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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        硅主导半导体行业是有充分理由的。 一个因素是稳定,容易形成,绝缘氧化物,这有助于高性能 并允许实际处理。 这些美德如何才能作为新的美德继续存在对完整性、特征尺寸的小型化和其他方面提出了要求 尺寸,以及对加工和制造方法的限制? 这些需求使得识别、量化和预测控制增长的关键变得至关重要以及原子尺度上的缺陷过程。理论与新实验的结合(同位素方法、电子方法) 噪声、自旋共振、脉冲激光原子探针等解吸方法,特别是扫描隧道显微镜或原子力显微镜)提供了工具他对模型的影响刚刚得到认可。 我们讨论电流硅氧化的统一模型,超越了传统的描述的动力学和椭偏数据,明确地解决问题提出同位素实验。 这个框架仍然是Deal-Grove模式提供了一种现象学来描述行为的主要机制给出了一个基础,从这个基础可以对实质性的偏差进行描述在这个模型中,生长受到扩散和界面反应的限制 系列。 与Deal-Grove的差异仅对第一批投资者最为显著几十个氧化物原子层,这对超薄的氧化物层至关重要现在要求。 几个重要的特征出现了。 首先是压力的作用和应力松弛。 其次是最接近硅的氧化物的性质进一步分析了其缺陷及其与非晶化学计量氧化物的区别输出,无论是在组成...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要  硅是制造众多半导体材料中最有趣和最有用的材料  半导体器件。 在半导体器件制造中,各种加工步骤都落了下来  分为四大类,即沉积、去除、模塑和改性  电气性能。 在每一个步骤中,晶圆清洗是最主要和最基本的步骤发展以半导体为基础的电子器件。 清洗过程就是去除不改变或损坏晶圆表面或基片的化学和颗粒杂质。本文对硅片清洗过程进行了分类综述。 一些基本的简要介绍了洁净室的概念。   关键词:半导体制造,硅片,硅片清洗,洁净室   介绍  半导体是一种固体物质,两者之间有导电性,绝缘体和导体的定义半导体的性质。材料的关键在于它可以被掺杂杂质改变了它的电子以一种可控的方式,硅是最常用的半导体材料。生长,外套,否则转移材料到晶圆上。 移除是任何过程比如蚀刻和化学机械平化(CMP)去除材料从晶片。 模式是关于塑造或沉积材料的改变一般称为平版印刷。最后,电气改造 性质是通过掺杂杂质来完成的半导体材料。目的晶圆清洗过程[1-10]是去除化学物质和颗粒  没有改变或损坏的杂质晶片表面或基片。对晶片进行预扩散清洗清洁的意思是创造一个表面不含金属、微粒和有机物污染物、金属离子去除干净 即去除...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      让我们面对现实:在选择用于构建功率半导体的衬底材料时,硅 (Si) 与碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等新兴化合物半导体无法匹敌。由于它们的基本材料特性,这些化合物半导体可以完成硅无法做到的事情。      直到最近,Si还是性价比最高的半导体材料,足以满足功率半导体器件的需求。然而,电动和混合动力汽车 (EV/HEV)、用于移动设备和 EV 的快速充电设备以及 5G 网络等新兴应用需要在更高频率下运行、可以处理更高电压、更导热并且可以承受的功率设备温度范围更广。      这就是为什么想要处于技术领先地位的制造商正在投资使用化合物半导体制造设备的原因。事实上,分析师预测到 2027 年全球化合物半导体市场将达到 2129 亿美元,从 2020 年到 2027 年的复合年增长率为 11.1%。预计在此期间仅 SiC 市场将达到 18 亿美元,而 GaN 市场预计将增长到 2026 年价值 249 亿美元。考虑到这一点,我们认为现在可能是回顾是什么让化合物半导体如此特别以及如何克服一些工艺挑战的好时机。化合物半导体:基础知识     简单地说,化合物半导体由两种或多种元素构成,而硅半导体由单一元素构成。它们通...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      钛长期以来一直是牙种植体材料的标准载体。然而,在考虑长期和短期影响种植牙成功的因素时,最关键的因素之一无疑是种植体的表面。为什么种植牙表面很重要      乍一看,钛似乎是牙科植入材料的奇怪选择。尽管钛具有高强度、良好的生物相容性、低毒性和高耐腐蚀性,但纯钛具有高反应性。然而,当它与氧气相互作用时,会形成氧化钛 (TiO2) 表面层,稳定表面并允许发生骨整合。      表面对骨整合的愈合时间以及最终种植体治疗的成功具有重要作用。它是唯一暴露于周围口腔环境的种植体部分,其化学、物理、机械和地形表面特征对于最大限度地提高成功骨整合的可能性至关重要。 图 1 扫描电子显微镜图像显示阳极氧化 TiUnite™ 植入物表面有密集的血液凝固。血液凝固是种植体周围骨愈合的第一步;强烈的初始反应表明该阳极氧化表面具有骨传导性。种植体表面改性的发展      今天,有各种各样的钛牙种植体表面。多年前的初始种植体具有光滑的翻转表面,正如他所描述的,它们需要三到六个月的愈合时间才能成功进行种植体装载。      从那时起,牙种植体及其表面的设计随着时间的推移经常发生变化和演变,以改善骨整合和更好的...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料还记得什么时候我们可以在星期天给手机充电,直到下周末才再考虑吗?曾经有一段时间,在购买手机时,电池寿命甚至不在前十名中。然而,如今,智能手机不断被用于计算、游戏、视频流和其他耗电的应用程序,因此电池寿命比以往任何时候都更加重要。经典摩尔定律缩放曾经用于同时改进芯片“PPAC”——功率、性能和面积/成本——但由于 2D 缩放已经达到物理极限,情况不再如此。展望未来,PPAC 的改进将通过多种方法实现,包括缩小晶体管的新方法。简单地将晶体管做得更小已经不够了;我们还需要提高能效,以在小尺寸中提供最大性能。延长移动设备电池寿命的一种方法是确保晶体管在应该关闭的时候真正关闭。理想情况下,当晶体管处于“关闭”状态时,不应有任何电流流过晶体管鳍通道和栅极。然而,在现实世界中,总会有少量电流通过沟道、结和栅极电介质泄漏(称为 I off)。因此,制造商不断努力将这些泄漏降至最低。传统上,通过增加对门的控制来减少I off。FinFET 的创新就是一个很好的例子。在这个方案中,整个晶体管在垂直方向上被拉伸,使得沟道从衬底中凸起,栅极环绕鳍的三个侧面。在特定的 2D 封装中,栅极的较大接触面积可以更好地控制漏电流。FinFET 的硅鳍片中的大部分驱动电流流向靠近材料表面而不是鳍片的中间,并且总电流几乎与鳍片周长(有效沟道宽度)成正比。这意味着当...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料蚀刻对牙齿有什么影响?        正如您可能会在给光滑的木桌上涂上新颜色之前将清漆打磨掉一样,蚀刻过程会使牙齿表面更粗糙,因此附着的牙科材料更安全。在显微镜下,蚀刻会溶解牙釉质和牙本质(牙齿的两个外层)中的一些矿物质。这种稳定的侵蚀会产生称为“标记和隧道”的粗糙特征,可以更好地以化学方式吸收粘合树脂并将其物理锁定在牙釉质和牙本质表面上的位置。酸本身通常是一种 30% 到 40% 的磷酸凝胶,着色后使其在牙齿上可见。您的牙科专家会将凝胶留在您的牙齿表面约 15 到 30 秒,它产生的侵蚀使光滑的牙釉质表面呈现出冷淡的外观。粘合材料用特定波长的特殊光“固化”。该过程的最后一步包括填充或粘合材料,以分层放置在粘合的顶部。每一层都会固化,直到您的牙科专家完成修复体的最终形状。牙科中的酸蚀是将不同类型的修复体粘合到牙釉质或牙本质上的有效方法。牙齿上的有机和无机材料的“涂抹层”是由蛀牙准备产生的,它不是理想的粘合表面。由于需要“破坏”这个涂抹层,酸蚀刻始于 1970 年代和 1980 年代。酸蚀刻技术       根据您的牙科修复体的程序和大小,您的牙科专家可能会使用三种基本的蚀刻技术。牙冠或贴面的材料,如氧化锆或瓷器,也可能影响牙医使用的蚀刻技术。三种主要方法如下:...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料流程概览      硅半导体器件加工的描述,可以是分立器件(仅包含一个有源器件的半导体,例如晶体管)或 IC(能够执行至少一个电子电路功能的单个半导体衬底内的有源和无源元件的互连阵列) ,涉及许多高度技术性和特定的操作。本说明的目的是提供基本框架和解释,用于制造硅半导体器件的主要组件步骤以及相关的环境、健康和安全 (EHS) 问题。      IC 的制造涉及一系列过程,在电路完成之前,这些过程可能会重复多次。最流行的 IC 使用 6 个或更多掩膜来完成图案化工艺,典型的是 10 到 24 个掩膜。微电路的制造始于直径 4 至 12 英寸的超高纯度硅晶片。完全纯净的硅几乎是一种绝缘体,但某些杂质(称为掺杂剂)以百万分之 10 到 100 的量添加,使硅导电。      集成电路可以由数百万个由掺杂硅制成的晶体管(还有二极管、电阻器和电容器)组成,所有晶体管都通过适当的导体模式连接,以创建计算机逻辑、存储器或其他类型的电路。在一块晶圆上可以制作数百个微电路。      六个主要的制造工艺步骤适用于所有硅半导体器件:氧化、光刻、蚀刻、掺杂、化学气相沉积和金属化。接下来是组装、测试、标记、包装和运输。氧化 ...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       半导体生产设备的生产控制是一项非常复杂和耗时的任务。定义了设备性能参数的不同需求由客户和设施管理。这些要求通常是反对的,而且有效策略的定义并不简单。在半导体制造中,常用的可用生产控制系统优先级定义每个生产批次的重要性。生产批次按顺序排列      根据定义的优先级。这个过程称为调度。优先级配置是由特殊的算法来实现的。在文学中,有很多不同的策略规则是可用的。对于半导体代工业务来说,有非常需要的灵活且可适应的策略,将设备状态和已定义的需求纳入帐户。在我们的情况下,生产过程的特点是低量高混合产品组合。这种组合会导致额外的稳定性问题和性能滞后。不稳定的特性增加了对合理生产控制逻辑的影响。本文提出了一种非常灵活、适应性强的生产控制策略。这一政策是基于真实生产数据的详细设施模型。数据被提取出来从一个真正的高混合低产量的半导体工厂。调度策略几个调度规则。不同的需求,如线平衡,吞吐量优化准时交货的目标也可以考虑在内。自动化的详细设施模型计算了不同调度规则的半最优组合定义目标函数。目标函数包含了不同的需求管理和客户。采用遗传启发式算法求解快速有效地找到一个接近最优解。该策略是通过实际生产数据进行评估的。分析与详细该工厂的设备模型显示,多个设备的平均改善幅度为5%至8%性能参数,...
发布时间: 2021 - 08 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 RCA清洁金属化前湿法清洗硅片的第一个成功工艺是在RCA系统开发的,在他们的晶圆厂使用了几年,最终在1970年发表。该工艺由两种连续应用的热溶液组成,称为“RCA标准清洁液”,即SC-1和SC-2,其特点是试剂纯净且易挥发。四十多年来,这些解决方案以其原始或改进的形式广泛用于硅半导体器件的制造。第一处理步骤的SC-1溶液由水(H2O)、过氧化氢(H2O2)和氢氧化铵(NH4OH)的混合物组成;它也被称为“氨/过氧化物混合物”的“APM”。用于第二处理步骤的SC-2溶液由水、过氧化氢和盐酸(HCl)的混合物组成;因“盐酸/过氧化物混合物”而被称为“HPM”。两种处理都是在用水冲洗后留下一层薄的亲水氧化层。 标准清洁- 1SC-1溶液最初规定的成分范围为5:1:1至7:2:1体积份的H2O、H2O2和NH4OH。通常使用的比例是5:1;1.去离子水用于所有操作。过氧化氢是电子级30% H2O2,不稳定(排除污染稳定剂)。氢氧化铵是29%的NH4OH。晶片的处理可以在70-75℃下进行5-10分钟,然后在流动去离子水中进行淬火和溢流冲洗。用冷水稀释热浴溶液是为了置换液体的表面高度,并降低浴的温度以防止从浴中取出的晶片批料干燥。该批晶片在冷的去离子水冲洗,然后转移到SC-2槽中。SC-1溶液旨在从硅、氧化物和石英表面去除有机污染物,...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 介绍 根据器件的具体类型,硅集成电路的制造需要500-600个工艺步骤。大多数步骤都是在将完整的晶片切割成单个芯片之前,以单元工艺的形式执行的。大约30%的步骤是清洁操作,这表明清洁和表面处理的重要性。硅电路的器件性能、可靠性和产品产量受到晶片或器件表面上化学污染物和颗粒杂质的严重影响。因此,由于半导体表面的极端敏感性和器件特征的纳米尺寸,在热处理如氧化之前、通过蚀刻形成图案之后、离子注入之后以及薄膜沉积之前和之后清洁硅晶片的有效技术是至关重要的。因此,在硅片中制备超洁净材料已经成为先进集成电路制造的关键技术之一。人们可能会问必须消除的杂质的性质、类型和来源。晶片表面的污染物以吸附的离子和元素、薄膜、离散粒子、微粒(粒子簇)和吸附气体的形式存在。表面污染物薄膜和颗粒可分为分子化合物、离子材料和原子种类。分子化合物主要是润滑剂、润滑脂、光刻胶、溶剂残留物、去离子水中的有机化合物、指纹或塑料储存容器中的有机蒸汽的颗粒或薄膜以及无机化合物。离子材料主要包含来自无机化学物质的阳离子和阴离子,这些无机化学物质可以被物理吸附或化学键合(化学吸附),例如钠离子、氟离子和氯离子。原子或元素种类包括金属,例如铜和重金属,它们可以从含氢氟酸(HF)的溶液电化学镀在半导体表面上,或者它们可以由硅颗粒、灰尘、纤维或来自设备的金属碎片组成。颗粒可能来...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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