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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了氨过氧化氢溶液(SC-1溶液)、Fe(III)、Ni(Ii)、Zn(II)在硅片上的吸附作用。实验结果与平衡计算结果比较发现,主要吸附物质是溶解的中性氢氧化物配合物。计算出的氢氧化物配合物吸附的自由能变化支持了这一点。 介绍      为了减少环境和设备的污染,开发和使用了多种清洁方案。SC-1溶液(29%NH4OH:31%It202:H20=1:1:5体积比)1是半导体制造中广泛使用的清洁溶液之一。然而,表面金属污染是由溶液中的一些金属杂质引起的。金属杂质,特别是过渡金属,会引起电的恶化,例如栅极氧化物的分解。在本文中,我们通过平衡分析的方法研究了其吸附行为。采用分析方法确定了吸附种类。同时还进行了吸附的自由能计算,以了解吸附的种类,并支持平衡分析的结果。本文中检测的金属离子为Fe(III)、Ni(II)和Zn(II)作为半导体制造中的典型污染物。 实验      本工作中使用的以下化学物质为EL级,其中含有低于0.5ppb的过渡金属杂质:50%HF、29%氢氧化铵、31%H202、20%四甲基氢氧化铵。用于原子吸收分光光度法(AAS)的金属标准溶液(1000ppm)用于故意污染。本研究中使用的去离子水含有10pp...
发布时间: 2021 - 09 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      半导体清洁技术是基于RCA清洁,它消耗大量的化学物质和超纯水。因此,这项技术导致了许多环境问题,目前正在研究一些替代方案,如电解水。在这个实验中,用电解的水清洗故意污染的硅片。电解水在阳极和阴极中获得,其氧化还原电位和pH分别为一1050mV和4.8、-750mV和10.0。电解水的恶化与空气中溶解的二氧化碳浓度的变化有关。清洗颗粒过程中电解水的溢出与RCA清洁所能获得的清洁相同。电子波清洁后,图案晶片表面的粗糙度保持了接收晶片的粗糙度。在本研究中,RCA清洁消耗了约9-C的化学物质,而电解水清洁只需要400m^HC1或600m£NH4CI来清洁晶片。因此得出结论,电解水清洗技术对于在下一代半导体制造中释放环境、安全和健康(ESH)问题非常有效。 介绍      基于RCA清洁,已经开发了许多旨在消除污染物的湿式清洗工艺。RCA清洗是指在相对较高的温度下进行高浓度化学处理的几个步骤的过程。随着硅晶片直径的增大和半导体器件的缩小,清洗过程单元的数量增加,使RCA清洗过程中消耗的化学品和超纯水(UPW)的数量大幅增加,生产成本也大大增加。为了解决这些问题,利用氢化超纯水(H2-UPW)等功能水AA研究了先进的清洗方法。     ...
发布时间: 2021 - 09 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们介绍了磷扩散前表面污染对太阳能电池和寿命样品的影响。用夹层刻蚀电感耦合等离子体质谱技术测量了氢氧化钾、异丙醇织构直拉硅片的金属表面污染。纹理化后直接发现高表面污染,尤其是铜,这是由于金属在稀释的非氧化性碱性溶液中的溶解度低。通过应用标准的清洗程序,如盐酸、氢氟酸浸泡程序和piranha蚀刻,达到了不同的污染水平。测试的发射极轮廓范围从45ω/sq的重扩散到120ω/sq的浅扩散。发现明显影响寿命和太阳能电池性能(Voc)的阈值远高于预期。 介绍      金属表面污染在半导体加工中起着重要作用。然而,在太阳能电池加工的标准工业高温工艺(如扩散和表面钝化)之前,没有关于硅表面表面污染阈值的研究。为了找到太阳能电池性能的极限浓度,研究了表面金属污染对扩散过程的影响。 实验设计      为了改变污染水平,使用不同的清洗程序清洗氢氧化钾、异丙醇纹理的Cz晶片。纹理化后立即获得高表面浓度。使用盐酸、氢氟酸浸泡和piranha清洗来降低这些浓度。使用夹层蚀刻电感耦合等离子体质谱技术测量不同组的表面浓度。进行了两个实验(图。2 (a)和(b))。在第一个实验中,测量了不同清洗程序对对称实时样品和标准丝网印刷太阳能电池的影响。...
发布时间: 2021 - 09 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文介绍了在大型三维形貌表面上涂覆光刻胶的三种方法。介绍和研究了两种制备三维微结构和射频微机电系统器件的特殊方法:喷射法和电沉积法。概述了每种方法的特点及其优缺点。从复杂性、性能和应用类型方面进行比较,指出最合适的涂覆方法。这些涂层方法的潜力通过多级微机械加工结构和射频微机电系统器件的制造等应用得到了证明。 介绍       对于一些微机电系统应用来说,将图案转移到具有广泛形貌的硅片上需要在非平面表面上有均匀的光刻胶层。迄今为止,已经引入了三种光致抗蚀剂涂覆技术来制造微机电系统器件。旋涂是最常规的涂覆方法,用于标准的平面晶片。它并不总是令人满意的,只能在某些微机电系统应用中进行某些修改。应考虑诸如电沉积和光刻胶喷涂等替代方法。据报道,光致抗蚀剂的电沉积对于芯片的三维堆叠是一种有吸引力的方法,但是它需要导电层。最近,一种新的涂覆方法,光致抗蚀剂的直接喷涂被引入作为用于微系统的另一种光致抗蚀剂涂覆技术。  旋涂和喷涂      光刻胶旋涂是集成电路工艺中平面晶片的标准涂覆方法。涂覆过程从将光致抗蚀剂溢流到晶片上开始,以便覆盖整个表面。具有快速旋转速度的第二步促进了膜的干燥,并减少了光致抗蚀剂的进一...
发布时间: 2021 - 09 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文的目的不是提出说明如何获得粘附沉积,而是引起注意一些值得科学研究的问题和其中的解决方案将会影响实际应用,电沉积金属的价值取决于其粘附程度的表面沉积,以及分子在沉积过程中的物理条件或结构。 介绍      金属表面的所有东西,无论是可见的氧化物、油脂和结垢,还是看不见的、透明的油、羟氧化物或其他化合物层,甚至气体薄膜,都可以被认为是污垢,将其定义为“在错误的地方的物质)。表面的清洁是需要操作人员最大小心的操作,因此所涉及的工作是电镀厂操作中最大的费用。表面的制备方法可分为机械、物理、化学和电解两种方法。机械手段包括研磨、冲刷、使用磨料和喷砂机。物理方法包括燃烧和溶解。溶剂,如汽油,酒精等。化学方法利用酸、碱、氰化物和各种其他物质,这些物质作用于被去除的材料,使它们重叠或改变它们的性质,使它们很容易通过机械方法去除。 实验      通常使用的化学方法所伴随的缺点是由于酸在被镀的金属上的有害作用,酸渗透到金属的孔隙中,从而难以完全去除,以及释放可能被金属吸收的氢和其他气体。      一个简单的实验来证明氢的有害作用可以进行如下:一块柔性钢钢琴丝浸入稀硫酸溶液中,在氢释放后进行了几次几分钟后,...
发布时间: 2021 - 09 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       降低混合集成结构中由于热膨胀系数差异而产生的应力需要去除衬底,这是关键因素之一。由于铝牺牲层和高铝含量DBR层之间的刻蚀选择性低,常用的外延剥离技术很难用于制作全外延介质阻挡半导体激光器。提出并论证了一种新的去除底物的方法——氧化剥离法。与外延剥离法相比,该工艺对铝含量显示出更高的选择性,外延剥离法允许释放具有外延DBR和硅上单独元件的垂直腔面发射激光器结构,减少了工艺步骤的数量,并最终降低了制造/集成器件的成本。金锗合金用于分子束外延生长的氧化剥离结构的金属键合。1米厚的AlAs嵌入牺牲层被横向氧化,以从GaAs衬底释放部分处理的器件。在硅衬底上制作了分离式垂直腔面发射激光器的2D阵列。接触退火、衬底去除、器件分离、键合和氧化物孔的形成在单个处理步骤中完成。测量了所制备器件的电致发光光谱、伏安特性和π特性。发现制造的器件的串联电阻约为100欧姆。对于孔径为25 m的器件,证明了阈值电流为8 mA的激射。 介绍      由于热膨胀系数差异引起的应力集成技术应包括衬底释放和器件分离。去除或减薄GaAs衬底是将热失配应力降低到可接受水平的重要第一步。我们的有限元分析表明,减薄附着的GaAs层会使应力值降低3-6倍,这可能会增强系统的完整性,防止用于焊接...
发布时间: 2021 - 09 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        采用移动网格技术,建立了一种新的一维模拟模型来预测旋转涂层薄膜的表面覆盖度和平均厚度。用数值方法研究了初始轮廓、分配体积、溶剂蒸汽压、相对湿度和初始粘度对涂层几何形状的影响。初步分配的体积、溶剂蒸汽压、初始粘度和晶圆转速是控制表面覆盖度和平均膜厚度的有效参数。从新模型中推导出了自旋涂层工艺参数与膜几何参数、表面覆盖度和平均膜厚度的关系。结果表明,通过优化操作参数,可以降低每给定尺寸芯片的光刻胶溶液消耗。 介绍      半导体制造业通过减小特征尺寸和增加晶片尺寸来提高生产率,以在晶片中容纳更多的芯片。特征尺寸减小到大约30-50纳米,晶片尺寸增加到直径300毫米。面对进一步减小特征尺寸的技术困难,过渡到450 mm晶片工艺是一个重要问题。根据半导体国际技术路线图,下一代晶圆尺寸为450毫米,计划于2012年投入生产,然而还有许多问题需要仔细研究,包括晶体生长和晶圆成型。为了准备采用下一代晶圆,有必要相应地重新设计所有半导体制造工艺。由于操作简单,涂层均匀薄,旋涂主要用于光刻胶涂覆过程。 理论       表1总结了本研究中使用的材料特性和模型参数。这些值是根据为开发喷涂系统而进行的有效实验和数值研究...
发布时间: 2021 - 09 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      晶体氧化膜是众多电子和光学器件的重要组成部分,其研究和制造涉及当前科学技术的主要方面。大量的方法,如溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积和溶胶-凝胶,通常被用于沉积这些薄膜,许多新技术正在开发。然而,在这些方法中,沉积的薄膜都是非定形的。对于那些需要晶体薄膜的应用程序,需要一个额外的高温处理步骤。这种高温步骤可以导致将晶体氧化物膜与热不稳定基底和其他器件组件的理想特性结合起来的相当大的限制。高温加工也增加了相当大的制造成本。介绍      本文描述了一种简单的方法,提供了低温沉积和结晶的一般方法。为了证明该方法的通用性,我们在这里描述了zn2sio4、二氧化锆和二氧化锰薄膜的生产,它们分别在显示、电子和能源存储方面具有应用意义。本方法来源于我们关于用沉淀和水热脱水(2)法制备氧化物粉的报道。实验      实验过程中,羟基沉淀物在水热条件下脱水,在低至400K的温度下产生无水的结晶氧化物。我们现在已经将这种脱水和结晶过程与连续的离子层吸附和反应(SILAR)沉积方法相结合,在低温下生成全结晶的氧化物薄膜。在SILAR过程中,阳离子成分首先被吸附在基底表面,然后在水中冲洗步骤以产生近似的单层覆盖。然后将底物转移到含有阴离子成分的溶液中,其中在底物表...
发布时间: 2021 - 09 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      WL-CSP是一种低调的、真正的芯片尺寸封装,完全建立在使用前端和后端处理的晶圆上。使用光电介质和再分布金属将管芯的外围焊盘重新分布到区域阵列中,消除了对衬底或插入物的需要。焊球被放置在重新分布的金属焊盘上并回流,形成一个大的间隙,提高了可靠性。通过仿真优化了试验车辆的保险杠结构和衬垫几何形状,并进行了试验验证。这种WL-CSP技术是使用一个5×5 mm2的芯片和0.5 mm间距的8×8焊料凸块阵列进行评估的。使用1.2毫米厚的2层FR-4板进行板级可靠性测试,该板具有涂有OSP的0.25毫米非阻焊剂限定的铜垫。标准厚度的WL-CSP晶圆片为27密耳。进行评估以评估通过减薄晶片来提高WL-CSPs的潜在可靠性。使用两种技术将晶片减薄至4密耳厚。第一种方法是标准晶圆背面研磨。第二种是等离子体蚀刻的新方法,它产生无损伤的表面并提高晶片和管芯的强度。将通过比较标准WL-CSP和使用上述技术减薄的CSP来介绍板级可靠性。 介绍      随着电子元件的尺寸不断缩小,半导体行业正朝着集成电路小型化的方向发展。晶圆级芯片级封装(WL-CSP)正在成为封装中低输入输出设备的一种流行方法。WLCSP性价比高,易于测试,占地面积小,外形低调。 晶圆减...
发布时间: 2021 - 09 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      三维集成电路技术已经发展成为半导体行业的新兴技术。硅片减薄是三维集成电路和硅通孔形成的关键技术之一。本文报道了三维集成电路硅片湿法刻蚀减薄技术。 介绍       通过应用摩尔定律,半导体已经小型化。然而,小型化的发展仍然是复杂性急剧增加和设备成本巨大的问题。另一方面,除了用于小型化的技术之外的技术已经被应用到高性能半导体的开发中。开发高性能半导体最有前途的技术是使用硅片(或芯片)减薄和硅通孔(TSV)的三维集成电路。这项技术为高性能半导体提供了以下优势:增加特定物理卷的内存容量;和更快的传输速度和更低的功耗,这是由于变薄和TSV效应提高了逻辑和存储器之间的响应能力。 实验和讨论      图1显示了蚀刻速率验证实验的结果。      表3和表4显示了各种氧化膜的蚀刻速率以及根据蚀刻速率计算的它们对热氧化膜的选择性比率。与异丙醇溶液中的[1:24]相比,热氧化膜对水溶液中[1:3]的硝酸-氧化物的选择性表现出非常大的差异。这一结果表明热氧化膜不能被蚀刻,而存在可能蚀刻硝酸-氧化物的活性物质。用于本实验的异丙醇溶液中的氟化氢浓度明显小于水溶液中的浓度(1:0.03);然而,HF浓度实际...
发布时间: 2021 - 09 - 22
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