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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究利用大气等离子体,以等离子体表面处理取代化学辅助有机清洗工艺,减少三氯乙烯和氢氧化钠等化学物质的使用。通过采用大气等离子体处理,在不使用危险化学品的情况下,获得勉强可接受的电镀和清洁结果,实验结果表明,从环境友好的角度来看,用等离子体处理代替化学过程是合理的,此外,还对浸锡/铜进行了等离子体处理,以了解等离子体处理的锡/铜的可焊性,用于实际工业应用。本实验采用的MyPLTM最大直列可处理300 mm的电路板尺寸,适用于大体积微电子封装制造环境,该系统由射频电源系统、气体输送系统和等离子体产生系统三部分组成,射频电源系统采用13.56兆赫射频电源,带有自动阻抗匹配模块,气体输送系统有四个带数字控制系统的质量流量控制器。 图1实验的起点是通过扫描电镜图像比较镀铜样品,扫描电镜图像是通过常规化学清洗和等离子清洗从样品中获得的,将两个铜箔样品用水清洗,用化学试剂和等离子体有机清洗,用H2SO4酸洗,并用硫酸铜4H20对清洗后的铜样品进行电镀。图1显示了电镀后的扫描电镜图像,但是不清楚哪种清洗方法优于另一种,似乎图1(b)是等离子体清洁的样品,显示了局部形成的稍大的铜颗粒,但是图1(a)显示了更均匀的表面。通过扫描电镜图像观察清洁效果可能会导致表面的近视,因此在以下实验中选择了更宽的观察视野。 图2化学清洗是通过将样品浸入化学物质...
发布时间: 2022 - 02 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了充分实现Ⅲ-氮化物的潜力,由于Ⅲ-氮化物的三维蚀刻技术尚未成熟,因此需要开发更强大的三维自上而下蚀刻技术。结合实验室开发的两步自上而下的制造工艺,我们研究了85%h3po4蚀刻对高长宽比氮化镓、AIGaN和AIN纳米线的影响。 氮化镓纳米线的氢氧化钾蚀刻法·氮化镓在AZ400K中蚀刻,得到有序、高、高宽比、原子上侧壁光滑的纳米线·对氢氧化钾蚀刻过程进行了研究,通过快速蚀刻部位的消失和缓慢蚀刻部位的出现,显示了侧壁蚀刻部位的凹/凸阶梯模型 通过两步自上而下的过程进行蚀刻 ·晶片级掩蔽最初使用自组装的硅球单层·EBL允许使用具有不同横截面的高度控制的纳米结构阵列 AlGaN在热磷酸中的刻蚀 热磷酸中的侧蚀速率与铝含量的关系·纳米线尖端的横向(非极性)蚀刻在所有四种衬板的尺寸上是一致的、可量化的尺寸·氮化镓与14%AIGAN明显相似,65%AIGaN与AIN明显相似·这表明有不同的快速蚀刻平面暴露在较高的铝含量下 延长氮化镓纳米线延长拉伸时间·800nm起始直径NW的临界蚀刻时间为55min·延长蚀刻时间导致破裂和过度蚀刻·HAADF-STEM表明,在过度蚀刻过程中没有暴露的系统平面&#...
发布时间: 2022 - 01 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关于氮化硅和二氧化硅层上的金属去除,先前的研究表明,通过蚀刻几埃的受污染材料可以实现非常有效的清洗,通过为多晶硅蚀刻和晶圆变薄而开发的湿蚀刻化学方法,可以获得最高的硅蚀刻速率(每分钟几微米),这些化学物质通常是HF/HNO3混合物、FNPS(HF/HNO3/H3po4/h2so4)或商业解决方案,如默克纺丝机®系列,然而,由于蚀刻的硅的厚度和均匀性难以控制,这些化学方法不适合重复清洗步骤。此外,二氧化硅和氮化硅的蚀刻速率降低了10到100倍,所以无论基质如何,都不能使用相同的配方,研究发现,直高频清洗对二氧化硅和氮化硅的铜去污非常有效,在工业环境中,通过仅蚀刻7A的氮化硅,铜污染可从1012at/cm²降低到1010at/cm²,虽然这种清洗方案目前用于集成电路制造厂,但它不能解决硅表面的金属去污,特别是过渡金属,因为它不蚀刻硅或具有较低的氧化还原电位值,如果可以通过调整稀释度和化学比来控制Si和二氧化硅上的蚀刻速率,则不会蚀刻氮化硅。在这项研究中,我们研究了一种解决方案,使我们能够通过改变混合物成分和温度来“调整”和控制硅、氮化硅和氧化硅的蚀刻速率,我们选择了一种h2o:h2o2:h2so4:HF(dHF-SPM)混合物,因为它可以独立地控制3种感兴趣材料的蚀刻速率,而不会粗糙硅表面,含dHF-SPM混合物的硅蚀刻...
发布时间: 2022 - 01 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究探讨了生长后冷却和生长前加热过程中AlN表面无意污染的机制,以及这种污染对光学性能的影响。首先,研究了生长后冷却过程中的流动气体对生长后的AlN表面性能的影响,在1450ºC下培养200μm厚的同型外延层,然后在添加氨的H2/N2载流气中(输入分压:1.6×10-3atm)的速率冷却至室温(RT),以防止AlN表面分解,为了进行比较,我们用4个相同的方法制备了另一个样品,但在生长后冷却时没有添加氨。其次,研究了在添加和不含氨的H2/N2载气中加热的HVPE生长的AlN层的表面污染,为此,如上所述,HVPE-AlN层在PVT-AlN衬底上生长,但衬底在没有氨供应的情况下冷却到RT,使AlN表面暴露在H2蚀刻中,然后在有无氨(输入分压氨:1.6×10-3atm)的载气中再次加热至1450ºC,再生长若干μm厚的AlN层,形成HVPE-AlN/HVPE-AlN“界面”。第三,利用由HVPE生长层制备的HVPE-AlN基底,研究了热处理气氛和温度的影响,基底在有和没有氨供应的载气(输入分压氨:1.6×10-3atm)的温度下被加热至1350-1450ºCatm的温度,将底物在每个温度下保持1min,然后以5ºC/min的速率冷却到室温。利用10Hz的脉冲ArF准分子激光器(λ=1...
发布时间: 2022 - 01 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了高质量单晶基板的制备,利用原子力显微镜技术研究了叶片的生长机理,已经确定,在这些颗粒中,大的单晶颗粒以螺钉位错密度低于5×104cm-3生长,而边缘的位错密度较低(未观察到),利用化学机械抛光(CMP)和AFM成像技术,分别制备了高质量的外延生长AlN单晶基底物并进行了表征。此外,还研究了氢氧化钾溶液对AlN的N端面和al端面的差异蚀刻效应,为了识别N端或铝端面,采用了聚合束电子衍射法。我们研究了氢氧化钾溶液对高质量单晶基底上沿c轴晶体学方向的N端和铝端表面的影响。此外,我们还讨论了一种基于tem的方法,以明确地沿c轴识别N端面和al端面。在晶体IS设施中(见图1),使用Slack和McNelly开发的升华-再凝结技术首次生产了直径高达10mm的AlN束,该技术显示晶体生长速率高达0.3mm/小时,对生长小面的AFM成像揭示了关于AlN生长机制的有趣信息。如图2所示的晶体生长正面面的原子排列与六角形菱形晶c面正面的特征结构相对应,0.25nm高的单层台阶由三角形组成的三角形片段组成,每个连续单层上的三角形相对于前一单层旋转60o或180o,方向的一步,一层每个边缘原子只有一个断裂键,下一层的平行步骤是每个边缘原子有2个断裂键;后一层中每个边缘原子又有1个断裂键的步骤相对于前一层中的步骤以60°角运行,这些步骤的直段表...
发布时间: 2022 - 01 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在半导体微器件的制造中,必须通过蚀刻各种材料,从表面移除整个层或将抗蚀剂图案转移到下面的层中。在蚀刻工艺中可以分为两种工艺:湿法和干法蚀刻,同时进一步分为各向同性和各向异性工艺(见下图)。 各向同性和各向异性蚀刻工艺在各向同性蚀刻工艺中,蚀刻发生在横向和垂直方向,因此层不仅在厚度上被去除,而且在圆周上也被去除;而在各向异性工艺中,该层仅在垂直方向上被去除。根据需求,可能需要各向同性工艺以及各向异性工艺。通常各向同性的蚀刻轮廓,湿法蚀刻很少用于结构化,但微机械器件是一个例外。此外硅晶体的原子结构,使用湿化学可以产生侧面角为90°或54.74°的轮廓。最后蚀刻工艺的一个重要价值是选择性。选择性是应该被蚀刻的层(例如氧化膜)和另一层(例如抗蚀剂掩模)的磨损率,如果选择性是2:1,氧化物的蚀刻速度将是抗蚀剂的两倍。同时湿化学工艺不仅适用于蚀刻,也适用于其他需求,比如:1.湿法蚀刻:从整个晶片上去除掺杂或未掺杂的氧化物层;2.晶圆清洗;3.去除光刻胶;4.背面处理:去除在其他过程中作为副产品沉积的层(例如热氧化);5.聚合物去除:去除干蚀刻过程中产生的副产品等。
发布时间: 2022 - 02 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器的英文缩写,是一种电路中广泛应用的电容器,又被称为“独石电容器”。电容器是重要的电子元器件,属于被动元件中的电路类(电阻、电容、电感,合称 LCR)元器件,是复杂电路架构的重要组成部分。电容在电路中的主要作用是储存电荷、交流滤波、旁路、提供调谐及振荡和用于微分、积分电路等。华林科纳CSE总结了与其他种类的电容器相比,MLCC 具有多种优良特性:(1) 容量范围大:相对于单层电容,MLCC 的多层堆叠技术使得其具有更大的电容量。(2) 超小体积:智能手机和平板等产品的不断更新换代带来了产品轻薄化的趋势,对应用的电容器产生了缩小体积的迫切需求,目前产品尺寸正向 0201、01005 发展。(3) 低等效串联电阻:MLCC 的 ESR 一般只有几毫欧到几十毫欧,与其它类型的电容器相差多个数量级。ESR 较小代表运行时元件自身散发热较少、从而将大部分能量用于电子设备的运作而不是以热能的形式耗费,提高运行效率的同时也提高了电容器的使用寿命(4) 额定电压高:陶瓷高温烧结工艺使其结构致密,相比其它材质的电容,耐电压特性更优秀,电压系列也更宽,可满足不同电路的需求。(5) 高频特性好:材料的发展使得 MLCC 在各频段都有合适的陶瓷材料来实现低 ESR 和阻抗,在高频电...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。首先,在乙醇中通过超声波清洗硅基底,使用原子力显微镜,在潮湿空气(相对湿度≃50%)划伤二氧化硅尖端后,通过摩擦化学去除清洁硅基板表面3×3μm2方形区域内的天然氧化物,如图所示1,磨损面积的深度为∼2nm,超过了天然氧化硅的厚度,因此,四方形区域的新鲜地下硅原子被暴露出来,利用真空中的氮化硅尖端进行AFM表面形貌扫描,确定了硅基底表面的方形区域的表面形貌和方形区域的深度d0。 图1第二,经过初始表面形貌扫描后,将处理后的硅衬底在室温下用一定pH的制备的氢氧化钾溶液中浸泡一定时间,硅(Si-100)的蚀刻率是氧化硅的185倍,而低浓度氢氧化钾溶液中氧化硅的蚀刻率极低。因此,在短时间内,氢氧化钾溶液几乎无法蚀刻天然氧化硅,但暴露的新鲜地下硅可以明显地蚀刻,经过一段时间后,取出硅衬底,然后用超纯水冲洗,然后,通过AFM扫描蚀刻后的硅衬底表面,得到四方形面积的深度d1。最后,在氢氧化钾溶液中蚀刻后,可以估计硅面积的蚀刻深度,蚀刻深度Δd为d0与d...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了用氟化铵(NH4F)、氢氟酸(HF)和水之间的BHF蚀刻掺杂CVD薄膜的蚀刻速率和反应机理,在我们的研究中,BHF中NH4F的~浓度低于传统成分比的BHF,即NH4F的浓度设置在较高水平,在本实验中,通过将NI-I4F浓度设置在15~20%,约为常规浓度的一半,有几个好处,但并不影响热氧化物的蚀刻速率。在5in上沉积了各种掺杂的CVD薄膜,在300~500~o2、Sill4、乙硼烷、磷化氢和砷化氢的温度下,将硅晶片逐一地引入环境中,薄膜厚度范围为2000~10000A,通过将薄膜溶解在高纯度的HF中,测定了掺杂的CVD薄膜中B、P和As的浓度,BHF中HF和NH4F的浓度有所变化,在每次蚀刻过程中,蚀刻剂的温度均保持在25_+0.1~,蚀刻速率定义为薄膜厚度在单位时间内的减小,采用光学型薄膜厚度计(Nanospec210LCW-VT/SP200)测量薄膜厚度。硅酸砷玻璃膜--As浓度为2%:无热处理,因此,随着NH4F浓度的升高,二氧化硅的蚀刻速率急剧增加,然而,一旦NH4F浓度超过等摩尔浓度,HF~的生成就会变得稳定,即使NH4F浓度进一步增加,蚀刻速率也几乎没有上升。当NH4F浓度接近20%时,即使HF~生成稳定,蚀刻速率也开始下降,这可能是因为优势离子HF~的迁移率由于NH~的增加而降低,图1显示了当NH4F浓度变化时,热二氧化硅...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性质的影响。蚀刻率由深度蚀刻随时间的变化来确定。结果表明,随着蚀刻时间的延长,硅的厚度减重增加。在高分辨率光学显微镜下,可以观察到蚀刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明,蚀刻后硅的晶体峰强度变弱,说明在硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟,这一发现可以有价值地用于生产可靠的硅薄晶片,这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要,进而减少环境污染和能源消耗,以实现未来的可持续性。 材料、制备在蚀刻前,硅片经过了溶剂清洗过程。其主要目的是去除其表面的油和有机残留物。首先,用丙酮清洗晶片,其中将烧杯中的丙酮在温度下加热至55℃。然而,丙酮留下了自己的残基,因此乙醇被用来清洗丙酮残基。然后将晶片放入含有乙醇的水浴中放置10分钟。然后将晶片从浴液中取出,用蒸馏水冲洗。这些晶片在蚀刻前在空气中干燥一天。在蚀刻过程中,将硅片以48%浓度的高频蚀刻剂/水溶液中,时间间隔为10分钟至1小时。然后用蒸馏水清洗晶片,用空气干燥,然后进行进一步的表征。采用分析半微平衡(GH-202系列)测量重量减轻,采用数字微米(DTG03L型)测定硅片厚度减少。分别采用光学显微镜...
发布时间: 2022 - 01 - 13
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