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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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RENA前后清洗工艺什么是太阳能电池?1. 太阳能电池的原理太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子—空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。2. 制造太阳能电池的基本工艺流程二、前清洗(制绒)1. 制绒工艺的分类:制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒:    利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率(各向异性腐蚀),对(100)面腐蚀快,对(111)面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面,经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面(金字塔状),称为表面织构化。但是对于多晶硅,由于晶体排列方式杂乱,如果利用碱液,无法进行腐蚀得到良好的金字塔织构化表面,此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀,获得表面存在许多凹坑的表面结构,也能起到良好的陷光作用。2. 陷光原理:当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。腐蚀深度在4.4± 0.4...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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GaN材料介绍1.1GaN的晶体结构一般地说,GaN具有三类晶体结构,分别为:纤锌矿,闲锌矿和岩盐矿。闪锌矿和岩盐矿是比较少见的。它们的晶体结构示意图有下图1.1所示。人们所制各的GaN的结构,一般来说都是纤锌矿结构,因此着重介绍一下Gab]的纤锌矿结构。GaN晶体是可以看作山两套六角密堆积的晶格相互嵌套的纤锌矿结构。这就是说.这种结构相当于两套格子沿着C轴(0001)方向错了3/8的晶格常数位簧,而两套格子中任何一个格子都由一类原子(N原子或者Ga原子)构成,如1.1图所示。在纤锌矿结构的GaN中沿C轴(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延续。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人给出了被广泛的接受GaN的晶格常数,分别为a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化学性质GaN的化学性质十分稳定,在室温下,几乎不与酸和碱的溶液反应1271。到现阶段为止,只有熔融的KOH能比较有效的与GaN反应【2引.而这个方法被人们用来检测(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,还有电化学湿法刻蚀,本文会在后面讲到。由于GaN的化学性质稳定,难以通过常用的化学反应手段进行腐蚀。因此,在GaN器件的制作过程中常用干法刻蚀。主要是感应耦台等离子刻蚀和反应离子刻蚀的两类刻蚀方法。这两类的干法刻蚀所用的刻蚀气体一般是氯元素的化...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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摘要:化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关捷要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。关键词:化学机械抛光;原子级精度表面;清洗技术0引言目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性,导致微结构缺陷,引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题⋯1。计算机硬盘技术中,随着硬盘存储密度的快速上升,磁头的飞行高度已降低到10姗以下L2J。原子级表面粗糙度(原子直径小于0.3nm)、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求,也是关系其性能的关键因素。目前一般采用CMP技术进行片子表面的高精度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高,以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米Si02、纳米AIO粒子)、多种化学品等因素,工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物,导致CMP后清洗极其困难。集成电路技术中,对0.35pm及以下的CMOS工艺,要求后清洗提供的片子上0...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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半导体湿法工艺实验平台于2019年完成建设,实验室提供湿法工艺实验验证和核心功能模块演示服务。由于工艺实验涉及纳米尺度的工艺,对实验环境有特定的需要,因此配备了专门的隔离空间及回风过滤系统,也配备了超纯水DIW、压缩干燥空气CDA以及废气处理系统等工艺辅助设施,已能够满足用户产品及工艺的快速验证。湿法刻蚀清洗可以提供2”-12”晶圆的湿法刻蚀实验台、超声兆声清洗实验台、IPA干燥慢提拉实验机、甩干机(立式、卧式)、CDS供液系统等不同类型的设备,能够满足绝大多数用户在刻蚀、清洗、电(化学)镀、干燥的工艺验证需求。具体可进行验证工艺实验名称见下表:核心功能模块演示包括超声兆声功能、自动配液功能、循环功能、过滤功能、加热功能、制冷功能、恒温功能、抛动晃动功能等。自动配液:主要用于湿法腐蚀清洗等工序需要使用的腐蚀液集中进行配送,经管道配送至使用端;具有自动化程度高、配比精确(达到2‰)、操作简便等特点,具有耐腐蚀性,可适用于:HF、HNO3、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、H2O2、IPA等。CDS自动配液机恒温控温:采用电子冷热交换器,当设定好制程药液所需温度,由控制单元精准控制,则无需别的操作。通过外接循环水的温度,将药液温度控制精度达到±0.5℃,电子冷热器内部温度控制精度达到±0.1℃,保证多批次清洗、刻蚀效果一致。电子冷热交换器工作原理...
发布时间: 2019 - 07 - 09
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在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业,制程工艺往往需要药液的高精确控温,若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温,药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。  传热的三种基本方式是:热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导,热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递,最终达到用户需要的温度(冷热都可以实现)。  然而,在上述提及的行业中,很多控温的药液往往带有腐蚀性,制程工艺要达到100℃以上高温,这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商,经过多年研发及更新换代,华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。  冷热交换取热器,包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集,PID数字闭环调节,重新注入处理槽内。由此,经过不断循环交换冷热,将药液温度实时控...
发布时间: 2019 - 07 - 01
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衍射光学是基于光的衍射原理,利用计算机设计衍射图,并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光学元件及其灵活的控制波前,集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化,微型化和集成化发展。到了90年代至今,衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展,大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一,特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中,各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件,对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较,衍射光学元件(DOE)的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内,集成多种光学功能于一体,产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺,华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理,摸索了相关的规律,得到了有效控制刻蚀速率的方法,不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据,得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术,能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。
发布时间: 2020 - 05 - 08
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良,使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高,湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展:a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性,以帮助工艺工程师提供更良好的控制,阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制,以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些,都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步:1:反应物(指化学药剂)扩散到反应表面2:实际反应(化学反应)3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中,湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形,光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉,而光刻版在腐蚀后常被去掉,因此在线择湿法腐蚀工艺时,必须线择腐蚀液,合适的形成版的材料(光刻胶)必须具有良好的抗腐蚀能力,良好的完整覆盖特性,光刻胶常被用来作为版层材料,但有时边缘的黏附性差,常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除,用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺,分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法;干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面 薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀,但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是:反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉 淀,影响刻蚀的正常进行;湿法刻蚀一般为各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,这样会导致侧向出现腐蚀。因此,刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙;湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象,影响刻蚀速率,使得刻蚀效 果变差。  提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数,是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因,刻蚀均匀性与选择比有密切的关系,非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~ 40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”: 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能, 这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化,从而使物质发生物理、化学变化。 超声场为清洗提供了巨大的能量,但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类,一类是有机溶剂,主要是根据相似相溶的化学原理,对有机物如:黏结剂(沥青、松香等)、保护性材料(沥青、树脂等)、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中,最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂,这类物质虽然溶解性强,但有的易挥发,毒性大,有的对大气臭氧层有破坏作用,被逐步禁用。现...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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