs正在逐渐成熟,但由美国海军研究办公室(ONR)和其他机构赞助的研究人员已经开始发现半导体材料的下一个飞跃。宽带隙半导体(WBGS)材料被认为是很有前途的,因为它们能像GaAs那样快速移动电子,同时也能处理大电场。这种高电流和高电压的结合驱动了提供更多RF功率的能力。虽然世界各地也正在开发几种候选材料,但DARPA认为GaN及其合金最有前途,并且建立了宽带隙半导体射频(WBGS-RF)计划来快速推进这项技术。

WBGS-RF计划试图将尚未经证实的有潜力的材料成熟化,使之成为可以促进国防事业的工业技术。该计划于21世纪初启动,最初采用GaN材料,用直径2英寸的小型半导体晶圆承载,晶圆上有大量微管或孔洞,形如瑞士奶酪。在这种不顺利的状态下,WBGS-RF计划系统地解决了材料方面的挑战,然后逐步成功地承担了器件和电路设计方面的挑战。最终,GaN技术实现了它的承诺,现在正被用于下一代雷达技术,如海军的空中和导弹防御雷达(AMDR)。除此之外,还有更多的事情要做:GaN现在是所有主要RF半导体公司的技术组合的一部分。美国再次在这个新兴市场中占据主导地位。

DARPA的努力使得复合半导体从研究边缘发展成为主流半导体产业。DARPA还推动主流硅技术采用包括硅合金在内的变体。特别值得一提的是,硅与锗的组合是DARPA在21世纪初支持的“高效、敏捷的微系统技术(TEAM)”计划所倡导的技术。锗(Ge)是1947年贝尔实验室制造的晶体管的材料基础;然而,由于锗的可靠性问题和硅的加工优势,锗很快就被抛弃,人们转而青睐硅。让锗回归的理由是,尽管它本身没有用,但是包含Ge与Si或SiGe混合的材料使得具有增强RF性能的器件的原子级工程可以直接构建高密度的传统硅逻辑器件。这种技术不具备GaAs和GaN等其他复合半导体的完整性能优势,但它有能力生产混合模拟和数字功能的芯片。事实证明,这种特性非常有用,SiGe技术现在已成为为本地WiFi放大器等应用提供低功耗商用解决方案的主导,现在有望为5G通信提供相控阵系统。

GaAs、GaN和SiGe晶体管技术的这些引人注目的成功证明了通过在原子尺度上操纵晶体结构可能实现的持续创新。然而,即使这些努力也是在硅半导体领域建立的相对容易理解的晶体管物理范例内进行的。微系统更广泛的前沿领域已经超越了材料的电子特性,正如在此过程中出现的一些更奇特的技术所说明的那样。例如,DARPA在21世纪初进行了一系列计划,利用半导体加工来制造可移动和弯曲的微小结构,而不仅仅是传导电子,支持了微型机电系统(MEMS)的发展。MEMS技术在DARPA的支持下蓬勃发展,如今已发展成为一个价值数十亿美元的产业。MEMS运动传感器和执行器是安全气囊保护系统、导航,以及游戏产品的核心,甚至是在影院屏幕上投射电影的内含数百万个的微镜的数字微镜芯片。

近年来,DARPA率先利用所谓的相变材料来制造RF开关,这种开关通过材料晶体结构的转换来操作,而不是通过传统的晶体管动作。这种大规模转换到另一种物理基础和用于数字切换的材料,让太赫兹频段的RF开关的演示成为可能,太赫兹频段是手机操作频率的1000倍左右。

在DARPA的持续投资下,半导体技术层出不穷,它们强化了费曼关于微系统领域存在的广泛机会的观点。虽然这些微米和纳米的景观已经不是DARPA成立时的样子,但是在底部还有很大空间!

硅以外的半导体材料探索之旅

 2英寸单晶GaAs晶圆,紫色是橡胶手套的反射。

硅以外的半导体材料探索之旅

 DARPA的GaN-on-diamond高电子迁移率晶体管(HEMT)表现出了改进的热性能,可以为RF系统带来更好的性能。

硅以外的半导体材料探索之旅

▲ 密歇根大学受DARPA资助的研究人员在定时和惯性测量单元(TIMU)方面取得了重大进展,该单元包含了暂时无法使用GPS时所需的一切辅助导航。单芯片TIMU原型包含六轴IMU(三个陀螺仪和三个加速度计),并将高度精确的主时钟集成到比一美分硬币还小的微型系统中。这个IMU芯片集成了突破性器件(时钟、陀螺仪和加速度计)、材料,以及DARPA的“用于定位导航授时的微技术(Micro-PNT)”计划中的设计。

来源:半导体行业观察



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