背景技术随者数码相机、摄像头等高科技产品的普及，光学镜片在各个领域都得到了迅速的发展。光学镜片是精密的部件，故在光学镜片的加工制造过程中，有一个很重要的环节就是对镜片进行清洗的工艺，其直接影响到制成镜片的质量。常规的工艺主要包括清洗液清洗、清水清洗等步骤，其清洗效果还有待提高。因此提供一种工艺简单、清洗效果好的光学镜片中片的清洗方法是本发明所要解决的问题。发明内容本发明克服了现有技术的不足，提供一种工艺简单、清洗效果好的光学镜片中片的清洗方法。为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：提供了一种光学镜片中片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将所要清洗的光学镜片中片浸泡入清水中，超声波振荡3-5min；（2）将经过步骤（1）处理的光学镜片中片浸泡入含有溶剂的溶液中，超声波振荡0.5-1min；（3）将经过步骤（2）处理的光学镜片中片浸泡入清洗液中，超声波振荡5-10min；（4）将经过步骤（3）处理的光学镜片中片浸泡入天然植物胶溶液中，超声波振荡2-5min；所述天然植物胶为瓜尔胶、香豆胶、羧甲基罗望子胶、羧甲基决明子的一种；所述天然植物胶溶液的浓度为0.5-2wt%；（5）将经过步骤（4）处理的光学镜片中片用清水洗净；（6）将洗净的光学镜片中片放入烘干设备中烘干；（7）在密封干燥器中冷却至常温即可。作为一种优选方案，所述步骤（1）中的清水的温度控制在35-45℃。作为一种优...
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1、研磨后的清洗研磨是光学玻璃生产中决定其加工效率和表面质量（外观和精度）的重要工序。研磨工序中的主要污染物为研磨粉和沥青，少数企业的加工过程中会有漆片。其中研磨粉的型号各异，一般是以二氧化铈为主的碱金属氧化物。根据镜片的材质及研磨精度不同，选择不同型号的研磨粉。在研磨过程中使用的沥青是起保护作用的，以防止抛光完的镜面被划伤或腐蚀。研磨后的清洗设备大致分为两种：一种主要使用有机溶剂清洗剂，另一种主要使用半水基清洗剂。(1)有机溶剂清洗采用的清洗流程如下：有机溶剂清洗剂（超声波）-水基清洗剂（超声波）-市水漂洗-纯水漂洗-IPA（异丙醇）脱水-IPA慢拉干燥。有机溶剂清洗剂的主要用途是清洗沥青及漆片。以前的溶剂清洗剂多采用三氯乙烷或三氯乙烯。由于三氯乙烷属ODS（消耗臭氧层物质）产品，目前处于强制淘汰阶段；而长期使用三氯乙烯易导致职业病，而且由于三氯乙烯很不稳定，容易水解呈酸性，因此会腐蚀镜片及设备。对此，国内的清洗剂厂家研制生产了非ODS溶剂型系列清洗剂，可用于清洗光学玻璃；并且该系列产品具备不同的物化指标，可有效满足不同设备及工艺条件的要求。比如在少数企业的生产过程中，镜片表面有一层很难处理的漆片，要求使用具备特殊溶解性的有机溶剂；部分企业的清洗设备的溶剂清洗槽冷凝管较少，自由程很短，要求使用挥发较慢的有机溶剂；另一部分企业则相反，要求使用挥发较快的有机溶剂等。水基清洗剂的主要用...
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光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础，他决定了集成电路（ＩＣ）的集成度…。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物，这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年，国家将ＬＥＤ照明列入为重点发展产业，ＬＥＤ行业迅猛发展。ＬＥＤ制造过程中，具有光刻版的使用量多，使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本，主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度，但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚，在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶，导致光刻胶粘附到光刻版表面（图１）。对于ＩＣ行业，因为线条更细，精度要求更高，所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言，其颗粒移除率（PRE）不需要达到１００％，但对于光刻版而言却并非如此，其原因是对于产品良率而言，光刻版表面颗粒的影响更大，单晶圆缺陷只影响一个缺陷，而一个光刻版却影响到每一个芯片［２一］。由于零成像缺陷是可以实现的，工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净，必须定期对光刻版进行清洗，而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。 １光刻版清洗工艺１．１光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物，比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除，例如利用丙酮浸泡光刻版，在浸泡的同时可以超声提高浸泡...
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表面清洗硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前,采用物理或化学的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。在硅片加工工艺中，有多达20%的步骤为清洗。制造一种设备将硅片表面的沾污全部除去是不可能的。在硅片清洗过程中，将每片上的沾污从百万级降低到十万级相对容易，但要把沾污全部去除或在全部工艺中保证沾污不再增加却是非常困难的。所以，不同的工艺技术所要求的硅片最终表面态不同，其所需要的清洗方法也不相同，不可把各种清洗方法同等对待。1硅片清洗设备的清洗工艺清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污。1.1清除有机表面膜、粒子和金属沾污A类硅片清洗设备的工艺流程见表1。 1.2清洗工艺步骤第1步：NH4OH+H2O2+H2O比例为1∶1∶5第2步：HCl+H2O2+H2O比例为1∶1∶5此工艺分为氧化、络合处理两个过程。使用NH4OH+H2O2+H2O，温度控制在75～80℃。H2O2在高pH值时为强氧化剂，破坏有机沾污，其分解为H2O和O2。NH4OH对许多金属有强的络合作用。HCl+H2O2+H2O中的HCl靠溶解和络合作用形成可溶的碱或金属盐。分别在第1步和第2步的前、中加...
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蚀刻是从材料表面去除材料的过程。蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻）。涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻。在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料。干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出。干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合。另一方面，湿蚀刻仅是化学过程。干法刻蚀（等离子刻蚀）和湿法刻蚀的优缺点 湿法刻蚀工艺的优点是设备简单，刻蚀速率高，选择性高。但是，有许多缺点。湿蚀刻通常是各向同性的，这导致蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下方的基板材料。湿蚀刻还需要大量的蚀刻剂化学物质，因为基底材料必须被蚀刻剂化学物质覆盖。此外，必须一致地替换蚀刻剂化学物质，以保持相同的初始蚀刻速率。结果，与湿蚀刻有关的化学和处理成本非常高。干蚀刻的一些优点是其自动化能力和减少的材料消耗。与湿法蚀刻相比，干法蚀刻（例如，等离子蚀刻）的成本更低。纯化学干法蚀刻的一个例子是等离子体蚀刻。纯化学蚀刻技术（特别是等离子蚀刻工艺）的缺点是它们不具有较高的各向异性，因为反应物质可以在任何方向上反应并且可以从掩膜材料下方进入。各向异性是指仅在一个方向上进行蚀刻。当只需要在垂直方向上去除材料时，此属性很有用，因为不会去...
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SiO2膜在微技术中具有两个主要作用：作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下，通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时，SiO2被称为“热”。否则，它可以通过化学气相沉积（CVD）作为附加层而获得，不需要硅衬底。氧化物厚度通常在100 nm和1000 nm之间（即分别为1000Å和10000Å，这是在薄膜技术中仍非常流行的埃单位的使用）。它可以容易地用对硅的影响可以忽略不计的化学物质蚀刻。而且，许多硅蚀刻剂不影响氧化物。这种可能性被广泛用于所有基于硅的微技术中。如果氧化物用作硅加工的高温掩模，则必须预先在低温下使用基于抗蚀剂的微光刻工艺对其进行构图。当必须在硅上进行室温工艺时，可以避免使用氧化物掩膜，因为抗蚀剂可以直接充当硅的掩膜。但是，有些化学物质可以轻松蚀刻抗蚀剂和硅。典型的例子是硅的各向异性蚀刻，通常在KOH（氢氧化钾）中进行。在这种情况下，稀释的KOH也是用于正性抗蚀剂的典型显影液。因此，蚀刻过程应以黄光进行，抗蚀剂对此不敏感。这是不切实际的。但是即使如此，由于对于硅的可接受的蚀刻速率需要浓缩的KOH，因此再次不能使用抗蚀剂，因为未经稀释的KOH会去除抗蚀剂，即使它没有被曝光。SiO2的一种非常“选择性”的化学物质（即根本不腐蚀硅）是氢氟酸（HF）。如果直接使用，则这种蚀刻剂对氧化物具有过快和过强的作用，使得底切和线宽控制非常困难。...
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多晶酸制绒原理多晶硅绒面制备方法多晶硅表面由于存在多种晶向，不如（100）晶向的单晶硅那样能利用各向异性化学腐蚀得到理想的绒面结构，因而对于多晶硅片，目前主要采用各向同性的酸腐方法来制备绒面。主要方法:是利用硝酸和氢氟酸、去离子水来配制酸性腐蚀液。对于多晶硅片进行各向同性腐蚀，在硅片表面形成蜂窝状的绒面结构，从而提高太阳电池的光电转换效率。根据溶液对硅的各向同性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。1.第一步:硅的氧化硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为:3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO2.第二步:二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后，很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6总反应: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O终反应掉的硅以六氟硅酸的形式进入溶液并溶于水。这样，二氧化硅被溶解之后，硅又重新露出来，一步、二步的反应不断重复，硅片就可以被持续的腐蚀下去。单晶绒面图片多晶绒面图片 单晶硅制绒液体的组成和作用制绒溶液主要是由碱性物质（NaOH、KOH、Na2CO3等）及添加剂（硅酸钠、酒精或异丙醇）组成的混合溶液。碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反应，从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。酒精或异丙醇有三个作用：a、协助...
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目前,在国内外半一导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体器件制造者的重视。由于该工艺操作简便、成本低、可节约大量的化学试剂、对器件参数无影响、去胶效果好。在集成电路多层布线工艺中用高温氧气去胶常使一次布线铝层由于四百多度高温氧化发黄,而影响与二次布线铝层的欧姆接触,若用发烟硝酸去胶后擦片又常使铝层擦伤而降低了二次布线的合格率。采用等离子去胶则可大大减少铝层表面的擦伤,不氧化,无底膜,保证二次布线的欧姆接触,提高了多层布线的合格率。为大面积集成电路的发展提供了很好的前景。一、等离子体及产生等离子体的方法作为物质的第四态,高度电离的气体叫做等离子体。等离子体具有导电性。从产生方法不同又可分为高温等离子体及低温等离子体两种。高温等离子体如氢弹的爆炸,火花放电及太阳表面的高温都能使气体电离成为等离子体,这种方法产生的等离子体,温度能达到几千度到几十万度,称为高温等离子体去胶工艺使用的是低温等离子体,其作用原理是低压气体在电场力的作用下发生电离在电离过程中,低压气体中残存的少量自由电子在电场力作用下,向正电极运动,由于低压气体密度小,自由电子的平均自由程较大,在与气体分子的两次碰撞之间能够获得很高的能量,这种高能量的自由电子撞击气体分子,使它离解成电离子和自由电子,这些气体部分分子电离后又有更多的自由电子撞击气体分子,因此离子数...
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我们研究材料的红外光学特性的主要工具是红外光谱。例如，我们试图阐明纳米结构对III型氮化物材料中光学跃迁和电子传输的影响。减少氮化物红外光电器件中内置极化场的影响的重要且几乎未探索的途径是在GaN的非极性方向（例如m平面）上使用异质结构。该图显示了在c面GaN（极性方向）和m面GaN（非极性方向）上具有AlGaN势垒的两个结构相同的GaN QW的能带结构之间的比较。对于m面取向的GaN，极化矢量位于垂直于生长方向的平面上，因此异质结处没有极化不连续性。除了简化平坦频带条件下的器件建模外，非极性GaN上结构的一些直接优势还包括改进的光学偶极矩阵元素，隐式吸收以及对高能级能量的限制。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件最有希望。
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随着科技的发展，在当前社会中，大规模集成电路、半导体器件等得到了越来越广泛的应用，对其可靠性、电能性等性能的要求也越来越高。因此，半导体单晶抛光片的表面洁净程度就显得更为重要。因此，在半导体单晶抛光片的清洗过程中，要想得到更为良好的抛光片质量，不能仅仅对抛光片表面的污染物进行清除。在实际清洗过程当中，除了抛光片表面的污垢以外，表面粗糙度、氧化膜厚度、表面化学态等都是应当关注的问题。1半导体单晶抛光片的清洗在当前的世界范围内，对于半导体单晶抛光片的清洗工艺来说，硅单晶抛光片的清洗工艺相对较为成熟，普遍采用的是美国无线电公司的RCA清洗法。而对于砷化镓、锗等半导体单晶抛光片来说，其清洗工艺仍然较为保密，相关的研究也不够成熟。因此，应当结合半导体单晶抛光片的清洗工艺实例进行分析，探寻清洗半导体材料抛光片的关键性技术，从而对硅、砷化镓、锗等半导体材料抛光片的清洗工艺和技术水平提高提供借鉴和参考。在清洗半导体单晶抛光片的过程中，由于半导体材料的性质、数量、氧化物种类等方面的不同，也存在着一定的差异。例如，在硅单晶抛光片的清洗工艺中，先用稀氟氢酸进行清洗，然后再用氢氧化铵和双氧水的混合液进行清洗，最后用盐酸和双氧水的混合溶液进行清洗[1]。在砷化镓抛光片清洗工艺中，先使用氢氧化钾溶液进行清洗，然后进行紫外光照射和臭氧清洗，最后采用酸性活性剂进行清洗。在锗单晶抛光片的清洗工艺中，先用浓硫酸进行清...
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