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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      电子工业中用于集成电路的典型硅片是由直拉法生长的硅单晶锭切割而成的。这种单晶是从石英坩埚中的熔体中拉出的,该坩埚将氧原子结合到硅晶体中。氧原子占据硅晶格中的间隙位置,并能形成二氧化硅团簇的核。这种硅晶体的热处理引起氧扩散和氧沉淀物的生长。晶体生长过程中每个晶片的热历史负责晶体不同部分中间隙氧和氧化物核的各种分布。本文研究了不同温度工艺后直拉硅单晶中的氧沉淀,研究了不同温度预退火对氧沉淀的影响,其中温度历史没有完全消除,只是达到了不同的抑制阶段。通过红外(IR)吸收光谱测量使用不同温度和时间的没有和具有TR预退火的样品,并将结果与化学蚀刻和透射电子显微镜(TEM)进行比较。本文还讨论了从锭头和锭尾观察到的晶片温度历史的影响。 实验      我们探讨了从两个1.5毫米厚的硅晶片上切下的样品中氧的沉淀过程。一个样本是靠近直径为150毫米的直拉法生长晶锭的起点{S}和另一个靠近终点{E}切片。该晶锭掺硼,电阻率为3-5Ω·cm,晶片表面的晶体取向为(111)。      两个晶片{S,E}被一起分成10个系列的矩形样品(尺寸约为20 mm × 15 mm):五个系列的样品来自锭头{S},另外五个系列的样品来自锭尾{E}...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在半导体热处理应用中,批处理在工业的早期阶段被采用,并且仍然非常流行。我们研究了直径为200毫米和300毫米的硅(100)晶片在单晶片炉中高温快速热处理过程中的热行为,该热行为是温度、压力、处理时间、晶片处理方法和速度的函数。在晶片温度上升期间观察到显著的弹性晶片形状变形。在1050℃以上处理的晶片中经常观察到滑移的产生。使用光学显微镜和x光形貌来表征在RTP期间产生的晶体缺陷的尺寸、形状和空间分布。发现在给定的工艺条件下,晶片处理方法和速度对于减少RTP期间的缺陷产生非常重要。通过优化晶片处理方法和速度,在1100℃下处理的200毫米和300毫米直径的硅(100)晶片中获得了高度可再现的、无滑动的实时处理结果。 实验      用大尺寸(直径200 mm和300mm)Si(100)晶片在预热的SWF处理室中在800–1150℃的温度范围内退火。众所周知,si晶片的机械强度受杂质类型和浓度的强烈影响。详细研究并发表了硅中氧和硼对机械强度的影响。在本方法中,使用低氧浓度的硅晶片作为对照样品。硅晶片在退火过程中产生的晶体缺陷通过视觉检测和光学显微镜作为温度、压力、处理时间、晶片处理方法和速度的函数进行研究。      对于200毫米直径...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言抛光液中的污染物和表面划痕、挖掘和亚表面损伤(固态硬盘)等缺陷是激光损伤的主要前兆。我们提出了在抛光后使用HF/HNO3或KOH溶液进行深度湿法蚀刻,以提高熔融石英光学器件在351 nm波长下的抗激光损伤能力。这种比较是在高损伤阈值抛光熔融石英光学器件上设计的划痕上进行的。我们证明氢氧化钾和氢氟酸/硝酸溶液都能有效钝化划痕,从而提高其损伤阈值,达到抛光表面的水平。还研究了这些湿蚀刻对表面粗糙度和外观的影响。我们表明,在测试条件下,氢氧化钾溶液显示出比氢氟酸/硝酸溶液更好的整体表面质量。 实验      我们使用六个熔融石英样品,采用优化的研磨工艺制造,减少了表面下的损伤,随后进行预抛光和超抛光。因此,它们在紫外光下具有高的初始LIDT。然后用图1和2中总结的两种方案制备两批三个样品。第一批(命名为样品A1至A3)用于抛光表面表征,而第二批(命名为样品B1至B3)用于划痕表征。所以第二批需要中间步骤来制造划痕并显示出来。划痕是使用单面抛光机抛光造成的。抛光为30龙敏,浆料由胶体二氧化硅中的氧化铈颗粒组成。为了去除抛光层并露出划痕,在室温下用氢氟酸HF(2.7重量%)和硝酸HNO 3(22.8重量%)的混合物对这些样品进行轻度湿法蚀刻(2米深),系统如图3所示。这两批样品在自动洗衣机中清洗。在60℃下使用碱...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      太阳能发电被期待为实现性最高的新能源之一。但是,太阳能发电存在效率低的问题。硅晶系太阳能电池(单晶、多晶)的表面平坦,反射入射光的约1/3(不进行能量转换),向周围发散,产生了很大的损失(反射损失)。降低这种反射损失,使太阳光发电高效化的技术被称为“光锁定技术”。在硅太阳能电池中,已经开发出了用蚀刻液处理表面,形成微观凹凸(纹理),从而抑制反射的技术。      本研究讨论了以下两个课题,尝试了对基板清洗原理的研究。课题(1)纹理的表面分析、观察课题(2)清洗液的化学变化 实验      作为溶液A,直接使用了Si(100)面的太阳能电池用的单晶晶圆。作为观察试样的未处理硅片用金刚石笔切断为约5mm见方,用溶剂a清洗.作为观察试样的纹理完毕的硅片用金刚石笔切断为约5mm见方。在表面分析中,使用了X射线光电子分光分析装置(ESCA)和附带扫描电子显微镜的X射线分析器。作为X射线光电子分光分析装置,使用了未处理的硅片,比较了基板清洗前后。用SEM―EDS映射未处理的硅片和纹理,尝试了“微掩模”的探索。      作为密闭容器,使用了玻璃制干燥器(容积3L)。在50mL螺旋管中加入50mL盐酸,释放盖子,使其...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着器件的高集成化,对高质量硅晶片的期望。高质量晶片是指晶体质量、加工质量以及表面质量优异的晶片。此外,芯片尺寸的扩大、制造成本的增加等问题受到重视,近年来,对300mm晶片的实用化进行了研究。随着半导体器件的高集成化,硅晶圆表面的高清洁度化成为极其重要的课题。在本文中,关于硅晶圆表面的金属及粒子的附着行为,对电化学的、胶体化学的解析结果进行解说,并对近年来提出的清洗方法进行介绍。现在的半导体(晶圆及器件)的制造工序,遇到金属杂质的机会非常多,特别是利用等离子和离子的装置,光刻胶,溅射靶等材料,存在高浓度的金属污染。虽然抑制这些金属产生的开发也在进行中,但是为了有效地除去金属杂质的技术开发也在被期待。另外,还存在着除去的金属从洗涤液中再次附着在硅表面,从药品等混入的金属附着在硅表面的问题。因此,为了在溶液中除去这些金属或者抑制附着,首先需要把握洗涤液中的金属的行为。清洗液中金属的附着大致可分为2种机理,一个是以碱性溶液中的金属附着为代表的化学吸附引起的,另一个是酸性溶液中的电化学附着。 碱性溶液中金属的附着机理:首先,对碱性溶液中金属的附着机理进行论述。氨·过氧化氢混合水溶液,由于具有优良的颗粒去除能力,被广泛使用。但是,众所周知,如果溶液中存在微量的金属,其金属就会附着在晶圆表面。如图2所示,APM溶液中即使存在1μmo...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。 抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物,CMP后的清洗技术极为重要。在本文中,关于半导体制造工序之一的CMP后的晶圆清洗工序,通过可视化实验,从流体工程学的观点出发,阐明其机理,以构筑能够在各种条件下提出最佳清洗方法的现象的模型化为目的。因此,我们进行了可视化实验、流动特性、剪切流动特性、液体置换特性、液滴的蒸发除去特性等基础研究。 实验      药液清洗过程:由于CMP后的晶圆表面附着有多个磨粒,因此通过刷子清洗等施加物理外力,使磨粒剥离,通过液流(药液)排出。由于转数、流量等条件会受到怎样的影响,至今还没有得到确认。因此,对向旋转的晶圆上供给冲洗水时的冲洗水的流动特性进行了可视化观察。具体来说,我们观察了将溶解了白色颜料的纯净水供给到旋转的晶圆表面时液膜的扩散方式,调查了根据晶圆的种类、旋转数、供给流量,液膜的扩散状态是如何变化的。      通过旋转圆盘上的液流去除晶片附着粒子:通过由晶片的旋转引起的剪切液流来估计可以去除粘附到晶片表面的细颗粒的细颗粒直径。首先,图4表示液膜内速度分布的定义以及作用于晶圆上微粒子的力的模式...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着LSI集成度的显著增加,各元件的断面构造从平面型向以沟槽(沟)构造的出现为代表的三维构造变迁。在以极限微细化为指向的LSI技术中,为了能够对应凹凸严重的复杂微细的构造表面,并且确保元件的可靠性和成品率,开发比以往更加显著地降低残留污染量的清洗、干燥技术变得越来越重要。即使在各种干燥化发展的今天,半导体器件表面的清洗,无尘化技术也被广泛采用使用超纯水及高纯度药品水溶液的所谓湿式清洗工艺,其重要性也很高。另外,湿处理后,为了除去附着在表面的水,必须进行干燥过程。清洗过程的最后工序是用除去杂质到极限的超纯水进行硅晶圆的水洗处理,其次必须有完全除去附着在晶圆上的超纯水的干燥技术。 清洗技术清洗的目的是除去附着在晶圆表面上的有害污染物质,但同时也要求不对晶圆表面造成损伤。晶圆的清洗方法分为用高压水或刷子等手段机械地摩擦晶圆表面除去颗粒的机械清洗和将晶圆浸入清洗溶液中化学地除去污染物质的化学清洗两种,在此提及化学清洗。对器件特性产生重大不利影响的污染物质的代表性可分为粒子、有机物、金属类、自然氧化膜四大类。目前,湿式清洗对所有这些污染物质都有效,而且操作容易,所以专门采用。遗憾的是,在干式清洗的情况下,还没有确立有效去除所有这些污染物质的方法。一般来说,湿式清洗操作是单独使用酸、碱的水溶液或者与过氧化氢水(以下简称过水)混合使用。此时,为了...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅片在大口径化的同时,要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格,因此超精密磨削技术得以开发,实现了无蚀刻化,无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行,但在包括成本在内的综合性能方面还留有课题。因此,与硅不同,没有适当的去除加工损伤的蚀刻技术,担心无法切实去除搭接后的残留损伤。本方法以开发适合于去除加工损伤的湿蚀刻技术为目的,以往的湿蚀刻是评价结晶缺陷的条件,使用加热到500℃以上的KOH熔体的,温度越高,安全性存在问题,蚀刻速率高。 实验      以低温湿蚀刻为目的,使用以下3种药液进行了浸渍实验。药液a :高锰酸钾类药液.药液b :将铁氰化钾的水溶液和氢氧化钠的水溶液混合而成。药液c :用于参考比较的氢氧化钠水溶液。      将药液分别放入烧杯,在热板上加热,液温达到100℃后,浸渍SiC晶片20分钟(图1 ) 。所使用的晶片为偏离角4°的单晶3英寸4H-SiC晶片,加工面状态为金刚石抛光面。经过规定的时间对表面状态进行了观察和测量。关于蚀刻效果,测量浸渍前后的重量,将其差值作为蚀刻速率求出。因此,蚀刻速率的计算值为Si面和c面之和。 图1 实验方法结果和讨论      根据重量变化...
发布时间: 2021 - 11 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在半导体制造工序的硅晶圆的清洗中,RCA清洗法被很多企业使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行业标准方法,其中清洗溶液的温度控制对于稳定的清洗性能很重要,但它涉及困难,许多清洗溶液显示非线性和时变的放热化学反应,由于清洗系统具有处理腐蚀性清洗溶液的特殊设备,系统具有长而波动的时间滞后等。在这里,我们首先提出了一个系统的热模型,其中通过DSC(差分扫描量热法)方法,我们分析了清洗溶液的放热化学反应,如SPM(硫酸/过氧化氢混合物)、APM(氨/过氧化氢混合物)和HPM(盐酸/过氧化氢混合物)。      为了控制解的温度,我们使用自适应预测控制器,其中使用自适应方法来处理非线性和时变的放热反应,预测方法是为了克服时间滞后上的问题。进一步,设计了限制超调和消除稳态误差的目标轨迹,并引入了一种新的虚拟采样方法,以减少所需的内存大小和计算时间。我们展示了该热模型的有效性,并通过计算机模拟和对实际系统的控制,验证了该控制器的性能。 实验在进行模拟实验以及实机实验之前,使用与图3表示特性的SPM相对应的控制对象模型,以控制区间8000秒为1次试行,进行了共计5次的控制模拟实验。据此,进行了离散模型M的更新,以该更新后的M为初始值,进行了下述的模拟实验以及实机实验。在此,由于第2...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料作为用于高寿命蓝色LD (半导体激光器)、高亮度蓝色LED (发光二极管)、高特性电子器件的GaN单晶晶片,通过hvpe (氢化物气相)生长法等进行生长制造出了变位低的自立型GaN单晶晶片。GaN单晶晶片生长后不久通常为圆形,厚度、外径有偏差。 另外,在外延器件工序中,不是刚刚生长后晶片,而是通常为平坦的面、传感器为了判断放置在接头上的均匀外径、结晶方位,与结晶面平行加工的OF(定位平面)、为了识别表背面而实施了IF (索引平面)加工的晶圆和背面为梨皮状(粗糙化面)的晶圆。因此,通常为了调整晶片形状,使用NC (数控)加工机和仿形式的加工机进行外径倒角加工,此外,为了得到平坦的面,还进行磨削研磨进行蚀刻研磨加工。作为加工后的清洗,进行以除去重金属为目的的酸清洗。一般来说是半导体晶片的清洗时,以除去表面上颗粒为目的进行碱清洗,GaN单晶晶片在这种情况下,n面被碱液蚀刻,引起表面粗糙,因此避免使用。但是,传统的清洗方法不能使用碱清洗,因此不能说颗粒去除能力充分,存在难以得到清洁的GaN单晶晶片表面的问题。在GaN单晶晶片中,GaN单晶晶片的Ga表面的颗粒被去除,但是N表面的粗糙度很大,并且不能使用碱清洁。本发明提供了一种GaN单晶晶片的清洁方法,该GaN单晶晶片具有足够的颗粒去除能力,并规定了碱性化学品的种类、浓度和清洁条件,以防止表面粗糙化,本发明...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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