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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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蓝宝石窗口片研磨抛光阶段的工艺流程为:粗磨(一致化)--精磨(平坦化)--抛光(镜面化)。其中,粗磨和精磨阶段都是采取磨料冲击破碎蓝宝石表面的方式进行,为纯物理作用,抛光一般采用碱性二氧化硅溶胶,一边对蓝宝石表面进行轻微腐蚀,一边通过抛光垫扫除的方式达到镜面效果,为CMP抛光,即化学物理抛光法。由以上流程可知,蓝宝石抛光是一个腐蚀—扫除的过程,其中,腐蚀的厚度仅仅达到埃米级。蓝宝石抛光完结应该是镜片的所有部分都达到镜面效果。在日常加工中,经常碰到蓝宝石抛光异常加长的现象,时间太长的表象为以下几点:1、 长方形特别是长条形的四个角抛不透;2、 表面有坑点;3、 橘皮水纹等缺陷;4、 表面发蒙,雾化。以上现象,除第三点外,基本都由前道研磨所产生。诚如前文所述,抛光是逐渐腐蚀的过程,而腐蚀的深度非常细微,蓝宝石抛光时间长,无非就是腐蚀还没达致全局,要想达致全局,只能延长抛光时间。那么造成腐蚀难以短时间达致全局的原因是什么呢?毫无疑问是研磨过后的镜片的平坦度问题造成的。我们来逐步分析以上几种现象。1、 角不透。双面研磨是通过行星轮固定镜片并随着行星轮的运转方式在研磨机的研磨盘上运动,通过研磨盘对研磨砂的带动来进行冲击破碎表面,达到研磨目的。但是长方形特别是长条形的镜片在行星轮里是位置相对固定,无法自转,即使产生表面不平整,也无法像圆片一样通...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:87
一、引言(学习蓝宝石衬底的用意及用处)近二十年来,氮化镓基发光二极管取得了飞跃式发展,并实现了大规模的产业化生产。氮化镓基发光二极管由于其高效、节能、环保等优越性能,将取代现有的白炽灯、荧光灯、卤化灯等而成为主流的固态照明工具。然而,同质外延生长所需的高质量GaN衬底的价格昂贵且远不能满足大规模生产的需求。现有的外延衬底大部分仍是蓝宝石,由于蓝宝石与GaN材料存在晶各失配和热失陪等缺点,这阻碍了GaN晶体质量的提高,从而导致了GaN的发光器件性能的进一步提高。大量研究表明,图形化蓝宝石衬底有利于降低晶体的位错密度和应力释放,从而大大改善GaN晶体的质量和GaN的发光器件性能。二、蓝宝石衬底的常规清洗方法在正常的室温下,有机溶剂超声清洗,以及加热条件下,丙酮浸泡。实施本发明的蓝宝石衬底清洗方法,取消了传统清洗方法中使用的三氯乙烯试剂,减少了环境污染,避免人员中毒,在清洗过程中,使用超声波和加热清洗,可节省清洗时间,提高清洗效率和质量。工艺简单、操作方便,满足环保要求。然而,使用超声波清洗机清洗蓝宝石衬底,是利用了超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和污物直接、间接的作用,使污物层被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。三、蓝宝石衬底清洗用超声波设备类型中的光学超声波清洗机深圳威固特VGT-1403FH为光学超声波清洗机,设备共有14个功能槽,配置有循环过滤系统、有机溶剂蒸...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。(1)常压CVD (Normal Pressure CVD) (2)低压CVD (Low Pressure CVD) (3)热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) (4)电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) (5)MOCVD (Metal Organic   CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) (6)外延生长法 (LPE) 4、涂敷光刻胶 (1)光刻胶的涂敷 (2)预烘(pre bake) (3)曝光(4)显影(5)后烘(post bake) (6)腐蚀(etching) (7)光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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一、单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。       单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。   单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越 低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材, 外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要 用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英 寸。外延片主要用于集成电路领域。   由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:80
简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。硅片加工过程步骤1.       切片2.       激光标识3.       倒角4.       磨片5.       腐蚀6.       背损伤7.    ...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:162
1. 引言目前半导体IC产业进入大规模和超大规模集成电路时代,集成电路的特征向着纳米尺寸发展,这就要求集成电路用表面质量越来越高的单晶硅片或者外延硅片,表面如有加工过程的机械损伤等,会造成外延表面的缺陷或者层错,这也会给后续器件加工带来良率损失。根据目前硅片加工技术看,抛光衬底或者外延衬底表面粗糙度基本在纳米级别,微电子技术从微米级进入到纳米级,甚至到14或者7 nm级别,对硅片表面的微粗糙度或者颗粒的特征粒径尺寸要求越来越小 ,150 mm或者200 mm重掺单晶生长外延后,需要严格管控表面颗粒和缺陷水平,如果颗粒过多,会造成外延缺陷,影响产品成品率和表层质量,一般要求硅片颗粒小于特征线宽的三分之一。通常情况下,由于衬底原因或者外延原因造成的外延层雾状缺陷,通过清洗的方式是去除不掉的,所以一般会考虑衬底或者外延工艺改进。有些学者也利用原子力显微镜进行微观分析雾状微观形态,雾状区域起伏较大 。对于影响外延片表面颗粒质量的,我们需要从衬底片表面和外延反应机理进行探讨,衬底表面粗糙度增大,会严重影响外延片的表面质量 ,同时外延工艺中合适气体的选择使用也会进一步提高外延片表面的质量。 本文发现部分抛光硅片在外延后出现0.12 um颗粒聚集分布现象,外延炉同炉其他批次外延后均未发现有类似现象。为解决此类问题,我们对抛光片衬底微粗糙度进行分析,并外延验证。 2. 实验部分...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:411
高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。近年来,全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。多晶硅市场需求经历了由“半导体产业主导”向“光伏产业主导”的转变。光伏行业很快出现高速发展的局面,硅材料生产过程中必需的清洗设备的市场需求仍然非常大。这些设备分别用于半导体材料行业中多晶硅块料、棒料和硅芯的清洗。我公司结合多年电子行业清洗机制造经验,针对该工艺的生产特点,开发出针对以上产品的专用全自动清洗设备,并已在多家硅材料生产厂家得以成功应用。1、工艺研究在多晶硅生产过程中,清洗的作用是在尽量减小材料损失的前提下,有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剥离表面沾污层,再通过纯水进行冲洗的方法达到洗净效果。在规模生产中,一般采用HF+HNO3,作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度,对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料,由于其形状不规则且处理过程互相堆叠,增加了清洗及干燥的难度,我们在经过多次试验后发现:对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗,可以将残留酸液去除。热氮吹扫去除水滴,真空加热干燥对于堆叠工件(块状料)的干燥效果良好。2、结构设计基于上述...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:162
本文主要介绍在镀膜以前,快速清洗各种形状和尺寸的单个基片的方法。对表面的清洗基本上可以分成清洗和干燥两个阶段:清洗的目的是清除零件表面严重污染,如水汽、油污、微粒等,进一步清除零件表面残留物;最后是对零件进行干燥。在清洗和干燥阶段,需尽量避免对零件造成重新污染。各种清洗方法介绍基片的清洁度对薄膜性能有很大影响。在镀膜以前,最理想的情况是使用刚抛光完的基片,否则基片表面会变质。特别是当基片经受了不正确处理和贮存后,其情况变得更加严重。但是,即使是对刚抛光完的基片来说,有时也会由于存在氧化筛抛光粉的污染而使这种基片在镀膜以后在某些地方出现较大的散射。只有在抛光以后,立即清洗基片表面,并且在镀膜以前再次清洗才能消除这种影响。通常,只对基片重要表面进行抛光,共余表面,如基片边绿部份保持研磨后状态。清洗基片表面时,只需清洗基片抛光面就行了。清洗粗糙面的污染往往比较困难,有时会因为想清洗这些表面而影响到抛光面的清洁。1.清洗清洗方法的适用性取决于基片材料和基片原始表面状态。通常是用一种阴离子介面活性剂的稀释溶液来清洗基片表面。清洗时,用浸有这种溶液的脱脂棉轻轻擦洗基片表面。在清洗后,再将基片放在含有这种洗涤剂的稀释溶液的超声波槽里继续进行清洗。1976年Mathewson介绍了先用全氯乙稀蒸汽脱脂,然后用碱性洗涤剂超声波清洗的方法。上述预清洗方法,虽然能为基片进一步清洗打下良好的基础。但是处理...
发布时间: 2021 - 08 - 06
浏览次数:89
1  介绍    化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初,最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年,德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究,并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。五十多年来,化合物半导体材料的研究取得了巨大进展,在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。    砷化镓(GaAs)材料是目前生产量最大、应用最广泛,因而也是最重要的化合物半导体材料,是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构,使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中,与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。2  砷化镓材料的性质及用途    砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构,导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心,即K=0处,这使其具有较高的电光转换效率,是制备光电器件的优良材料。  在300 K时,砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV,远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV,因此,砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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1介绍半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。华林科纳(江苏)半导体设备有限公司是国内比较早的从事晶圆湿法清洗设备的厂家。 ' O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物杂质的分类8 ?. X8 k$ Y1 y+ [' F5 ^) \% f' dIC制程中需要一些有机物和无机物参与完成,另外,制作过程总是在人的参与下在净化室中进行,这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。   C$ a: E& t5 [6 B3 v- ~2.1颗粒,@/e&~,I/|#C$R& @# R' H+ X8 n& l6 U4 D& ...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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