Long Distance Measurement长距离测量Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已变形硅片构形/顶部有薄膜Real World Samples实际样例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈胶带上Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均匀的胶带使灯光散开，使测量复杂化(distance between text and tape is < 0.25 inch on left side and about 1 inch on right side)(文字和胶带的距离左边<0.25英寸,右边约1英寸）Warp Measurement翘曲检测• Warp翘曲: 101.86• Bow弓起 44.68
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Applications应用• Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV• Topography构状• Strained wafers已变形的硅片• Profile depth轮廓深度• Measurement of Tape胶带测量• Warp翘曲• Bump Height凸起高度• Ultra Fast Measurements超快速测量Warp and Dam Thickness?翘曲和坝厚度Dam Thickness坝厚度Warp翘曲Measurement of Wafer Topography硅片图形测量• wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片图形和厚度用回射探针技术• Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso线的测量值是以um表示的，硅片中间是凹的Measurement of Profile Depth轮廓厚度测量High Aspect Ratio: Challenge for TraditionalMicroscopy高纵横比：象传统的显微镜法挑战Measur...
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Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜应力测试产品简介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介绍• Product Pictures产品图片• Basic principles of 128 Line 128产品系列基本原理• Film Stress薄膜应力• Dual laser scanner双激光扫描• Stoney equation for film stress薄膜应力Stoney方程式• Who needs the products?谁需要这种产品？• Film property monitor and/or R&D薄膜性能监测及研发• What are the simple specifications?什么是基本参数？• Film stress range / reproducibility薄膜应力范围/可再生性128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜应力和平整度测试设备（室温）Film Stress & Wafer Yield薄膜应力和硅片领域...
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Optical EchoProbe 413光学反射探针Latest Optical Technique最新的光学技术Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蚀刻厚度测量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非导电材料比如玻璃，胶带Optical EchoProbe Technology光学反射探针技术Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干扰量度法（不同于传统的干扰量度法）适用于粗糙表面，甚至是斑点图象。这另它适用于工业使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的迈克尔逊干涉仪光...
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超声清洗的物理机制主要是超声空化，所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。 声强。声强愈高，空化愈强烈。但声强达到一定值后，空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减，同时声强增大会增加非线性衰减，而减弱远离声源地方的清洗效果。 频率。频率越高空化阈愈高，也就是说要产生声空化，频率愈高，所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化，在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高，适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合，但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件，且噪声大；较高频率虽然空化强度较弱，但噪声小，适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利，如果清洗槽中有驻波声场，则因声压分布不均匀，清洗件得不到均匀的清洗。因此，在可能的条件下，槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外，可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。 清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降，因而空化阈值下降，使空化易于产生；但由于温升，蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度，不同的清洗剂有不同的最佳温度。 粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化，而且传播损失也加大，不利于清洗。 蒸汽压。蒸汽压低，空化阈高...
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稀释酸清洗工艺是在200mm和300mm晶圆的两套不同的FSI ZETA?/SUP>喷雾清洗系统上进行的。200mm系统如图1所示。在PFA处理盒里，晶圆必须保持水平。200mm系统可处理4篮晶圆，每篮25片，而300mm系统可处理2篮，每篮25片。篮子放置在旋转速度高达500rpm的PFA转盘上。旋转的晶圆篮放在有密封塞的氮气净化腔内。化学试剂，清洗水和氮气由附在腔盖的中心喷洒柱喷出，液体从边上的喷洒柱喷向净化腔的墙壁。化学试剂使用混合分管进行混合和稀释。混合比例由工艺配方确定，并由精确的流程控制器进行严格控制。 使用IR发热器来控制试剂喷进腔前的温度。试剂流经晶圆表面的温度由安装在腔内的温度计严格监视。这种测量法可使工艺最优化，或者在精密的刻蚀应用中，可用来控制刻蚀时间以取得所需的刻蚀成度。本文中，我们用稀释的H2SO4, H2O2和HF混合物来去除铝线条（M1和M2），氧化层通孔及键合焊盘窗口的残留物。在所有情况下，无需进行主动的温度控制就可以取得良好效果。化学试剂在混合后温度达35℃, 在雾化发送进腔内的过程中降温. 晶圆表面温度经过3分钟的处理，慢慢地从室温升至25℃左右。在M1和M2的清洗中，我们也检测了在处理晶圆前先把混合物冷却至25℃，如下所述。表1列示出用于本操作中的喷雾时间范围，试剂的温度及浓度的范围。M1金属叠层包括一个位于Al-Cu-Si合金...
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蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。 清洗剂的性质 清洗剂的去污能力, 对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响, 根据蓝宝石晶片清洗目的和要求, 选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类清洗设备 ●超声波清洗机 超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备, 超声波的清洗原理是: 在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20-40kHz), 清洗剂内部会产生疏部和密部, 疏部产生近乎真空的空穴, 当空穴消失的瞬间, 其附近便产生强大的局部压力, 使分子内的化学键断裂, 从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时, 机械作用力达到最大, 泡内积聚的大量热能, 使温度升高, 促进化学反应的发生。提高超声波功...
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１ 引言目前，半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是ＲＣＡ（美国无线电公司）清洗法。但在向下一代６５ｎｍ节点的迈进中，新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战，因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划，当半导体器件从９０ｎｍ提升到６５ｎｍ工艺时，必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从０.１ｎｍ减小到０.０５ｎｍ［１］。这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求，所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。２ 传统的硅片湿法清洗和干法清洗技术２.１ 污染物杂质的分类根据污染物产生的原因，大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。（１）颗粒：主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。颗粒的存在会造成ＩＣ芯片短路或大大降低芯片的测试性能［２］。（２）有机物杂质：它在硅片上以多种方式存在，如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。（３）金属污染物：它在硅片上以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在。这种玷污会破坏极薄的氧化层的完整性，增加漏电流密度，影响ＭＯＳ器件的稳定性，结果导致形成微结构缺陷或雾状缺陷。２.２ 纳米微粒湿法清洗技术２.２.１ ＲＣＡ清洗法１９７０年ＷｅｒｎｅｒＫｅｒｎ博士［３］在ＲＣＡ实验室详细地讲述了他提出的芯片清洗工艺，这就是...
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硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污。 硅片表面金属杂质沾污有两大类：一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 自1970年美国RCA实验室提出的...
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硅片的表面受到比较严重的污染，这时候可以考虑使用如下几种化学清洗方法进行清洁：a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304DSS清洗系统)。⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、...
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