欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vi...
发布时间: 2021 - 03 - 15
浏览次数:59
1.1宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外,其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍,因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC,它的热导率和击穿电场都不高,因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始,化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。1.2主要的宽禁带半导体材料近年来,发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些,碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示:如上图所示,SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs,相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓,宽禁带半导体的最高工作温度要...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:69
当我们谈论芯片产业时,首先想到的就是光刻、刻蚀、沉积、离子注入、化学机械抛光(CMP)等工艺,在过去的一段时间内,《每日财报》基本对这些环节实现了覆盖。今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质,是芯片制造中步骤最多的工艺,几乎贯穿整个作业流程。由于硅片的加工过程对洁净度要求非常高,所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,因此几乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看来,芯片生产中所用的清洗设备似乎并没有什么技术门槛,也就没有那么大的价值,但事实却并非如此,芯片制造是一个极其复杂和精致的产业,任何一环出现问题都会前功尽弃。在半导体设备市场中,晶圆制造设备采购大约占整体的80%,测试设备大约占9%,封装设备大约占7%,其他设备大约占4%,同时清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为6%,因此可以推算出清洗设备约占半导体设备投资的4.8%。1、芯片良率的“保镖”芯片制造需要在无尘室中进行,如果在制造过程中,有沾污现象,将影响芯片上器件的正常功能。据估计,80%的芯片电学失效都是由沾污带来的缺陷引起的。沾污杂质是指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质,具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等。一般来说,工艺越精细对于控污的要求越高,而且难度越大,随着半导体芯片...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:598
2018年下半年,受智能手机出货量的下滑等因素影响,半导体行业迎来了下行周期。不过随着5G建设和车联网市场的发展,目前半导体市场正在回暖。我国半导体市场已超过万亿规模,业已成为国家战略新兴产业的重要组成部分。为此,为您全面介绍行业概况、产业链结构、上游关键原材料、本行业竞争格局及材料重点应用领域。报告合集涵盖高纯溅射靶材、CMP材料、半导体硅片、电子气体、封装基板、光刻胶、光纤预制棒、湿电子化学品、半导体设备等九大市场0 1高纯溅射靶材2017年全球溅射靶材市场容量达132.5亿美元(半导体领域占半导体晶圆制造材料市场3%左右),预计到2020年全球高纯溅射靶材市场规模将超过200亿美元。显示、记录媒体、太阳能、半导体是显示靶材四大应用市场,面板市场最大,占市场35%,在中国这一比例超过50%。0 2CMP材料CMP化学机械抛光是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。CMP抛光材料具有技术壁垒高,客户认证时间长的特点。全球芯片抛光液市场主要被在美国、日本、韩国企业所垄断,占据全球90%以上的高端市场份额。0 3半导体硅片硅片也称硅晶圆,是制造半导体芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求继续放大,胜高统计全球晶圆厂给出的总需求指引,其复合增长率为9.7%(未统计中国新建厂);SEMI 统计12寸硅片上半年累计涨...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:1354
湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种,是化学清洗在半导体制造行业中的应用,是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形,有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀,这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。从半导体制造业一开始,湿法刻蚀就与硅片制造联系在一起。虽然湿法刻蚀已经逐步开始被干法刻蚀所取代,但它在漂去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀应用等方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比,湿法刻蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。1 湿法刻蚀及其应用1.1湿法刻蚀湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解,然后转成可溶的化合物达到去除的目的。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀,等离子刻蚀等。湿法刻蚀这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应,因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。1.2 湿法刻蚀的过程(1)反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面;(2)反应物与被刻蚀材料反应;(3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中,随溶液被排出。在上述三步反应中,进行速度最慢的就是控制刻蚀速率的步骤,也就是说,该步骤的进行速率就是反应速率...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:129
背景技术滤光片可以用来选取所需要辐射的波段,从而广泛应用于相机等光学仪器。滤光片在组装时,需要使用UV胶将滤光片粘在镜座上。操作时,先在滤光片表面点胶,胶水固化后即可将滤光片固定至镜座。然而,由于胶水在镜片的表面扩散较快,胶水在固化前会溢出到滤光片的有效区域,从而影响成像质量。基于此,有必要提供一种可防止滤光片溢胶的滤光片表面处理方法。一种滤光片表面处理方法,包括以下步骤:将滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡;使用甩干机甩干所述滤光片,其中,所述增稠剂选自OES液体增稠剂、瓜胶、阿拉伯胶及聚丙烯酸钠中的至少一种,所述无机盐选自氯化钠、氯化钾、氯化镁及氯化钙中的至少一种。在其中一个实施例中,所述清洗液中所述增稠剂的质量浓度为30mg/L~500mg/L,所述无机盐的质量浓度为10mg/L~100mg/L。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有表面活性剂。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。在其中一个实施例中,所述阴离子表面活性剂为烷基磺酸钠或脂肪醇硫硫酸纳。在其中一个实施例中,所述清洗液由含有增稠剂和无机盐的洗洁精与水混合形成,其中,所述水与所述洗洁精的体积比为1000:1.5~1000:1。在其中一个实施例中,所述甩干机的转速为35转/秒~50转/秒。在其中一个实施例中,所述滤光片表面处理方法还包括步骤:在将滤光片放入有增稠剂和无机盐的...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:14
随着集成电路器件的纳米化、高密度化、高集成度及多层金属互连的进步,半导体技术节点越来越先进,对实际制造的多个关键环节也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。据2019年1月28日报道,台积电南科14厂发生一起不合格原料污染事故,预估损失上万片晶圆,受到影响的主要是16/12nm工艺。NVIDIA的GPU芯片、海思、联发科的手机芯片以及一些ARM服务器处理器都使用了这一工艺,这也是台积电的主要营收来源之一。台积电发生的污染源已被确认,分别为前段刻蚀的铁离子污染和光刻胶原材料污染。前段晶体管受到污染可能会导致器件发生不正常的漏电,进而影响产品的良率、电学性能和可靠性。2019年2月15日,台积电坦承,受到南科14厂污染事件影响,本季营收将减少约5.5亿美元。受到影响的客户包括辉达、联发科、海思和赛灵思等重量级客户,其中辉达的投片量超过上万片。考虑到此次事故涉及的是相对先进的16/12nm工艺,加上受到影响的股价大跌,台积电的实际损失有可能超过了40亿美元。如果再算上事故造成的停机以及产能和交付上的损失,则后果将更加惨重。 这一事件非常强烈地传递了这样一个信号,随着集成电路特征尺寸越来越小,半导体器件对生产工艺过程中的颗粒、有机残留物、杂质等污染物及湿法清洗的去除能力、缺陷控制、关键尺寸调控等的...
发布时间: 2021 - 03 - 01
浏览次数:74
红外截止滤光片是一种允许可见光(400nm-700nm)透过,而截止或反射近红外光(700nm-1100nm)的光学滤光片,广泛应用于数码相机、手机摄像头、电脑摄像头等数码成像领域,在摄像镜头和CCD/CMOS图像传感器之间加上红外截止滤光片,能滤去通过摄相镜头的高频段光波,只让一定范围内的低频光波通过,从而有效地滤除红外光波,消除其对CCD/CMOS成像的干扰,提高成像的分辨率和色彩还原性,使图像清晰且稳定。传统的红外截止滤光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的红外截止膜,利用多层膜的干涉实现截止红外光、透过可见光的功能。但这种红外截止膜只考虑到可见光在垂直入射时的透过效果,而忽视了大角度入射时的透过率,并且在大角度入射时传统红外截止膜的波长偏移会导致红光部分的严重损失,成像质量严重下降。另一种是蓝玻璃红外截止滤光片,通过在蓝玻璃表面镀制红外截止膜来达到截止红外波的效果。这种蓝玻璃红外截止滤光片虽然解决了斜角度入射时光谱偏移的问题,但它从红光处便开始吸收光波一直延伸到红外光,造成部分可见的红光被过滤,红光的损失会造成色彩还原性的降低,从而影响相机的成像质量。而且蓝玻璃本身原材料成本高,目前还不利于在低端产品上大量普及。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述问题,而提供一种色彩还原度高、成像效果好、成本低廉的红外截止滤光片。本实用新型的技术方案是...
发布时间: 2021 - 03 - 01
浏览次数:99
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶,后者称负性光刻胶),使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺:利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。基本步骤1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙(PEB)6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查准分子光刻技术准分子光刻技...
发布时间: 2021 - 03 - 01
浏览次数:74
典型光电行业用超纯水设备工艺光电行业用超纯水设备采用PLC+触摸屏控制,全套系统自动化程度高,系统稳定性高。大大节省人力成本和维护成本,水利用率高,运行可靠,经济合理。使设备与其它同类产品相比较,具有更高的性价比和设备可靠性。典型光电行业用超纯水设备工艺  1、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→粗混合床→精混合床→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(传统工艺)。  2、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯化水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(最新工艺)。  3、预处理→一级反渗透→加药机(PH调节)→中间水箱→第二级反渗透(正电荷反渗膜)→纯水箱→纯水泵→EDI装置→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥17MΩ.CM)(最新工艺)。  4、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(最新工艺)。  5、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→纯水泵→粗混合床→精混合床→紫外线杀菌器→精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)。 光电行业用超纯水对水质的要求新兴的光电材料生产、加工、清洗:LCD液晶显示屏、PDP等离子显示屏、高品质灯管显像管、微...
发布时间: 2021 - 03 - 01
浏览次数:17
1322页次84/133首页上一页...  79808182838485868788...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开