扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在本文中讲述了制造纳米化硅衬底的无光刻技术的发展，固态脱湿过程和金属辅助的湿式化学蚀刻这两种现象的结合，允许以一种相对简单的方式在大面积上制备硅纳米结胶。本我们的研究目的是开发无光刻技术来制备纳米胶的图案硅衬底，它可用于氮化镓基层的金属有机气相外延生长，并提高了外延横向过度生长方法的质量。在本研究中，使用了用30nm二氧化硅涂层的电阻率为500Ucm的p型Si（111）和Si（115）衬底，采用PECVD工艺，将衬底切成1212mm2的样品。利用PVDUHV系统，采用电子束蒸发法以0.5˚As1，沉积10或20nm的Ni层，然后，在Ni层的850C(RTA)系统下退火，以激活SSD过程，RTA处理在氮气气氛中进行5min，然后，在部分具有10nmNi层的样品上，重复10或20nmNi层的沉积和RTA处理。进行了扫描电镜扫描电镜的表征，以评估样品的表面形貌。为了从扫描电镜图像中确定Ni岛的大小和表面分布，使用了“ImageJ”的粒子表征工具，该工具允许删除单个岛屿区域（像素）及其在图像中的数量，从而允许我们确定岛屿半径、表面密度和覆盖率，覆盖率对应于金属对样品表面的覆盖程度，然后从每个样本拍摄的至少3张SEM图像中计算所有参数的平均值和标准差值，为了确定所得到的硅纳米柱的高度，对样品进行了突破，并进行了横截面扫描和分析。 图1在图中...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料我们通过考虑Si和二氧化硅在磨损过程中之间的化学反应来研究摩擦相互作用的起源。使用原子力显微镜(AFM)，这是一个强大的工具的原子尺度磨损分析。4-6磨损试验是通过在氢氧化钾溶液中在不同pH值下用SiAFM尖端在硅片上划伤热氧化的二氧化硅薄膜来进行的。通过磨损试验比较摩尔中硅与二氧化硅的去除体积，研究了硅与二氧化硅之间的化学反应，以阐明原子尺度上的硅去除机理。本实验使用了带有封闭玻璃流体单元的商业式AFM，将溶液注入电池后，将Si尖端带到二氧化硅薄膜上，划伤薄膜表面进行磨损试验。在1~6mN的正常载荷下，连续3、8、18和38个循环，尖端扫描速度为20mm/s，划伤了10 310 mm的区域，然后，在约0.2mN的正常载荷下，使用相同的Si尖端，观察到较大的二氧化硅表面积为20 320 mm来成像磨损标记，二氧化硅去除体积由划痕面积（100mm2）和磨损标记的观测深度的乘积得到。为了澄清表面氧化，我们用透射电镜（透射电镜）观察了硅尖端，由于尖半径小于10nm，没有任何蚀刻处理就获得了尖尖的原子尺度图像。 图2具有少量天然氧化物层的硅单晶的晶格平面清晰可见，在氢氧化钾溶液中划伤二氧化硅表面后的典型Si尖端的扫描电镜图像中显示（见图2），硅尖端的顶端已被均匀地去除，并在尖端的末端暴露出一个平坦的表面。在1~6mN的3、8、18和38个划伤循...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本研究通过光电化学湿法蚀刻方法对SiC晶片进行了蚀刻。研究了电解质种类、认可电压、电解质浓度等变量对蚀刻速率和表面粗糙度的影响。随着H202浓度的增加，蚀刻速率为中值，但在1摩尔以上的浓度下，蚀刻速率保持不变。另外，为了使认可的电压变得更重，蚀刻速度变得更重，使用H2O2电解质时，没有经过使用HF电解质时要求的热氧化工艺步骤，形成了蚀刻，虽然蚀刻速度低，但蚀刻表面的表面粗糙度非常好，表明了进行消磁的可能性。将SiC晶片表面放入丙酮中，用超音速雕刻30分钟，然后用同样的方法用甲醇雕刻，将此样品制成85 ℃的NH4OH : H202 : H20(1 : 1 : 5)溶液和HC1 :用H202 : H20(1 : 1 : 5)溶液处理，与表面的有机物质量，去除了杂质，之后用HF : H2O(1 : 10)溶液去除了表面存在的自然氧化膜。通过将形成的氧化层放入石灰石的HF溶液中去除，将蚀刻分开，观察了电压和全电解质浓度下的蚀刻速度变化，蚀刻深度以@-step测量，通过SEM观察蚀刻的样子，并观察到蚀刻的深度，用AFM测量了表面的粗糙度。如果认可1 : 75 HF电解质和3.5 V的电压引起光电化学反应，形成多孔质，气孔的大小为50 nm，如果将该样品在1000 ℃下进行热氧化，由于高表面能量和大量的Si成分，多孔SiC在低于原来的SiC晶片的温...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文涉及一种基板用韦特蚀刻组合物，其含有0.1~50质量%的含氟化合物(A)，0.04~10质量%的氧化剂(B)，以及含有水(D)，pH值在2.0~5.0的范围内的SiN层和Si层。 另外，利用该韦特蚀刻组合物的、具有SiN层及Si层的半导体基板的韦特蚀刻方法，使用时产生的挥发性成分对装置或排气线的腐蚀和空气污染，进而在减轻组合物中氮粉引起的环境负荷的同时，对于具有SiN层及Si层的基板，可以提高Si对SiN的去除选择性。已知Si膜可以用碱性水溶液去除，而碱性水溶液在不同晶体面的蚀刻速度有很大不同。 在CVD法成膜的Si膜中，由于不同地点的晶面朝向不同的方向，所以在裸露着难以蚀刻的一面的地点无法进行蚀刻，导致了Si膜无法去除加工的问题。通过利用组合物，在半导体元件的制造工艺中，减轻装置或排气线的腐蚀或氮粉中环境中的负载，对于具有SiN层及Si层的基板，可进行Si蚀刻速率高，且Si对SiN的去除选择性高的韦特蚀刻。在实施例和比较例中使用的基板，芯片分别采用CVD法将Si膜成膜到厚度为500的Si基板上的Si膜基板，Low Pressure CVD法将SiN膜成膜到厚度为500的Si基板上的SiN膜基板，切割成方圆1cm的尺寸。 表2以上测量了表2所载韦特蚀刻组合物表4所载温度下Si膜及SiN膜的蚀刻速率,结果显示在表4中。Si膜的蚀刻速度...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料硅的湿法各向异性蚀刻主要用于制造尺寸为几微米或更大的微结构。用于开发这些器件的各向异性蚀刻技术的精度令人满意，对多孔硅产生的研究表明，形成低维的硅可以转化为活性光子材料，然而，使用不同的方法来控制硅在各向异性蚀刻剂中的蚀刻速率，蚀刻剂浓度和温度是硅各向异性蚀刻中最重要的两个因素，研究了它们对所有晶体取向的硅蚀刻速率和表面粗糙度的影响。 图7-2从图7-2(a)中可以看出，由于三氧化二甲烷浓度从10重量%到25重量%不等，除了一个例外，大多数分析的方向显示最大值为20重量%。Si的腐蚀速率随着TMAH浓度的降低而稳定增加大约2-5wt%，随着温度的降低，蚀刻速率稳步降低(见图7-2b),然而蚀刻速率比也随着温度的降低和浓度的增加而降低，从而影响蚀刻过程的实际各向异性。这些结果，即各向异性比的变化，蚀刻剂浓度和温度的变化可以控制凹面结构中表面的电流变率,由于表面粗糙度可变，这样的实验尚不令人满意。调节蚀刻速率的另一种潜在方法是引入添加剂以改变TMAH蚀刻特性，添加剂引入的两个结果是调节TMAH的各向异性和改善表面粗糙度，特别是对于低TMAH浓度，通过比较TMAH和KOH两种ctchants的各向异性分布，表明不仅氢氧根离子，而且阳离子都对各向异性腐蚀机理有影响。因此，建议使用K2CO向TMAH中加入钾离子。 图7-3图7-3沿着从...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文涉及一种在衬底(Sub)上蚀刻待去除层的方法，提供了Si1-XGeX层作为要消除的层，并且上述层在气相蚀刻期间被蚀刻气体，特别是ClF3至少部分消除。 Si1-XGeX层的蚀刻特性可由Si1-XGeX层内的Ge量控制。 蚀刻方法特别适于可取地形成微甲传感器内的自支撑结构，并在封闭的空心室（15）内制造上述自支撑结构。 原因是Si1-XGeX层是牺牲层及填充层，对硅以高选择性蚀刻。 在微机械传感器的制造工艺中，在基板上形成牺牲层，在上述牺牲层上沉积另一结构物层而结构化，随后，牺牲层被选择性地移除以实现结构的暴露，基本上，牺牲层可以干法或湿法化学去除。 在多晶硅层上沉积其他氧化物层，在其上沉积例如厚的Epi多晶硅层，进行表面铝金属层的沉积和结构化，将要暴露的传感器结构可取地通过DE 42 41 045 C1号所述的基于氟的硅深度蚀刻方法进行蚀刻，传感器元件的暴露由牺牲层蚀刻实现，上述蚀刻时氧化物在传感器区域下部典型地由含氟化氢酸介质通过气相蚀刻方法消除，上述下蚀刻技术的缺点氧化物不仅在暴露的传感器区域下部被移除，而且在多晶硅打印导体上方和部分下方也被移除，因此存在分路和泄漏电流的危险，必须防止下蚀刻的氧化物区域，只能通过复杂的工艺进行保护。我们仍然需要为传感器元件的结构化提供各向异性等离子体蚀刻，通过各向同性气相蚀刻或各向同性氟等离子体...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文通过使用循环极化技术研究了硅在EPW各向异性蚀刻剂(乙二胺、邻苯二酚和水)溶液中的阳极氧化，用x光电子能谱和二次离子质谱对样品进行了表征。用自动扩散电阻(ASR)辐照根据两个16的火山硼的浓度分布，结果如图1所示，在进入17至10阳极氧化测试以产生相同的表面条件之前，使用氢氟酸溶液去除晶片表面的酸膜。 图1绘图仪尺寸和光束电压分别为3×3mm2和0.7kV，参比电极为ag / AgCl电极，反电极采用AP网络，并安装溶液浓度，以保持电容器持续处于受控状态。此外，在实验过程中，通过通入氮气防止溶液氧化，阳极氧化和循环极化的两个实验实例斜坡率= 02毫伏/秒，初始电位为-100毫伏对。使用SIMS提高了一个体积的表面中硼的浓度。图2用于阳极极化和阴极极化的实验装置。 图2在耐腐蚀金属(如不锈钢)中颗粒的铬确定阳极氧化的情况下，由点引起的内腐蚀，其中当沿相反方向扫描从无源区域到有源区域的电位以观察局部不稳定形成的氧化膜破裂时电流密度的行为时，电流子点迅速降低。该研究实施例通过识别方法观察硅阳极氧化膜的行为，并在y电位时清洗种子中的样品。在本研究中，蚀刻-为提供硅阳极氧化膜的基础数据，作为确定停止机理的一部分，首先引入一种分析技术，根据阳极氧化膜作为钝化膜的蚀刻低方向性，即在溶液中如何稳定地起伏，所有电化学腐蚀都是高度活...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文是为了在Si基板蚀刻制造金刚石时提高制造收率，为此，将半导体Si基板接入阳极，将Pt电极接入阴极后，在pt电极用跳汰机内放入氮气泡泡器，旋转对向的正电极上外部认可电压，泡泡器内吹入氮气，在加温的蚀刻溶液内进行蚀刻。（图3、图4） 图3 Si基板蚀刻装置的构成图在连接到阳兢的半导体硅基板上，将连接到阴极的铂线缠绕在夹子上的铂电极对向，在夹子中放入氮气泡泡，通过该泡泡注入地素的半导体硅基板的蚀刻方法，一种半导体硅基板的蚀刻方法，使氮气泡沫器与氮气注入一起旋转。
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文讨论了温度对去除氮化物或氧化物层的蚀刻速率的影响,对于氧化物层，温度并不是很重要，因为氧化物在室温下可以被快速去除,这与氮化物层不同，与相同厚度的氧化物层相比，在室温下去除它需要更长的时间。具体来说，本研究比较了不同蚀刻温度下氮化物层的图案结构,在第二个实验装置中，研究了不同温度下氮化物层和氧化物层的蚀刻速率,氮化物和使用薄膜映射器F50薄膜指标检测氧化物层的厚度,最后，通过加热桶方溶液，发现了最佳的蚀刻技术,本文通过对传统BOE工艺的比较，对其加热工艺进行了讨论。在本实验设置中，在780µm厚的单抛光晶片上切割成1英寸的方形样品,衬底在两侧预涂上199.91nm厚的LPCVD氮化硅,利用薄膜映射器F50薄膜指标测量了薄层氮化物的厚度,底物在超声浴中用丙酮和甲醇浸泡5分钟,然后用去离子(DI)水冲洗样品,然后用氮气爆破以干燥。最后，将样品放在热板上，温度设置为120ºC，持续15-20分钟进行硬烤确保硅表面没有水。硅样品然后进行光刻过程，在基板上形成正方形框架,正光刻胶AZP4620首先使用旋转涂布器涂覆在硅衬底上，设置为500rpm10s，然后是2000rpm20s,接下来，将基底置于120ºC的热板上，放置1分钟,只有这样，样品才能准备好进行光刻工艺。利用掩模对准器KarlSussMJB3将掩模上的正方形图案...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本研究在实际单位工艺中容易误染，用传统的湿式清洁方法去除的Cu和Fe等金属杂质，为了提高效率，只进行了HF湿式清洗，考察了对表面粗糙度的影响，为了知道上面提出的清洗的效果，测量了金属杂质的去除量，测量了漆器和表面形状，并根据清洁情况测量了科隆表面特性。本实验使用半导体用高纯度化学溶液和DI 晶片，电阻率为22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圆外，所有晶片均采用piranha+HF清洗进行前处理，清楚地知道纱线过程中易污染的Cu和Fe等金属杂质的去除程度。Cu金属杂质的人为污染量和各次清洗产生的金属物净产物的除糠量均被定为TXRF，其结果为图1。有效地去除了Cu金属杂质，通过不断反复处理，Cu杂质量减少到I×10' atoms/am左右。 图1从干气化学角度考察这个结果如下，图2显示，在污名溶液中Cu以Cu~相状存在，在这种人为污染溶液中浸泡SI FLE，形成了电化学电池，也就是说，污染溶液中的Cu2是通过对电子进行交联的方法，通过Split 1清洁(HF-only)去除了界面上形成的SiO2，认为污染的Cu将从硅表面去除，但是，根据split 1清洗后Cu中的金属杂质显示出约1×101’ATOMS/CML的残留量，因此，HF清洗对Cu有效，未能过度去除，紫外线/臭氧铲入的...
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