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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用值的半导体。   Gallium nitride is a semiconductor with a large band gap, which belongs to the so-called wide band gap semiconductor. It is an excellent material for microwave power transistor and a kind of semiconductor with important application value in blue light emitting devices. 氮化镓(GaN)是镓和氮的化合物,是一种具有宽带隙和刚性六万晶体 的半导体材料,带隙是从周围轨道中释放电子所需的能量原子核,在3.4ev时,氮化镓的带隙是硅的三倍以上。由于带隙材料可以控制的电场,因此氮化镓更大的带隙使得制造耗尽区非常短或窄的半导体成为可能,从而实现具有极高载流子密度的器件设计,更小的晶体管和更短的电流通道,使速度提高多达100倍。 Gallium nitride(GaN),a compound of&#...
发布时间: 2021 - 08 - 05
浏览次数:79
就整个大屏显示领域而言,小间距LED显示技术火爆带来的变革意义不言而喻——在等离子拼接势微之后,让大屏显示市场再度三分天下。具体到LED显示屏行业,小间距LED显示技术崛起的革新意义同样不小,不仅让沉寂已久的LED显示屏行业再度朝气蓬勃,成为了大屏显示企业抢滩的热门,更让深陷价格战泥潭的LED显示行业有了新的价值竞争点——技术PK、解决方案PK、客户体验PK等等。可以说,LED显示屏行业竞争升级已经不可避免。发展升级 LED显示屏行业步入品牌竞争时代以小间距LED崛起为契机,LED显示屏行业展现出了巨大的市场增长潜力, 无论是出于对企业自身市场拓展的考虑还是基于整个大屏显示行业前瞻性布局的需要,进军LED显示行业都成为了必然的趋势,不仅有传统LED显示企业的积极并购,比如,勤上光电收购彩易达,洲明科技收购蓝普科技,联建光电控股易事达等,更有DLP拼接企业,如威创、彩讯等),液晶拼接企业(如三星、飞利浦),积极抢滩。从业企业数量的激增让LED显示屏行业的企业群体逐步有了明显的阵营划分。从长远发展来看,企业群体有望形成以关键控制系统技术研发为主的技术开发型企业,以规模化、标准化生产为主的产品制造型企业,以市场应用推广为主的技术服务型企业,以满足专业市场需求为主的专业应用型企业等等。不同的市场定位,意味着不同的市场切入点以及市场运作模式,在这种情况下,企业如果想要脱颖...
发布时间: 2016 - 06 - 20
浏览次数:237
苏州华林科纳半导体技术设备有限公司(简称CSE),坐落于苏州工业园区,公司主要从事半导体、平板显示、太阳能光伏领域湿法制程设备的研发、生产与销售,产品性能居国际先进水平。公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为已任,以创建国际一流企业为愿景。现拥有南通研发生产制造基地及待建二期15300多平米制造基地。CSE拥有10多位技术研发人员、20多名机械设计人员以及10余名售后人员组成的高素质专业团队。作为国内高端湿法制程设备供应商,我们严格按照国际质量管理体系标准进行全员、全方位、全过程的运作,并于2008年通过了ISO9001:2000质量体系认证。CSE注重持续创新和技术改进,目前已成功申请十几项国家科研专利。作为一家快速崛起的电子设备制造商,CSE公司依托本地化的制造基础和便捷服务、国际化的经营理念和人才团队、先进的工艺试验条件和畅通的零部件供应渠道,使CSE核心竞争力不断加强。
发布时间: 2013 - 11 - 29
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料将硅片放入扩散炉前,应先对其进行清洗,以去除其表面的杂质和颗粒。这被称为“预扩散清洁”。我们可以使用多种方法进行预扩散清洁。   Before silicon wafers are placed in a diffusion furnace, they should be cleaned first to remove impurities and particles from their surfaces.This is known as “pre-diffusion cleaning.” Pre-diffusion cleaning can be done using various methods.1.RCA清洗工艺(主要包括两步)        标准清洁 1 (SC1)-使用含有氢氧化铵和过氧化氢的溶液清洁硅片,这有助于去除有机颗粒。然而,金属离子仍然存在于晶片表面。Standard cleaning 1 (SC1) – The silicon wafers are cleaned with a solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide, which helps in removing org...
发布时间: 2021 - 08 - 05
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受国务院大力发展光伏发电和国家能源局调增2015年光伏发电并网17.8吉瓦的政策利好,日前SNEC第九届国际太阳能光伏展在期盼中开幕,在喜悦中落幕。就在这一片喜悦中,笔者也注意到一个不寻常的现象,此次会展热闹中不乏一丝阴影,企业家脸上的忧郁时不时闪现。为此,笔者专程走访了一些业内人士,他们一致向笔者大倒苦水,呼吁能够为夹缝中求生存的电池组件企业和行业发出一点呼吁,给其一点生存和发展空间。2014年初,商务部发布了对原产于美国、韩国、欧盟的进口太阳能级多晶硅反倾销/反补贴最终裁定公告,政策发布后,我国加工贸易项下多晶硅进口量激增。为进一步封堵我国贸易救济措施的漏洞,商务部于2014年8月起暂停受理太阳能级多晶硅加工贸易进口业务申请,但考虑到下游企业,决定给予加工贸易一年的延缓期。目前,加工贸易手册临近失效,中下游厂商面临多晶硅加工贸易进口被封堵的威胁,以及由此带来的硅片、电池、组件毛利率大幅下降、企业陷入亏损等严重后果,因此,中下游厂商目前陷入“不敢接单、不敢进口、不敢生产、不敢投资”的“四不敢”进退两难境地。这是为何?美元走强,欧元走弱,光伏上网电价、系统造价继续快速下降,这迫使组件、电池、硅片乃至硅料均必须相应降价,可是加工贸易暂停令如果真执行,将给企业带来惩罚性关税、进口增值税等各项成本的增加11%-60%。而硅料成本大约占组件的2-3成,这带来组件成本至少增加2%-3%。光伏...
发布时间: 2016 - 07 - 12
浏览次数:203
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料                                                                                硅晶片清洁过程是半导体制造过程中的关键步骤。华林科纳支持各种类型的晶圆清洗工艺,无论您是进行研究还是大批量生产,都可以保持纯度。华林科纳支持的清洁工艺包括RCA清洁、SC1和SC 2(标准清洁1和2)、预扩散清洁,以及包括臭氧清洁和兆声波清洁在内的其他清洁工艺。1.晶圆清洗的目的 所述的目标晶片清洗过程是在不改变或损害晶片表面或基底除去的化学和颗粒杂质。晶片表面必须保持不受影响,这样粗糙度、腐蚀或点蚀会影响晶片清洁过程的结果。硅晶片的良率与晶片加工的缺陷密度(清洁度和颗粒数)成反比。降低缺陷密度和提高产量的一种方法是使用高效的晶圆清洁工艺,以有效去除颗粒污染物。对于更小的半导体器件和几何形...
发布时间: 2021 - 08 - 05
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三星已经打破晶圆代工台积电独大局面?半导体市场分析师指出,三星(Samsung)已经打破了晶圆代工市场由龙头台积电(TSMC)独大的局面--在台积电最近发表2015年第一季财报后不久,有分析师预言,随着使用台积电最赚钱的几个制程节点,包括28纳米到16纳米的主要客户如高通(Qualcomm)、联发科(MediaTek)、苹果(Apple)、Nvidia与Marvell,转向寻求三星或其他晶圆代工厂做为第二芯片供应来源,台积电恐在今年丧失定价权力。  “因为三星的14纳米良率已经达到七成左右,台积电在晶圆代工市场的独大局面已经被打破;”Susquehanna International Group分析师Mehdi Hosseini表示:“三星在14纳米节点的表现已经媲美台积电,而且能提供更低的每片晶圆平均单价。”此外Hosseini指出,三星也取得了与高通、联发科与Marvell等芯片业者的议价权,因为这些芯片业者正在协商进军三星准备在 2016年推出的新系列手机;三星有更多动机可利用让芯片业者赢得其手机设计案,做为交换晶圆代工业务订单的筹码。 台积电在不久前表示将加快16纳米制程量产速度,同时减少20纳米产能;法国巴黎银行(BNP Paribas)分析师Szeho Ng表示,台积电的16纳米与10纳米进度比预期提高,就是因为急着想巩固自己的市...
发布时间: 2016 - 05 - 31
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冷却阶段在注塑加工过程中起着至关重要的作用。在这一阶段,刚刚成型的注塑件需要迅速冷却固化,以便在较短的时间内达到稳定的形状和尺寸。为了确保产品质量、提高生产效率并降低生产成本,我们必须对冷却阶段进行精确控制。 一、冷却时间的控制 冷却时间直接影响到注塑件的冷却效果和生产周期。冷却时间过短可能导致塑料无法充分冷却固化,进而影响产品尺寸精度和机械性能;而冷却时间过长则会延长生产周期,降低生产效率。因此,根据塑料种类、模具设计和产品要求,精确计算和控制冷却时间至关重要。 为了合理设定冷却时间,需要充分了解所用塑料的冷却速率和模具温度等因素。对于不同塑料材料,其导热性能和热膨胀系数存在差异,因此需要分别进行测试和调整。同时,模具温度也会影响冷却速率,因此需要根据实际生产条件进行合理设定。图1 华林科纳PFA注塑制品二、冷却均匀性的优化 冷却均匀性是指注塑件各部位冷却速度的一致性。在冷却过程中,如果各部位冷却速度不均匀,可能会导致产品出现收缩不均、内应力过大等问题。因此,优化模具设计和改进冷却系统布局是提高冷却均匀性的关键。 通过合理设计模具的冷却水路,确保冷却液在模具内均匀流动,可以有效提高冷却均匀性。此外,采用适当的加热和保温措施,控制模具温度分布的均匀性,也是提高冷却均匀性的重要手段。 三、温度控制的精确性 在冷却阶...
发布时间: 2024 - 01 - 11
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在流体系统中,阀门扮演着至关重要的角色,它们控制着流体的流动、方向和流量。而流量系数(Cv)作为阀门的一个重要参数,对于系统的性能和稳定性具有深远的影响。本文将深入探讨阀门流量系数(Cv)在流体系统中的作用及其对系统性能的影响。 首先,我们来了解一下阀门流量系数(Cv)的基本概念。Cv值表示阀门在单位时间内通过某一特定截面积的流体量,它是衡量阀门流通能力的关键指标。Cv值的大小直接反映了阀门对流体流动的阻碍作用,因此,它对于流体系统的性能和稳定性具有重要影响。图1 华林科纳气动隔膜阀 一、流量控制与系统稳定性 阀门流量系数(Cv)对流体系统的流量控制具有重要影响。在恒定的流体压力下,Cv值越大,通过阀门的流量越大,这为精确控制流体流量提供了可能。通过合理选择和调整阀门的Cv值,可以实现对流体流量的精确控制,从而确保系统的稳定运行。 此外,Cv值的大小也会影响流体系统的稳定性。如果Cv值选择不当,可能会导致系统振荡或不稳定,进而影响整个系统的性能。因此,在设计和选择流体系统时,需要充分考虑Cv值的影响,以确保系统的稳定性。 二、流体特性与阀门选择 不同的流体具有不同的物理特性,如粘度、密度等。这些特性会对流体的流动特性产生影响,进而影响阀门流量系数(Cv)的大小。因此,在选择阀门时,需要考虑流体的特性,以确保所选的阀门具有合...
发布时间: 2024 - 01 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。 介绍      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。      在本文中,我们添加了一些新的实验结果来支持这里给出的观点。特别是,我们更详细地研究了氢氧化钾蚀刻硅蚀刻酸对接近方向的晶体方向的依赖性,并研究了HF:HN03:...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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